3.1. Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования и

компонентов, указанных в пункте 3.1, других,

нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 -

3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые

специально разработаны или имеют те же самые

функциональные характеристики, как и другое

оборудование, определяется по контрольному

статусу такого оборудования

2. Контрольный статус интегральных схем,

указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8

или пункте 3.1.1.1.11, которые являются

неизменно запрограммированными или

разработанными для выполнения функций

другого оборудования, определяется по

контрольному статусу такого оборудования

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель или

заявитель не может определить контрольный

статус другого оборудования, этот статус

определяется контрольным статусом

интегральных схем, указанных в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11.

Если интегральная схема является кремниевой

микросхемой микроЭВМ или

микросхемой микроконтроллера, указанными в

пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова

операнда (данных) 8 бит или менее, то ее

статус контроля должен определяться в

соответствии с пунктом 3.1.1.1.3

3.1.1. Электронные компоненты:

3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы

общего назначения:

3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или 8542

относящиеся к классу радиационно стойких,

выдерживающие любое из следующих

воздействий:

3 5

а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10

рад] или выше;

6 8

б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/с [5 x 10

рад/с] или выше; или

в) флюенс (интегральный поток) нейтронов

13

(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10

н/кв. см или более по кремнию или его

эквивалент для других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется

к структуре металл - диэлектрик -

полупроводник (МДП-структуре);

3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы 8542

микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров,

изготовленные из полупроводниковых

соединений интегральные схемы памяти,

аналого-цифровые преобразователи,

цифроаналоговые преобразователи,

электронно-оптические или оптические

интегральные схемы для обработки сигналов,

программируемые пользователем логические

устройства, заказные интегральные схемы,

функции которых неизвестны или не известно,

распространяется ли статус контроля на

аппаратуру, в которой будут использоваться

эти интегральные схемы, процессоры быстрого

преобразования Фурье, электрически

перепрограммируемые постоянные запоминающие

устройства (ЭППЗУ), память с групповой

перезаписью или статические запоминающие

устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ),

имеющие любую из следующих характеристик:

а) работоспособные при температуре

окружающей среды выше 398 К (+125 °C);

б) работоспособные при температуре

окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или

в) работоспособные во всем диапазоне

температур окружающей среды от 218 К

(-55 °C) до 398 К (+125 °C)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется

к интегральным схемам, используемым для

гражданских автомобилей и железнодорожных

поездов;

3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы 8542 31 900 1;

микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, 8542 31 900 9;

изготовленные на полупроводниковых 8542 39 900 9

соединениях и работающие на тактовой

частоте, превышающей 40 МГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых

сигналов, цифровые матричные процессоры и

цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на 8542 31 900 1;

полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 9;

8542 39 900 9

3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого- 8542 31 900 3;

цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 9;

а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие 8542 39 900 5;

любую из следующих характеристик: 8542 39 900 9

разрешающую способность 8 бит или более, но

менее 10 бит со скоростью на выходе более

500 миллионов слов в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но

менее 12 бит со скоростью на выходе более

200 миллионов слов в секунду;

разрешающую способность 12 бит со скоростью

на выходе более 105 миллионов слов в

секунду; разрешающую способность более 12

бит, но равную или меньше 14 бит со

скоростью на выходе более 10 миллионов слов

в секунду; или

разрешающую способность более 14 бит со

скоростью на выходе более 2,5 миллиона слов

в секунду;

б) цифроаналоговые преобразователи с

разрешающей способностью 12 бит или более и

временем установления сигнала менее 10 нс

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов

n

соответствует 2 уровням квантования

2. Количество бит в выходном слове

соответствует разрешающей способности

аналого-цифрового преобразователя

3. Скорость на выходе является максимальной

скоростью на выходе преобразователя

независимо от структуры или выборки с

запасом по частоте дискретизации. Поставщики

могут также ссылаться на скорость на выходе

как на частоту выборки, скорость

преобразования или пропускную способность.

Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или

миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)

4. Для целей измерения скорости на выходе

одно выходное слово в секунду равнозначно

одному герцу или одной выборке в секунду;

3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542

интегральные схемы для обработки сигналов,

имеющие одновременно все перечисленные

составляющие:

а) один внутренний лазерный диод или более;

б) один внутренний светочувствительный

элемент или более; и

в) световоды;

3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические 8542 39 900 5

устройства, имеющие любую из следующих

характеристик:

а) эквивалентное количество задействованных

логических элементов более 30 000 (в

пересчете на элементы с двумя входами);

б) типовое время задержки основного

логического элемента менее 0,1 нс; или

в) частоту переключения выше 133 МГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.7 включает:

простые программируемые логические

устройства (ППЛУ);

сложные программируемые логические

устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем вентильные

матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем логические

матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем межсоединения

(ППМС)

Особое примечание.

Программируемые пользователем логические

устройства также известны как

программируемые пользователем вентильные

или программируемые пользователем логические

матрицы;

3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; 8542

3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, функции которых 8542 31 900 3;

неизвестны или изготовителю не известно, 8542 31 900 9;

распространяется ли статус контроля на 8542 39 900 5;

аппаратуру, в которой будут использоваться 8542 39 900 9

эти интегральные схемы, с любой из следующих

характеристик:

а) более 1000 выводов;

б) типовое время задержки основного

логического элемента менее 0,1 нс; или

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели 8542

указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и

пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе

любого полупроводникового соединения и

характеризующиеся любым из нижеследующего:

а) эквивалентным количеством логических

элементов более 3000 (в пересчете на

элементы с двумя входами); или

б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;

3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, 8542 31 900 1;

имеющие расчетное время выполнения 8542 31 900 9;

комплексного N-точечного сложного быстрого 8542 39 900 9

преобразования Фурье менее (N log2 N)/20 480

мс, где N - количество точек

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам, формула

в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени

выполнения 500 мкс

Примечания:

1. Контрольный статус подложек (готовых или

полуфабрикатов), на которых воспроизведена

конкретная функция, оценивается по

параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1

2. Понятие "интегральные схемы" включает

следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные схемы;

пленочные интегральные схемы, включая

интегральные схемы типа "кремний на

сапфире";

оптические интегральные схемы;

3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового

диапазона:

3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные

лампы и катоды:

3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 0

непрерывного действия:

а) работающие на частотах, превышающих 31,8

ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со

временем выхода лампы на предельную

радиочастотную мощность менее 3 с;

в) лампы с сопряженными резонаторами или их

модификации с относительной шириной полосы

частот более 7% или пиком мощности,

превышающим 2,5 кВт;

г) спиральные лампы или их модификации,

имеющие любую из следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот более одной

октавы и произведение средней мощности

(выраженной в кВт) на рабочую частоту

(выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в одну

октаву или менее и произведение средней

мощности (выраженной в кВт) на рабочую

частоту (выраженную в ГГц) более 1; или

пригодные для применения в космосе;

3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с 8540 71 000 0

коэффициентом усиления более 17 дБ;

3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для 8540 99 000 0

электронных ламп, эмитирующие в непрерывном

режиме и штатных условиях работы ток

плотностью, превышающей 5 А/кв. см

Примечания:

1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются

лампы, спроектированные для работы в любом

диапазоне частот, который удовлетворяет всем

следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен Международным союзом

электросвязи для обслуживания радиосвязи, но

не для радиоопределения

2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются

лампы, которые непригодны для применения в

космосе и удовлетворяют всем следующим

характеристикам:

а) средняя выходная мощность не более 50 Вт;

и

б) спроектированные для работы в любом

диапазоне частот, который удовлетворяет всем

следующим характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5

ГГц; и

диапазон распределен Международным союзом

электросвязи для обслуживания радиосвязи, но

не для радиоопределения;

3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы 8542 31 900 3;

(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую 8542 33 000;

из следующих характеристик: 8542 39 900 5;

а) предназначенные для работы на частотах от 8543 90 000 1

более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт

(36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1

мВт), с относительной шириной полосы частот

более 15%;

