Документ продолжает действовать в прежнем статусе в отношении государств-участников Соглашения от 28.10.2003 (Договор от 10.10.2014).

3.5. Технология

3.5.1. Технологии в соответствии с общим

технологическим примечанием к настоящему

Типовому списку для разработки или

производства оборудования или материалов,

контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3

Примечание.

По пункту 3.5.1 не контролируются

технологии для:

а) производства оборудования или

компонентов, контролируемых по пункту

3.1.3;

б) разработки или производства интегральных

схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 -

3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные

признаки:

использующие технологии с разрешением

0,5 мкм или выше (хуже); и

не содержащие многослойных структур

(примечание в ред. решения Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от

12.12.2008 N 406)

(см. текст в предыдущей редакции)

Техническое примечание.

Для целей пункта "б" примечания

многослойные структуры не включают

приборов, содержащих максимум три

металлических слоя и три слоя

поликристаллического кремния

(техническое примечание введено решением Межгосударственного Совета

ЕврАзЭС от 12.12.2008 N 406)

3.5.2. Технологии в соответствии с общим

технологическим примечанием к настоящему

Списку другие, чем те, которые

контролируются по пункту 3.5.1, для

разработки или производства ядра микросхем

микропроцессора, микроЭВМ или

микроконтроллера, имеющих арифметико-

логическое устройство с длиной выборки 32

бит или более и любые из нижеприведенных

особенностей или характеристик:

а) блок векторного процессора,

предназначенный для выполнения более двух

вычислений с векторами для операций с

плавающей запятой (одномерными 32-

разрядными или более массивами)

одновременно

Техническое примечание.

Блок векторного процессора является

процессорным элементом со встроенными

операторами, которые выполняют

многочисленные вычисления с векторами для

операций с плавающей запятой (одномерными

32-разрядными или более массивами)

одновременно, имеющим, по крайней мере, одно

векторное арифметико-логическое устройство;

б) разработанных для выполнения более двух

64-разрядных или более операций с плавающей

запятой, проходящих за цикл; или

в) разработанных для выполнения более

четырех 16-разрядных операций умножения с

накоплением с фиксированной запятой,

проходящих за цикл (например, цифровая

обработка аналоговой информации, которая

была предварительно преобразована в цифровую

форму, также известная как цифровая

обработка сигналов)

Примечание.

По подпункту "в" пункта 3.5.2 не

контролируется технология мультимедийных

расширений

(п. 3.5.2 в ред. решения Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от

12.12.2008 N 406)

(см. текст в предыдущей редакции)

Примечания:

1. По пункту 3.5.2 не контролируются

технологии для разработки или производства

ядер микропроцессоров, имеющих все

нижеперечисленные признаки:

использующие технологии с разрешением 0,130

мкм или выше (хуже);

и

содержащие многослойные структуры с пятью

или менее металлическими слоями

2. Пункт 3.5.2 включает технологии для

процессоров цифровой обработки сигналов и

цифровых матричных процессоров

(примечания введены решением Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от

12.12.2008 N 406)

Примечание. Исключено. - Решение Межгосударственного Совета

ЕврАзЭС от 12.12.2008 N 406

(см. текст в предыдущей редакции)

Техническое примечание. Исключено. - Решение

Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от 12.12.2008 N 406

(см. текст в предыдущей редакции)

3.5.3. Прочие технологии для разработки или

производства:

а) вакуумных микроэлектронных приборов;

б) полупроводниковых приборов на

гетероструктурах, таких, как транзисторы с

высокой подвижностью электронов, биполярных

транзисторов на гетероструктуре, приборов с

квантовыми ямами или приборов на

сверхрешетках

Примечание.

По подпункту "б" пункта 3.5.3 не

контролируются технологии для транзисторов с

высокой подвижностью электронов (ТВПЭ),

работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и

биполярных транзисторов на гетероструктуре

(ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;

в) сверхпроводящих электронных приборов;

г) подложек из алмазных пленок для

электронных компонентов;

д) подложек из структур кремния на

диэлектрике (КНД-структур) для интегральных

схем, в которых диэлектриком является

диоксид кремния;

е) подложек из карбида кремния для

электронных компонентов;

ж) электронных вакуумных ламп, работающих на

частотах 31,8 ГГц или выше