Категория 3. Электроника

3.1. Системы, оборудование и компоненты

Примечания. 1. Контрольный статус

оборудования и компонентов, указанных в

пункте 3.1, других, нежели те, которые

указаны в пунктах 3.1.1.1.3 -

3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12,

которые специально разработаны или

имеют те же самые функциональные

характеристики, как и другое

оборудование, определяется по

контрольному статусу другого

оборудования

2. Контрольный статус интегральных

схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -

3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12,

программы которых не могут быть

изменены, или разработанных для

выполнения конкретных функций для

другого оборудования, определяется по

контрольному статусу другого

оборудования

Особое примечание. В тех случаях,

когда изготовитель или заявитель не

может определить контрольный статус

другого оборудования, этот статус

определяется контрольным статусом

интегральных схем, указанных в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте

3.1.1.1.12; если интегральная схема

является кремниевой микросхемой

микроЭВМ или микросхемой

микроконтроллера, указанных в пункте

3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда

8 бит или менее, то ее контрольный

статус должен определяться в

соответствии с пунктом 3.1.1.1.3

3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:

3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные

микросхемы общего назначения:

Примечания. 1. Контрольный статус

готовых пластин или полуфабрикатов для

их изготовления, на которых

воспроизведена конкретная функция,

оценивается по параметрам, указанным в

пункте 3.1.1.1

2. Понятие "интегральные схемы"

включает следующие типы:

твердотельные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные схемы;

пленочные интегральные схемы, включая

интегральные схемы типа "кремний на

сапфире";

оптические интегральные схемы

3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542

или определяемые как радиационно

стойкие, выдерживающие любое из

следующих воздействий:

а) общую дозу 5 х 10E3 Гр (кремний)

[5 х 10E5 рад (кремний)] или выше; или

б) предел мощности дозы 5 х 10E6 Гр/с

(кремний) [5 х 10E8 рад (кремний)]/с

или выше;

(п. 3.1.1.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)

3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542

микрокомпьютерные микросхемы,

микросхемы микроконтроллеров,

интегральные схемы памяти,

изготовленные на полупроводниковых

соединениях, аналого - цифровые

преобразователи, цифроаналоговые

преобразователи, электронно -

оптические или оптические интегральные

схемы для обработки сигналов,

программируемые пользователем

логические устройства, интегральные

схемы для нейронных сетей, заказные

интегральные схемы, у которых функция

неизвестна либо производителю не

известно, распространяется ли

контрольный статус на аппаратуру, в

которой будут использоваться данные

интегральные схемы, процессоры быстрого

преобразования Фурье, интегральные

схемы электрически программируемых

постоянных запоминающих устройств

(ЭППЗУ), программируемые с

ультрафиолетовым стиранием, и

статических запоминающих устройств с

произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие

любую из следующих характеристик:

(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

а) работоспособные при температуре

окружающей среды выше 398 К (+125 град.

C);

б) работоспособные при температуре

окружающей среды ниже 218 К (-55 град.

C); или

в) работоспособные за пределами

диапазона температур окружающей среды

от 218 К (-55 град. C) до 398 К

(+125 град. C)

Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не

распространяется на интегральные схемы,

применяемые для гражданских автомобилей

и железнодорожных поездов;

(п. 3.1.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)

3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,

микрокомпьютерные микросхемы и

микросхемы микроконтроллеров, имеющие

любую из следующих характеристик:

Примечание. Пункт 3.1.1.1.3

включает процессоры цифровых сигналов,

цифровые матричные процессоры и

цифровые сопроцессоры

3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 854211870

производительность (СТП) 6500 млн.

