Таблица 2. Структура ООП магистратуры

┌───┬───────────────────────────────┬─────────┬───────────────┬───────────┐

│Код│ Учебные циклы, разделы │Трудоем- │Перечень │ Коды │

│УЦ │ и проектируемые результаты их │кость │дисциплин для │формируемых│

│ООП│ освоения │(зачетные│разработки │компетенций│

│ │ │единицы) │примерных про- │ │

│ │ │<*> │грамм, а также │ │

│ │ │ │учебников и │ │

│ │ │ │учебных пособий│ │

├───┼───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│М.1│Общенаучный цикл │ 20 - 25 │ │ │

│ ├───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │Базовая часть │ 6 - 7 │Деловой │ОК-1, │

│ │В результате изучения базовой│ │иностранный │ОК-3, │

│ │части цикла обучающийся должен:│ │язык, │ОК-6, │

│ │знать: │ │Менеджмент и │ОК-9 - 10, │

│ │ специфику артикуляции звуков,│ │маркетинг, │ПК-1 - 3, │

│ │интонации, акцентуации и ритма│ │Спецглавы │ПК-5 - 6, │

│ │деловой речи в изучаемом языке;│ │физики плазмы, │ПК-8 - 9, │

│ │основные особенности полного│ │Приборы и │ПК-11 - 12,│

│ │стиля произношения, характерные│ │системы лучевой│ПК-20 │

│ │для сферы профессиональной│ │энергетики │ │

│ │коммуникации; основные│ │ │ │

│ │грамматические явления,│ │ │ │

│ │характерные для│ │ │ │

│ │профессиональной речи; │ │ │ │

│ │ принципы и методы│ │ │ │

│ │менеджмента, функции│ │ │ │

│ │управления; стратегическое│ │ │ │

│ │планирование, построение│ │ │ │

│ │организации, мотивацию и│ │ │ │

│ │контроль; социально-│ │ │ │

│ │психологические основы│ │ │ │

│ │менеджмента: типы власти и│ │ │ │

│ │влияния, стили руководства,│ │ │ │

│ │управление конфликтами; основы│ │ │ │

│ │маркетинга и роль маркетинга в│ │ │ │

│ │управлении фирмой; принципы и│ │ │ │

│ │задачи маркетинговой│ │ │ │

│ │деятельности, информационная│ │ │ │

│ │база маркетинга; экономическая│ │ │ │

│ │эффективность новой техники и│ │ │ │

│ │капитальных вложений,│ │ │ │

│ │финансирование инновационной│ │ │ │

│ │деятельности; │ │ │ │

│ │ систему уравнений│ │ │ │

│ │гидродинамической модели│ │ │ │

│ │плазмы; колебания и волны в│ │ │ │

│ │плазме; электронно-циклотронный│ │ │ │

│ │резонанс в плазме; элементы│ │ │ │

│ │спектральной диагностики│ │ │ │

│ │плазмы: относительная│ │ │ │

│ │интенсивность линий, уширение│ │ │ │

│ │линий, эффекты Доплера и│ │ │ │

│ │Штарка; спектроскопия│ │ │ │

│ │термически неравновесной│ │ │ │

│ │плазмы; интерферометрические│ │ │ │

│ │методы, методы, основанные на│ │ │ │

│ │рассеянии электромагнитных волн│ │ │ │

│ │в плазме; анизотропия│ │ │ │

│ │проводимости плазмы, скин-│ │ │ │

│ │эффект; │ │ │ │

│ │ понятие системного подхода к│ │ │ │

│ │проектированию элементов│ │ │ │

│ │плазменных установок; большие│ │ │ │

│ │системы, модели для│ │ │ │

│ │исследования системы, цели│ │ │ │

│ │исследования; синтез схемы│ │ │ │

│ │плазменной установки,│ │ │ │

│ │функциональная модель, связь│ │ │ │

│ │между ее отдельными элементами;│ │ │ │

│ │траекторные задачи, их│ │ │ │

│ │оптимизация с точки зрения│ │ │ │

│ │максимальной эффективности;│ │ │ │

│ │ресурс системы; системные│ │ │ │

│ │методологические принципы;│ │ │ │

│ │обобщенную схему плазменной│ │ │ │

│ │установки; подход к оптимизации│ │ │ │

│ │конструкции по заданным│ │ │ │

│ │критериям эффективности; │ │ │ │

│ │уметь: │ │ │ │

│ │ понимать диалогический и│ │ │ │

│ │монологический способ речи в│ │ │ │

│ │сфере профессиональной│ │ │ │

│ │коммуникации, произносить│ │ │ │

│ │несложные прагматические тексты│ │ │ │

│ │и тексты по широкому и узкому│ │ │ │