б) предназначенные для работы на частотах от

более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт

(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1

мВт), с относительной шириной полосы частот

более 10%;

в) предназначенные для работы на частотах от

более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 0,8

Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1мВт), с относительной шириной полосы частот

более 10%;

г) предназначенные для работы на частотах от

более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;

д) предназначенные для работы на частотах от

более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 0,25

Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт), с относительной шириной полосы

частот более 10%; или

е) предназначенные для работы на частотах

выше 43,5 ГГц

Примечания:

1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется

радиопередающее спутниковое оборудование,

разработанное или предназначенное для работы

в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц

2. Контрольный статус ММИС, номинальные

рабочие частоты которых относятся к более

чем одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2,

определяется наименьшим контрольным порогом

средней выходной мощности

3. Примечания 1 и 2, приведенные после

пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что

по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС,

если они специально разработаны для иных

целей, например для телекоммуникаций,

радиолокационных станций, автомобилей;

3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые транзисторы, 8541 21 000 0;

имеющие любую из следующих характеристик: 8541 29 000 0

а) предназначенные для работы на частотах от

более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и

имеющие среднюю выходную мощность,

превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

б) предназначенные для работы на частотах от

более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и

имеющие среднюю выходную мощность,

превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

в) предназначенные для работы на частотах от

более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и

имеющие среднюю выходную мощность,

превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

г) предназначенные для работы на частотах от

более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и

имеющие среднюю выходную мощность,

превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт); или

д) предназначенные для работы на частотах

выше 43,5 ГГц

Примечание.

Контрольный статус транзисторов, номинальные

рабочие частоты которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в подпунктах

"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется

наименьшим контрольным порогом средней

выходной мощности;

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и 8543 70 900 9

микроволновые сборки/модули, содержащие

такие усилители, имеющие любую из

следующих характеристик:

а) предназначенные для работы на частотах от

более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 60

Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт), с относительной шириной

полосы частот более 15%;

б) предназначенные для работы на частотах от

более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 15

Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт), с относительной шириной полосы

частот более 10%;

в) предназначенные для работы на частотах от

более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;

г) предназначенные для работы на частотах от

более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт

(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1

мВт), с относительной шириной полосы частот

более 10%;

д) предназначенные для работы на частотах

выше 43,5 ГГц; или

е) предназначенные для работы на частотах

более 3,2 ГГц и имеющие все нижеследующее:

среднюю выходную мощность P (Вт) большую,

чем результат от деления величины 150 (Вт·

2

ГГц ) на максимальную рабочую частоту f

2

(ГГц) в квадрате, то есть: P > 150/f или в

единицах размерности

2 2

[(Вт) > (Вт·ГГц )/(ГГц) ];

относительную ширину полосы частот 5% или

более;

любые две взаимно перпендикулярные стороны с

длиной d (см), равной или меньше, чем

результат от деления величины 15 (см·ГГц) на

наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть:

d <= 15/f или в единицах размерности

[(см) <= (см·ГГц)/(ГГц)]

Техническое примечание.

Для усилителей,

имеющих номинальный рабочий диапазон частот,

простирающийся в сторону уменьшения до 3,2

ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца

подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение

наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует

принимать равным 3,2 ГГц, то есть:

d <= 15/3,2 или в единицах размерности

[(см) <= (см·ГГц)/ГГц]

Особое примечание.

Для оценки ММИС усилителей мощности должны

применяться критерии, описанные в пункте

3.1.1.2.2

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к

радиопередающему спутниковому оборудованию,

разработанному или предназначенному для

работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5

ГГц

2. Контрольный статус изделий, номинальные

рабочие частоты которых относятся к более

чем одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4,

определяется наименьшим контрольным порогом

средней выходной мощности;

3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с 8543 70 900 9

электронной или магнитной перестройкой,

содержащие более пяти настраиваемых

резонаторов, обеспечивающих настройку в

полосе частот с соотношением максимальной и

минимальной частот 1,5:1 (f / f ) менее

max min

чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих

характеристик:

а) полосу пропускания частоты более 0,5% от

резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее 0,5% от

резонансной частоты;

3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители на гармониках, 8543 70 900 9

разработанные для расширения частотного

диапазона аппаратуры, описанной в пункте

3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх

пороговых значений, установленных в этих

пунктах;

3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности СВЧ- 8543 70 900 9

диапазона, содержащие лампы, определенные

в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие

характеристики:

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) плотность средней выходной мощности,

превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 куб. см

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре,

разработанной или установленной

изготовителем для работы в любом диапазоне

частот, распределенном Международным

союзом электросвязи для обслуживания

радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания (ММП), 8540 79 000 0;

содержащие, по крайней мере, лампу бегущей 8542 31 900 3;

волны, монолитную микроволновую интегральную 8543 70 900 9;

схему и встроенный электронный стабилизатор 8543 90 000 1

напряжения, имеющие все следующие

характеристики:

а) время включения от выключенного состояния

до полностью эксплуатационного состояния

менее 10 с;

б) физический объем ниже произведения

максимальной номинальной мощности в ваттах

на 10 куб. см/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы частот

более одной октавы (f > 2f ) и любое

max min

из следующего:

для частот, равных или ниже 18 ГГц,

радиочастотную выходную мощность более 100

Вт; или

частоту выше 18 ГГц

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8

время включения относится к периоду времени

от полностью выключенного состояния до

полностью эксплуатационного состояния, то

есть оно включает время готовности ММП

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8

приводится следующий пример расчета

физического объема ММП.

Для максимальной номинальной мощности 20 Вт

физический объем определяется как 20 [Вт] x

10 [куб. см/Вт] = 200 [куб. см]. Это

значение физического объема является

контрольным показателем и сравнивается с

фактическим физическим объемом ММП;

3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально

разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах 8541 60 000 0

и на акустических волнах в тонком

поверхностном слое (то есть приборы для

обработки сигналов, использующие упругие

волны в материале), имеющие любую из

следующих характеристик:

а) несущую частоту выше 6 ГГц;

б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не

превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие

любую из следующих характеристик:

частотное подавление боковых лепестков

диаграммы направленности более 55 дБ;

произведение максимального времени задержки

(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц)

более 100;

ширину полосы частот выше 250 МГц; или

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и

дополнительно имеющие любую из следующих

характеристик:

произведение максимального времени задержки

(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц)

более 100;

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

частотное подавление боковых лепестков

диаграммы направленности более 55 дБ и

ширину полосы частот, превышающую 100 МГц;

3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (то 8541 60 000 0

есть приборы для обработки сигналов,

использующие упругие волны в материале),

обеспечивающие непосредственную обработку

сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц;

3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, 8541 60 000 0

использующие взаимодействие между

акустическими волнами (объемными или

поверхностными) и световыми волнами, что

позволяет непосредственно обрабатывать

сигналы или изображения, включая анализ

спектра, корреляцию или свертку;

3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 8540;

компоненты, изготовленные из сверхпроводящих 8541;

материалов, специально спроектированные для 8542;

работы при температурах ниже критической 8543

температуры хотя бы одной из сверхпроводящих

составляющих, имеющие хотя бы один из

следующих признаков:

а) токовые переключатели для цифровых схем,

использующие сверхпроводящие вентили, у

которых произведение времени задержки на

вентиль (в секундах) на рассеиваемую

-14

мощность на вентиль (в ваттах) менее 10

Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с

использованием резонансных контуров с

добротностью, превышающей 10 000;

3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические

устройства:

3.1.1.5.1. Элементы, такие, как:

3.1.1.5.1.1. Первичные элементы с плотностью энергии, 8506

превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20

°C;

3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью энергии, 8507

превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20

°C

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность

энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением

номинального напряжения в вольтах на

номинальную емкость в ампер-часах,

поделенным на массу в килограммах. Если

номинальная емкость не установлена,

плотность энергии определяется произведением

возведенного в квадрат номинального

напряжения в вольтах на длительность разряда

в часах, поделенным на произведение

сопротивления нагрузки разряда в омах на

массу в килограммах

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент"

определяется как электрохимическое

устройство, имеющее положительные и

отрицательные электроды и электролит и

являющееся источником электроэнергии.