теоретических операций в секунду

(Мтопс) или более и арифметико -

логическое устройство с длиной выборки

32 бита или более;

(в ред. Указов Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, от 28.09.2001

N 1156)

3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542

соединениях и работающие на тактовой

частоте, превышающей 40 МГц; или

3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, 854211760

или порт последовательной связи,

которые обеспечивают прямое внешнее

межсоединение между параллельными

микросхемами микропроцессоров со

скоростью передачи, превышающей 150

Мбит/с

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 854211550;

изготовленные на полупроводниковых 854211720;

соединениях; 854211760

3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого - 854211830 -

цифровых и цифро - аналоговых 854211870;

преобразователей, такие, как: 854211990;

а) аналого - цифровые преобразователи, 854220100;

имеющие любую из следующих 854220900

характеристик:

1) разрешающую способность 8 бит или

более, но меньше 12 бит с общим

временем преобразования менее 5 нс;

(в ред. Указов Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, от 28.09.2001

N 1156)

2) разрешающую способность 12 бит с

общим временем преобразования менее 200

нс; или

(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

3) разрешающую способность более 12 бит

с общим временем преобразования менее 2

мкс;

(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

б) цифро - аналоговые преобразователи с

разрешающей способностью 12 бит и более

и временем выхода на установившийся

режим менее 10 нс;

Технические примечания. 1.

Разрешающая способность n битов

n

соответствует 2 уровням квантования

2. Общее время преобразования является

обратной величиной разрешающей

способности

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 09.08.2000

N 1477)

3.1.1.1.6. Электронно - оптические и оптические 854219

интегральные схемы для обработки

сигналов, имеющие одновременно все

перечисленные составляющие:

а) один внутренний лазерный диод или

более;

б) один внутренний светочувствительный

элемент или более; и

в) оптические волноводы;

3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 854211300

логические устройства, имеющие любую из

следующих характеристик:

(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000

N 1477)

а) эквивалентное количество годных

вентилей более 30000 (в пересчете на

двухвходовые);

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

б) типовое время задержки основного

логического элемента менее 0,4 нс; или

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

в) частоту переключения, превышающую

133 МГц

(пп. "в" введен Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

Примечание. Пункт 3.1.1.1.7

включает:

простые программируемые логические

устройства (ППЛУ);

сложные программируемые логические

устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем

вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем

логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем

межсоединения (ППМС)

(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

Особое примечание. Программируемые

пользователем логические устройства

также известны как программируемые

пользователем вентильные или

программируемые пользователем

логические матрицы

(особое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000

N 1477)

3.1.1.1.8. Исключен;

(п. 3.1.1.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 854219

3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых 854219

функция неизвестна либо производителю

неизвестно, распространяется ли

контрольный статус на аппаратуру, в

которой будут использоваться данные

интегральные схемы, имеющие любую из

следующих характеристик:

а) свыше 1000 выводов;

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

б) типовое время задержки основного

логического элемента менее 0,1 нс; или

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 854211990

отличающиеся от указанных в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,

созданные на основе какого-либо

полупроводникового соединения и имеющие

любую из следующих характеристик:

а) эквивалентное количество годных

вентилей более 3000 (в пересчете на

двухвходовые); или

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

б) частоту переключения, превышающую

1,2 ГГц;

3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 854211810;

Фурье, имеющие расчетное время 854211830

выполнения комплексного N-точечного 854211850;

сложного быстрого преобразования Фурье 854211870

менее (N log2 N)/20480 мс, где N -

число точек

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

а) исключен. - Указ Президента РФ от

28.09.2001 N 1156;

б) исключен. - Указ Президента РФ от

28.09.2001 N 1156;

в) исключен. - Указ Президента РФ от

28.09.2001 N 1156

Техническое примечание. В случае,

когда N равно 1024 точкам, формула в

пункте 3.1.1.1.12 дает результат

времени выполнения 500 мкс

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001

N 1156)

3.1.1.2. Компоненты микроволнового или

миллиметрового диапазона, такие, как:

3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные

лампы и катоды:

Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не

контролируются лампы, разработанные или

спроектированные для работы в любом

диапазоне частот, который удовлетворяет

всем следующим характеристикам:

а) не превышает 31 ГГц; и

б) распределен Международным союзом

электросвязи для обслуживания

радиосвязи, но не для радиоопределения

(примечание в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 854049000

непрерывного действия, такие, как:

а) работающие на частотах, превышающих

31 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со

временем от включения до выхода лампы

на предельную радиочастотную мощность

менее 3 с;

в) лампы с сопряженными резонаторами

или их модификации с относительной

шириной полосы частот более 7% или

пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

г) спиральные лампы или их модификации,

имеющие любую из следующих

характеристик:

1) мгновенную ширину полосы более одной

октавы и произведение средней мощности

(выраженной в кВт) на рабочую частоту

(выраженную в ГГц) более 0,5;

2) мгновенную ширину полосы в одну

октаву или менее и произведение средней

мощности (выраженной в кВт) на рабочую

частоту (выраженную в ГГц) более 1; или

3) годные для применения в космосе;

3.1.1.2.1.2. Лампы - усилители магнетронного типа с 854041000

коэффициентом усиления более 17 дБ;

(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)

3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540990000

разработанные для электронных ламп,

имеющих плотность тока при непрерывной

эмиссии и штатных условиях

функционирования, превышающую 5 А/кв.

см

(п. 3.1.1.2.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 854049000

модули, имеющие все следующее:

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

а) содержащие твердотельные

интегральные схемы, имеющие один или

более чем один элемент активных цепей;

и

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

б) работающие на частотах выше 3 ГГц

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.2

не контролируются схемы или модули для

оборудования, разработанного или

спроектированного для работы в любом

диапазоне частот, который удовлетворяет

всем следующим характеристикам:

а) не превышает 31 ГГц; и

б) распределен Международным союзом

электросвязи для обслуживания

радиосвязи, но не для радиоопределения

2. По пункту 3.1.1.2.2 не

контролируется радиопередающее

спутниковое оборудование, разработанное

или спроектированное для работы в

полосе частот от 40,5 до 42,5 ГГц;

(примечания в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 854049000

предназначенные для работы на частотах,

превышающих 31 ГГц;

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 854049000

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) работающие на частотах свыше

10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину

полосы частот более пол - октавы;

б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;

3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 854049000

настройкой, содержащие более пяти

настраиваемых резонаторов,

обеспечивающих настройку в полосе

частот с соотношением максимальной и

минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin)

менее чем за 10 мкс, имеющие любую из

следующих составляющих:

а) полосовые фильтры, имеющие полосу

пропускания частоты более 0,5% от

резонансной частоты; или

б) заградительные фильтры, имеющие

полосу подавления частоты менее 0,5%

от резонансной частоты;

3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 854049000

работать на частотах, превышающих

31 ГГц;

3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 854049000

разработанные для расширения частотного

диапазона аппаратуры, указанной в

пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6;

3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 854081000

содержащие лампы, контролируемые по

пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие

характеристики:

а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;

б) среднюю плотность выходной мощности,

превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 куб. см

Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не

контролируется аппаратура,

разработанная или спроектированная для

работы в любом диапазоне частот,

распределенном Международным союзом

электросвязи для обслуживания

радиосвязи, но не для радиоопределения

(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 28.09.2001

N 1156)

3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и

специально спроектированные для них

компоненты, такие, как:

3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 854160000

волнах и на акустических волнах в

тонкой подложке (т.е. приборы для

обработки сигналов, использующие

упругие волны в материале), имеющие

любую из следующих характеристик:

а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или

б) несущую частоту более 1 ГГц, но не

превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно

имеющие любую из следующих

характеристик:

1) частотное подавление боковых

лепестков диаграммы направленности

более 55 дБ;

2) произведение максимального времени

задержки (в мкс) на ширину полосы

частот (в МГц) более 100;

3) ширину полосы частот более 250 МГц;

или

4) задержку рассеяния, превышающую

10 мкс; или

в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и

дополнительно имеющие любую из

следующих характеристик:

1) произведение максимального времени

задержки (в мкс) на ширину полосы

частот (в МГц) более 100;

2) задержку рассеяния, превышающую

10 мкс; или

3) частотное подавление боковых

лепестков диаграммы направленности

более 55 дБ и ширину полосы частот,

превышающую 50 МГц;