│ │профилю специальности,│ │ │ │

│ │составлять деловые письма; │ │ │ │

│ │ проводить комплексное│ │ │ │

│ │исследование рынка, его│ │ │ │

│ │сегментов, оценивать│ │ │ │

│ │конкурентоспособность │ │ │ │

│ │продукции, методы│ │ │ │

│ │ценообразования, понимать│ │ │ │

│ │процессы формирования товарной│ │ │ │

│ │политики и рыночной стратегии,│ │ │ │

│ │проводить анализ рынка сбыта,│ │ │ │

│ │прогнозировать и планировать│ │ │ │

│ │объем продаж и производства│ │ │ │

│ │продукции; │ │ │ │

│ │ анализировать процессы│ │ │ │

│ │течения плазмы в скрещенных│ │ │ │

│ │электромагнитных полях в│ │ │ │

│ │ускорительном и генераторном│ │ │ │

│ │режимах, определять│ │ │ │

│ │интегральные характеристики│ │ │ │

│ │плазмы и электрического│ │ │ │

│ │разряда; рассчитывать параметры│ │ │ │

│ │плазмы твердого тела, параметры│ │ │ │

│ │эмиссионной электроники,│ │ │ │

│ │термоэлектронной, │ │ │ │

│ │автоэлектронной и│ │ │ │

│ │фотоэлектронной эмиссии;│ │ │ │

│ │применять теорию интенсивных│ │ │ │

│ │ионных течений, закон Чайлда-│ │ │ │

│ │Ленгмюра, находить первеанс и│ │ │ │

│ │нормированный первеанс пучков,│ │ │ │

│ │анализировать вторичные│ │ │ │

│ │процессы резонансной│ │ │ │

│ │перезарядки в ионно-оптической│ │ │ │

│ │системе; │ │ │ │

│ │ проводить классификацию│ │ │ │

│ │плазменных установок по их│ │ │ │

│ │признакам: назначение│ │ │ │

│ │(траекторная задача), режимы│ │ │ │

│ │работы, тип источника питания,│ │ │ │

│ │рабочие тела, уровень мощности;│ │ │ │

│ │выбирать теоретическую модель│ │ │ │

│ │физических процессов в│ │ │ │

│ │элементах плазменных установок;│ │ │ │

│ │создавать интегрированные и│ │ │ │

│ │оптимальные системы конструкций│ │ │ │

│ │элементов плазменных установок;│ │ │ │

│ │разрабатывать системы│ │ │ │

│ │автоматизации выпуска│ │ │ │

│ │конструкторской документации; │ │ │ │

│ │владеть: │ │ │ │

│ │ официально-деловым научным│ │ │ │

│ │стилем, основными особенностями│ │ │ │

│ │научного стиля, правилами│ │ │ │

│ │речевого этикета; │ │ │ │

│ │ информационной базой│ │ │ │

│ │планирования сбыта и│ │ │ │

│ │производства, показателями│ │ │ │

│ │объема производства, данными о│ │ │ │

│ │производственной мощности│ │ │ │

│ │предприятия, методами│ │ │ │

│ │прогнозирования и планирования│ │ │ │

│ │производства и сбыта продукции;│ │ │ │

│ │ приемами в организации│ │ │ │

│ │деятельности маркетинговой│ │ │ │

│ │службы; │ │ │ │

│ │ методами оптической│ │ │ │

│ │хронографии и систем усиления│ │ │ │

│ │интенсивности плазменного│ │ │ │

│ │излучения: фотоэлектронный│ │ │ │

│ │умножитель и│ │ │ │

│ │электронно-оптический │ │ │ │

│ │преобразователь, диагностикой│ │ │ │

│ │собственного излучения плазмы;│ │ │ │

│ │техникой применения потоков│ │ │ │

│ │плазмы и пучков заряженных│ │ │ │

│ │частиц в современной технике;│ │ │ │

│ │расчетом параметров плазмы,│ │ │ │

│ │магнитного и электрических│ │ │ │

│ │полей в плазменных системах; │ │ │ │

│ │ основными принципами│ │ │ │

│ │системного подхода: принцип│ │ │ │

│ │иерархичности исследования,│ │ │ │

│ │принцип интеграции и принцип│ │ │ │

│ │формализации; общим принципом│ │ │ │

│ │построения системы: принцип│ │ │ │

│ │"первого шага" (т.е. разработка│ │ │ │

│ │обобщенной схемы), принцип│ │ │ │

│ │полноты модели, принцип│ │ │ │

│ │резервирования ресурсов,│ │ │ │

│ │единственности критерия,│ │ │ │

│ │декомпозиции │ │ │ │

│ ├───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │Вариативная часть │ 14 - 18 │ │ │