Он является основным компоновочным блоком

батареи

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный

элемент" определяется как "элемент", который

не предназначен для заряда каким-либо другим

источником энергии

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный

элемент" определяется как "элемент", который

предназначен для заряда каким-либо внешним

источником энергии

3.1.1.5.1.3. Исключен. - Решение Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от

12.12.2008 N 406

Примечание.

По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются

батареи, включая батареи, содержащие один

элемент;

3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки электрически 8541 40 900 0

соединенных элементов под защитным стеклом,

солнечные панели и солнечные батареи,

пригодные для применения в космосе, имеющие

минимальное значение среднего КПД элементов

более 20% при рабочей температуре 301 K (28

°C) под освещением с поверхностной

плотностью потока излучения 1367 Вт/кв. м

при имитации условий нулевой воздушной

массы (АМО)

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса) определяется

спектральной плотностью потока солнечного

света за пределами атмосферы при расстоянии

между Землей и Солнцем, равным одной

астрономической единице (АЕ);

3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные

конденсаторы:

3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 8506;

Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие 8507;

все следующие характеристики: 8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и 8506;

выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие 8507;

все следующие характеристики: 8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10 000

или более;

3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, 8504 50;

специально разработанные на полный заряд или 8505 90 100 0

разряд менее чем за 1 с, имеющие все

нижеперечисленные характеристики:

а) энергию, выделяемую при разряде,

превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток

более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т

или суммарную плотность тока в обмотке более

300 А/кв. мм

Примечание.

По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются

сверхпроводящие электромагниты или

соленоиды, специально разработанные для

медицинской аппаратуры магниторезонансной

томографии;

3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного 9031 80 320 0;

углового положения вращающегося вала, 9031 80 340 0

имеющие любую из следующих характеристик:

а) разрешение лучше 1/265000 от полного

диапазона (18 бит); или

б) точность лучше +/- 2,5 угл. с

3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые 8536 50 030 0;

коммутационные тиристорные устройства 8536 50 800 0;

и тиристорные модули, использующие методы 8541 30 000 9

электрического, оптического или электронно-

эмиссионного управления переключением,

имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную скорость нарастания

отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс

и напряжение в закрытом состоянии более 1100

В; или

б) максимальную скорость нарастания

отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и

все нижеследующее:

импульсное напряжение в закрытом состоянии,

равное 3000 В или более;

и

максимальный ток в импульсе (ударный ток)

более 3000 А

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль

содержит одно или несколько тиристорных

устройств

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает:

кремниевые триодные тиристоры;

электрические триггерные тиристоры;

световые триггерные тиристоры;

коммутационные тиристоры с интегральными

вентилями;

вентильные запираемые тиристоры;

управляемые тиристоры на МОП-структуре

(структуре металл-оксид-полупроводник);

солидтроны

2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются

тиристорные устройства и тиристорные модули,

интегрированные в оборудование,

разработанное для применения на

железнодорожном транспорте или в гражданских

летательных аппаратах

3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура

общего назначения:

3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально

разработанная измерительная магнитная лента

для нее:

3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте 8519 81 540 1;

показаний аналоговой аппаратуры, включая 8519 81 580 1;

аппаратуру с возможностью записи цифровых 8519 81 900 0;

сигналов (например, использующие модуль 8519 89 900 0;

цифровой записи высокой плотности), имеющие 8521 10 200 0;

любую из следующих характеристик: 8521 10 950 0

а) полосу частот, превышающую 4 МГц на

электронный канал или дорожку;

б) полосу частот, превышающую 2 МГц на

электронный канал или дорожку, при

количестве дорожек более 42; или

в) ошибку рассогласования (основную)

временной шкалы, измеренную по методикам

соответствующих руководящих материалов

Межведомственного совета по

радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации

электронной промышленности (EIA), менее +0,1

мкс

Примечание.

Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной

ленте, специально разработанные для

гражданского применения, не рассматриваются

как записывающие устройства, использующие

ленту;

3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на магнитной 8521 10;

ленте, имеющие максимальную пропускную 8521 90 000 9

способность цифрового интерфейса более

360 Мбит/с

Примечание.

По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются

цифровые видеомагнитофоны на магнитной

ленте, специально разработанные для

телевизионной записи, использующие формат

сигнала, который может включать сжатие

формата сигнала, стандартизированный или

рекомендуемый для применения в гражданском

телевидении Международным союзом

электросвязи, Международной

электротехнической комиссией, Организацией

инженеров по развитию кино и телевидения,

Европейским союзом радиовещания, Европейским

институтом стандартов по телекоммуникациям

или Институтом инженеров по электротехнике

и радиоэлектронике;

3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте 8471 70 800 0;

показаний цифровой аппаратуры, использующие 8521 10

принципы спирального сканирования или

принципы фиксированной головки и имеющие

любую из следующих характеристик:

а) максимальную пропускную способность

цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или

б) пригодные для применения в космосе

Примечание.

По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются

устройства записи данных на магнитной ленте,

оснащенные электронными блоками для

преобразования в цифровую запись высокой

плотности и предназначенные для записи

только цифровых данных;

3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 8521 90 000 9

способностью цифрового интерфейса,

превышающей 175 Мбит/с, разработанная в

целях переделки цифровых видеомагнитофонов

на магнитной ленте для использования их как

устройств записи данных цифровой аппаратуры;

3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 8471 90 000 0;

цифровую форму и записи переходных 8543 70 900 9

процессов, имеющие все следующие

характеристики:

а) скорость преобразования в цифровую форму

200 млн. проб в секунду или более и

разрешение 10 бит или более; и

б) непрерывную пропускную способность 2

Гбит/с или более

Техническое примечание.

Для таких приборов с архитектурой на

параллельной шине непрерывная пропускная

способность есть произведение наибольшего

объема слов на количество бит в слове.

Непрерывная пропускная способность - это

наивысшая скорость передачи данных

аппаратуры, с которой информация поступает в

запоминающее устройство без потерь при

сохранении скорости выборки и аналого-

цифрового преобразования;

3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50 000 0;

аппаратуры, использующие способ хранения на 8471 60;

магнитном диске, имеющие все следующие 8471 70 200 0;

характеристики: 8471 70 300 0;

а) скорость преобразования в цифровую форму 8471 70 500 0;

100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит 8519 81 900 0;

или более; и 8519 89 900 0;

б) непрерывную пропускную способность не 8521 90 000 9;

менее 1 Гбит/с или более; 8522 90 400 0;

8522 90 800 0

3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частот, 8543 20 000 0

имеющие время переключения частоты менее 1

мс;

Примечание.

Контрольный статус анализаторов сигналов,

генераторов сигналов, схемных анализаторов и

микроволновых приемников-тестеров как

функционально законченных приборов

определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4,

3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно;

3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:

3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные 9030 84 000 9;

анализировать любые сигналы с частотой 9030 89 300 0

выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц,

и имеющие разрешающую способность 3 дБ для

ширины полосы пропускания более 10 МГц;

3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные 9030 84 000 9;

анализировать сигналы с частотой выше 9030 89 300 0

43,5 ГГц;

3.1.2.3.3. Динамические анализаторы сигналов с полосой 9030 84 000 9;

частот в реальном масштабе времени, 9030 89 300 0

превышающей 500 кГц

Примечание.

По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются

динамические анализаторы сигналов,

использующие только фильтры с полосой

пропускания фиксированных долей (известны

также как октавные или дробно-октавные

фильтры);

3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, 8543 20 000 0

формирующие выходные частоты с управлением

по параметрам точности, кратковременной и

долговременной стабильности на основе или с

помощью внутреннего задающего эталонного

генератора и имеющие любую из следующих

характеристик: