3.3. Материалы

3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы),

состоящие из подложки с несколькими

последовательно наращенными эпитаксиальными

слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0

3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0

3.3.1.4. Соединения III - V на основе галлия или 3818 00 900 0

индия

Техническое примечание. Исключено. - Решение

Межгосударственного Совета ЕврАзЭС от 11.12.2009 N 469

3.3.2. Материалы резистов, а также подложки,

покрытые контролируемыми резистами:

3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для 3824 90 980 9

полупроводниковой литографии, специально

приспособленные (оптимизированные) для

использования на длине волны менее 245 нм;

3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9

использования при экспонировании

электронными или ионными пучками, с

чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или

лучше;

3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9

использования при экспонировании

рентгеновскими лучами, с чувствительностью

2,5 мДж/кв. мм или лучше;

3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии 3824 90 980 9

формирования рисунка, включая силилированные

резисты

3.3.2.5. Все резисты, разработанные или 3824 90 980 9

приспособленные для применения с

оборудованием для литографической печати,

указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие

термический или светоотверждающий способ

Техническое примечание.

Технология силилирования - это процесс,

включающий окисление поверхности резиста,

для повышения качества мокрого и сухого

проявления

3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:

3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, 2931 00 950 0

галлия или индия с чистотой металлической

основы более 99,999%;

3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, сурьмы и 2931 00 950 0

фосфорорганические соединения с чистотой

основы неорганического элемента более

99,999%

Примечание.

По пункту 3.3.3 контролируются только

соединения, металлический, частично

металлический или неметаллический элемент в

которых непосредственно связан с углеродом

органической части молекулы

3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие 2848 00 000 0;

чистоту более 99,999%, даже будучи 2850 00 200 0

растворенными в инертных газах или водороде

Примечание.

По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды,

содержащие 20% и более молей инертных газов

или водорода

3.3.5. Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида 3818 00 900 0

галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или

нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки,

були, а также другие преформы из указанных

материалов, имеющие удельное сопротивление

более 10 000 Ом·см при 20 °C

3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, 3818 00 900 0

содержащие по крайней мере один

эпитаксиальный слой из карбида кремния

(SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида

алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия

(AlGaN)