│ │(знания, умения, навыки│ │ │ │

│ │определяются ООП вуза) │ │ │ │

├───┼───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│М.2│Профессиональный цикл │ 30 - 35 │ │ │

│ ├───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │Базовая (общепрофессиональная)│ 10 - 12 │ │ │

│ │часть │ │ │ │

│ ├───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │В результате изучения базовой│ │Автоматизиро- │ПК-1 - 7, │

│ │части цикла обучающийся должен:│ │ванное │ПК-9, │

│ │знать: │ │проектирование │ПК-11 - │

│ │ основные понятия│ │плазменных │ПК-18 │

│ │системотехники, принципы│ │установок, │ │

│ │блочно-иерархического подхода к│ │Управление в │ │

│ │проектированию; уровни│ │плазменных │ │

│ │проектирования, основные│ │установках, │ │

│ │параметры элементов плазменных│ │Основы высоких │ │

│ │и энергетических установок,│ │технологий в │ │

│ │параметры входные, выходные,│ │плазменной │ │

│ │внутренние; стадии и этапы│ │технике │ │

│ │машинного проектирования;│ │ │ │

│ │техническое обеспечение│ │ │ │

│ │автоматизированных систем;│ │ │ │

│ │требования к математическим│ │ │ │

│ │моделям; эквивалентные схемы│ │ │ │

│ │механических и электрических│ │ │ │

│ │объектов плазменных установок;│ │ │ │

│ │структура универсальных│ │ │ │

│ │программ; параметрическая│ │ │ │

│ │оптимизация в машинном│ │ │ │

│ │проектировании; понятие о│ │ │ │

│ │технологиях информационной│ │ │ │

│ │поддержки процессов жизненного│ │ │ │

│ │цикла изделий; │ │ │ │

│ │ основные принципы и задачи│ │ │ │

│ │управления в плазменных│ │ │ │

│ │установках; управляемые│ │ │ │

│ │параметры и регулирующие│ │ │ │

│ │факторы, требования к ним;│ │ │ │

│ │статистические и динамические│ │ │ │

│ │характеристики систем│ │ │ │

│ │управления; классификация│ │ │ │

│ │систем управления,│ │ │ │

│ │математическое описание│ │ │ │

│ │процессов управления в линейных│ │ │ │

│ │системах, методы исследования│ │ │ │

│ │устойчивости и качества│ │ │ │

│ │линейных систем; определение│ │ │ │

│ │статических и динамических│ │ │ │

│ │характеристик основных│ │ │ │

│ │агрегатов плазменных установок;│ │ │ │

│ │выбор элементов и структуры│ │ │ │

│ │регуляторов для управления│ │ │ │

│ │основными параметрами│ │ │ │

│ │плазменной установки; │ │ │ │

│ │ состояние и перспективы│ │ │ │

│ │развития нанотехнологий; │ │ │ │

│ │свойства наноструктур;│ │ │ │

│ │получение и синтез наноструктур│ │ │ │

│ │(получение фуллеренов,│ │ │ │

│ │углеродных нанотрубок,│ │ │ │

│ │одномерных и многомерных│ │ │ │

│ │наноструктур); синтез, сборка и│ │ │ │

│ │обработка наноструктур;│ │ │ │

│ │консолидированные │ │ │ │

│ │наноструктуры; │ │ │ │

│ │уметь: │ │ │ │

│ │ составить техническое задание│ │ │ │

│ │методом системного анализа и│ │ │ │

│ │пространственно-временной │ │ │ │

│ │оптимизации параметров│ │ │ │

│ │элементов плазменной системы;│ │ │ │

│ │владеть основными методами и│ │ │ │

│ │алгоритмами вычислительной│ │ │ │

│ │техники; проводить│ │ │ │

│ │алгебраизацию и линеаризацию│ │ │ │

│ │математических моделей,│ │ │ │

│ │закладываемых в программный│ │ │ │

│ │продукт машинного│ │ │ │

│ │проектирования; составлять│ │ │ │

│ │программные системы│ │ │ │

│ │компьютерного инжиниринга;│ │ │ │

│ │владеть основными пакетами│ │ │ │

│ │стандартных программ,│ │ │ │

│ │применяемых при машинном│ │ │ │

│ │проектировании; │ │ │ │

│ │ анализировать типовые│ │ │ │

│ │замкнутые системы│ │ │ │

│ │автоматического регулирования,│ │ │ │

│ │обосновывать выбор и структуру│ │ │ │

│ │агрегатов автоматики для│ │ │ │

│ │поддержания рабочих параметров│ │ │ │

│ │в плазменных объектах;│ │ │ │

│ │обеспечивать процесс│ │ │ │

│ │функционирования агрегатов│ │ │ │

│ │плазменной установки на этапах:│ │ │ │

│ │запуска, стабилизации режима,│ │ │ │

│ │изменения режима по заданной│ │ │ │

│ │программе и останова; │ │ │ │

│ │ анализировать достижения в│ │ │ │

│ │нанотехнологиях; описывать│ │ │ │

│ │технические проблемы│ │ │ │

│ │моделирования наноматериалов,│ │ │ │

│ │электронных устройств,│ │ │ │

│ │молекулярной динамики,│ │ │ │

│ │квантовых областей в кремниевых│ │ │ │

│ │наноструктурах; применять│ │ │ │

│ │современные средства│ │ │ │

│ │диагностики для измерения│ │ │ │

│ │температуры, магнитных│ │ │ │

│ │характеристик, для исследования│ │ │ │

│ │электронной структуры,│ │ │ │

│ │оптических свойств; │ │ │ │

│ │владеть: │ │ │ │

│ │ методами подготовки│ │ │ │

│ │информации, необходимой для│ │ │ │

│ │работы со стандартными пакетами│ │ │ │

│ │программ; подходами к│ │ │ │

│ │формированию маршрутов│ │ │ │

│ │проектирования элементов│ │ │ │

│ │плазменных систем; методами│ │ │ │

│ │компьютерной графики и│ │ │ │

│ │геометрического моделирования;│ │ │ │

│ │подходом к разработке│ │ │ │

│ │математических моделей│ │ │ │

│ │физических процессов плазменных│ │ │ │

│ │систем, методам их исследования│ │ │ │

│ │и проведения сравнительного│ │ │ │

│ │анализа полученных результатов;│ │ │ │

│ │ фундаментальными принципами│ │ │ │

│ │управления: управление по│ │ │ │

│ │возмущению и управление по│ │ │ │

│ │отклонению; понятием о синтезе│ │ │ │

│ │системы управления,│ │ │ │

│ │устойчивости этой системы;│ │ │ │

│ │техникой работы с приборами,│ │ │ │

│ │измеряющими и контролирующими│ │ │ │

│ │физические параметры рабочих│ │ │ │

│ │процессов в плазменных│ │ │ │

│ │установках; микропроцессорной│ │ │ │

│ │техникой; │ │ │ │

│ │ подходом к микроэлектронной│ │ │ │

│ │технологии (фотолитография,│ │ │ │

│ │рентгеновская литография и│ │ │ │

│ │литография с использованием│ │ │ │

│ │электронных пучков); методами│ │ │ │

│ │изучения кинетики и│ │ │ │

│ │термодинамики фазовых переходов│ │ │ │

│ │в наноструктурных системах;│ │ │ │

│ │современными экспериментальными│ │ │ │

│ │методиками; научными основами│ │ │ │

│ │молекулярной электроники │ │ │ │

│ ├───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │Вариативная часть (знания,│ 25 - 27 │ │ │

│ │умения, навыки определяются ООП│ │ │ │

│ │вуза) │ │ │ │

├───┼───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│М.3│Практики и научно-│ 45 - 50 │ │ПК-1 - 3, │

│ │исследовательская работа │ │ │ПК-7, │

│ │(практические умения и навыки│ │ │ПК-8, │

│ │определяются ООП вуза) │ │ │ПК-12, │

│ │ │ │ │ПК-19 - 22 │

├───┼───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│М.4│Итоговая государственная│ 15 │ │ОК-3, │

│ │аттестация │ │ │ОК-7, │

│ │ │ │ │ОК-9, │

│ │ │ │ │ПК-1 - 21 │

├───┼───────────────────────────────┼─────────┼───────────────┼───────────┤

│ │Общая трудоемкость основной│ 120 │ │ │

│ │образовательной программы │ │ │ │

└───┴───────────────────────────────┴─────────┴───────────────┴───────────┘