3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование

3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для

производства полупроводниковых приборов или

материалов и специально разработанные

компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального

выращивания:

3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство 8486 10 000 9

слоя из любого материала, отличного от

кремния, с отклонением равномерности

толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм

или более;

3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического 8486 20 900 9

осаждения из паровой фазы

металлоорганических соединений, специально

разработанные для выращивания кристаллов

полупроводниковых соединений с

использованием материалов, контролируемых

по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве

исходных

Особое примечание.

В отношении оборудования, указанного в

пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1

раздела 2;

3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального 8486 10 000 9

выращивания с использованием газообразных

или твердых источников;

3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для ионной 8486 20 900 9

имплантации, имеющее любую из следующих

характеристик:

а) энергию пучка (ускоряющее напряжение)

более 1 МэВ;

б) специально спроектированное и

оптимизированное для работы с энергией пучка

(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;

в) имеет возможность непосредственного

формирования рисунка; или

г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу

тока пучка 45 мА или более для

высокоэнергетической имплантации кислорода в

нагретую подложку полупроводникового

материала;

3.2.1.3. Оборудование для сухого анизотропного

плазменного травления:

3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты 8486 20 900 9;

в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее 8456 90 000 0

любую из следующих характеристик:

а) разработанное или оптимизированное для

производства структур с критическим размером

180 нм или менее и погрешностью (3сигма),

равной +/- 5%; или

б) разработанное для обеспечения чистоты

лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом

измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в

диаметре;

3.2.1.3.2. Оборудование, специально спроектированное 8486 20 900 9;

для систем, контролируемых по пункту 8456 90 000 0

3.2.1.5, и имеющее любую из следующих

характеристик:

а) разработанное или оптимизированное для

производства структур с критическим размером

180 нм или менее и погрешностью (3сигма),

равной +/- 5%; или

б) разработанное для обеспечения чистоты

лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом

измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в

диаметре;

3.2.1.4. Оборудование химического осаждения из 8486 20 900 9;

паровой фазы с применением плазменного 8419 89 300 0

разряда, ускоряющего процесс:

3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты

в кассету и шлюзовой загрузкой,

разработанное в соответствии с техническими

условиями производителя или оптимизированное

для использования в производстве

полупроводниковых устройств с критическим

размером 180 нм или менее;

3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное

для систем, контролируемых по пункту

3.2.1.5, и разработанное в соответствии с

техническими условиями производителя или

оптимизированное для использования в

производстве полупроводниковых устройств с

критическим размером 180 нм или менее;

3.2.1.5. Автоматически загружаемые многокамерные 8456 10 00;

системы с центральной загрузкой 8486 20 900 2;

полупроводниковых пластин (подложек), 8456 90 000 0;

имеющие все следующие характеристики: 8486 20 900 3;

а) интерфейсы для загрузки и выгрузки 8479 50 000 0

пластин (подложек), к которым присоединяется

более двух единиц оборудования для обработки

полупроводников; и

б) предназначенные для интегрированной

системы последовательной многопозиционной

обработки пластин (подложек) в вакууме

Примечание.

По пункту 3.2.1.5 не контролируются

автоматические робототехнические системы

управления загрузкой пластин (подложек), не

предназначенные для работы в вакууме;

3.2.1.6. Оборудование для литографии:

3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с 8443 39 290 0

использованием методов оптической или

рентгеновской литографии с пошаговым

совмещением и экспозицией (непосредственно

на пластине) или сканированием (сканер),

имеющее любое из следующего:

а) источник света с длиной волны короче 245

нм; или

б) возможность формирования рисунка с

минимальным разрешаемым размером элемента

180 нм и менее

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер элемента

(МРР) рассчитывается по следующей формуле:

МРР = (длина волны источника света в

нанометрах) x (K фактор) / (числовая

апертура), где K фактор = 0,45;

3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для печати, 8443 39;

способное создавать элементы размером 180 8486 20 900

нм или менее

Примечание.

Пункт 3.2.1.6.2 включает:

а) инструментальные средства для

микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для горячего

тиснения;

в) литографические инструментальные

средства для нанопечати;

г) литографические инструментальные

средства для поэтапной и мгновенной печати;

3.2.1.6.3. Оборудование, специально разработанное для 8456 10 00;

изготовления шаблонов или производства 8486 20 900 3;

полупроводниковых приборов с использованием 8486 40 000 1

методов непосредственного формирования

рисунка, имеющее все нижеследующее:

а) использующее отклоняемый сфокусированный

электронный, ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

размер пятна менее 0,2 мкм; возможность

формирования рисунка с размером элементов

менее 1 мкм; или точность совмещения слоев

лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);

3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные 8486 90 900 3

для производства интегральных схем,

контролируемых по пункту 3.1.1;

3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 8486 90 900 3

Примечание.

По пункту 3.2.1.8 не контролируются

многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем,

разработанные для изготовления запоминающих

устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1

3.2.1.9. Литографические шаблоны для печати, 8486 90 900 3

разработанные для интегральных схем,

контролируемых по пункту 3.1.1

3.2.2. Оборудование, специально разработанное для

испытания готовых или находящихся в разной

степени изготовления полупроводниковых

приборов, и специально разработанные для

этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных 9031 80 380 0

приборов на частотах выше 31,8 ГГц;

3.2.2.2. Исключен. - Решение Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от

27.09.2005 N 244

Примечание. Исключено. - Решение Межгосударственного Совета

ЕврАзЭС от 27.09.2005 N 244

Техническое примечание. Исключено. - Решение

Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от 27.09.2005 N 244;

3.2.2.2. Для испытания микроволновых интегральных 9030;

схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 9031 20 000 0;

9031 80 380 0