3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000

(т.е. приборы для обработки сигналов,

использующие упругие волны в

материале), обеспечивающие

непосредственную обработку сигналов на

частотах свыше 1 ГГц;

3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000

сигналов, использующие взаимодействие

между акустическими волнами (объемными

или поверхностными) и световыми

волнами, что позволяет непосредственно

обрабатывать сигналы или изображения,

включая анализ спектра, корреляцию или

свертку

3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 854280000

компоненты, изготовленные из

сверхпроводящих материалов, специально

спроектированные для работы при

температурах ниже критической

температуры хотя бы одной из

сверхпроводящих составляющих, имеющие

хотя бы один из следующих признаков:

а) исключен. - Указ Президента РФ от

09.08.2000 N 1477;

а) токовые переключатели для цифровых

схем, использующие сверхпроводящие

вентили, у которых произведение времени

задержки на вентиль (в секундах) на

рассеяние мощности на вентиль (в

ваттах) ниже 10E-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с

использованием резонансных контуров с

добротностью, превышающей 10000

3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:

3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 850619900

элементах, такие как:

а) первичные элементы и батареи с

плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг и

пригодные по техническим условиям для

работы в диапазоне температур от 243 K

(-30 град. C) и ниже до 343 K

(70 град. C) и выше

Техническое примечание. Плотность

энергии определяется путем умножения

средней мощности в ваттах (произведение

среднего напряжения в вольтах на

средний ток в амперах) на длительность

цикла разряда в часах, при котором

напряжение на разомкнутых клеммах

падает до 75% от номинала, и деления

полученного произведения на общую массу

элемента (или батареи) в кг;

б) подзаряжаемые элементы и батареи с

плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг

после 75 циклов заряда - разряда при

токе разряда, равном С/5 ч (С -

номинальная емкость в ампер - часах),

при работе в диапазоне температур от

253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K

(60 град. C) и выше;

в) батареи, по техническим условиям

годные для применения в космосе, и

радиационно стойкие батареи на

фотоэлектрических элементах с удельной

мощностью свыше 160 Вт/кв. м при

рабочей температуре 301 K (28 град. C)

и вольфрамовом источнике, нагретом до

2800 K (2527 град. C) и создающем

энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м

Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не

контролируются батареи объемом

27 куб. см и меньше (например,

стандартные угольные элементы или

батареи типа R14);

3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 850619900;

850780900

а) накопители с частотой повторения

менее 10 Гц (одноразовые накопители),

имеющие все следующие характеристики:

1) номинальное напряжение 5 кВ или

более;

2) плотность энергии 250 Дж/кг или

более; и

3) общую энергию 25 кДж или более;

б) накопители с частотой повторения

10 Гц и более (многоразовые

накопители), имеющие все следующие

характеристики:

1) номинальное напряжение не менее

5 кВ;

2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;

3) общую энергию не менее 100 Дж; и

4) количество циклов заряда - разряда

не менее 10000;

3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 850519900

соленоиды, специально спроектированные

на полный заряд или разряд менее чем за

одну секунду, имеющие все

нижеперечисленные характеристики:

а) энергию, выделяемую при разряде,

превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токопроводящих

обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию свыше

8 Т или суммарную плотность тока в

обмотке больше 300 А/кв. мм

Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не

контролируются сверхпроводящие

электромагниты или соленоиды,

специально спроектированные для

медицинской аппаратуры

магниторезонансной томографии

3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного 903180310

углового положения вала в код, имеющие

любую из следующих характеристик:

а) разрешение лучше 1/265000 от полного

диапазона (18 бит); или

б) точность лучше +/- 2,5 угл. с

3.1.2. Нижеперечисленная электронная

аппаратура общего назначения:

3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально

разработанная измерительная магнитная

лента для нее, такие, как:

3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900

аналоговой аппаратуры, включая

аппаратуру с возможностью записи

цифровых сигналов (например,

использующие модуль цифровой записи

высокой плотности), имеющие любую из

следующих характеристик:

а) полосу частот, превышающую 4 МГц на

электронный канал или дорожку;

б) полосу частот, превышающую 2 МГц на

электронный канал или дорожку, при

числе дорожек более 42; или

в) ошибку рассогласования (основную)

временной шкалы, измеренную по

методикам соответствующих руководящих

материалов Межведомственного совета по

радиопромышленности (IRIG) или

Ассоциации электронной промышленности

(EIA), менее +/- 0,1 мкс

Примечание. Аналоговые

видеомагнитофоны, специально

разработанные для гражданского

применения, не рассматриваются как

записывающая аппаратура;

3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;

максимальную пропускную способность 852190000

цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не

контролируются цифровые

видеомагнитофоны, специально

спроектированные для телевизионной

записи, использующие формат сигнала,

который может включать сжатие формата

сигнала, стандартизированный или

рекомендуемый для применения в

гражданском телевидении Международным

союзом электросвязи, Международной

электротехнической комиссией,

Организацией инженеров по развитию кино

и телевидения, Европейским союзом

радиовещания или Институтом инженеров

по электротехнике и радиоэлектронике;

(примечание в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110

цифровой аппаратуры, использующие

принципы спирального сканирования или

принципы фиксированной головки и

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) максимальную пропускную способность

цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;

или

б) годные для применения в космосе

Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не

контролируются аналоговые накопители на

магнитной ленте, оснащенные

электронными блоками для преобразования

в цифровую запись высокой плотности и

предназначенные для записи только

цифровых данных;

3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000

способностью цифрового интерфейса свыше

175 Мбит/с, спроектированная в целях

переделки цифровых видеомагнитофонов

для использования их как устройств

записи данных цифровой аппаратуры;

3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 854380900

цифровую форму и записи переходных

процессов, имеющие все следующие

характеристики:

а) скорость преобразования в цифровую

форму не менее 200 млн. проб в секунду

и разрешение 10 или более проб в

секунду; и

б) пропускную способность не менее

2 Гбит/с

Техническое примечание. Для таких

приборов с архитектурой на параллельной

шине пропускная способность есть

произведение наибольшего объема слов на

количество бит в слове. Пропускная

способность - это наивысшая скорость

передачи данных аппаратуры, с которой

информация поступает в запоминающее

устройство без потерь при сохранении

скорости выборки и аналого - цифрового

преобразования

3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 854380900

частоты, имеющие время переключения с

одной заданной частоты на другую менее

1 мс;

3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 854380900

а) способные анализировать частоты,

превышающие 31 ГГц;

б) динамические анализаторы сигналов с

полосой пропускания в реальном времени,

превышающей 500 кГц

(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

Примечание. По подпункту "б" пункта

3.1.2.3 не контролируются динамические

анализаторы сигналов, использующие

только фильтры с полосой пропускания

фиксированных долей (известны также как

октавные или дробно - октавные фильтры)

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Техническое примечание исключено. -

Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447

3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 854320000

частот, формирующие выходные частоты с

управлением по параметрам точности,

кратковременной и долговременной

стабильности на основе или с помощью

внутренней эталонной частоты, имеющие

любую из следующих характеристик:

а) максимальную синтезируемую частоту

более 31 ГГц;

б) время переключения с одной заданной

частоты на другую менее 1 мс; или

в) фазовый шум одной боковой полосы

лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в

единицах дБ x с/Гц, где F - смещение

рабочей частоты в Гц, а f - рабочая

частота в МГц

Примечание. По пункту 3.1.2.4 не

контролируется аппаратура, в которой

выходная частота создается либо путем

сложения или вычитания частот с двух

или более кварцевых генераторов, либо

путем сложения или вычитания с

последующим умножением результирующей

частоты;

3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 854380900

рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;

3.1.2.6. Микроволновые приемники - тестеры, 852790990

имеющие все следующие характеристики:

а) максимальную рабочую частоту,

превышающую 40 ГГц; и

б) способные одновременно измерять

амплитуду и фазу;

3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 854320000

из следующих характеристик:

а) долговременную стабильность

(старение) менее (лучше) 10E-11 в

месяц; или

б) годные для применения в космосе

Примечание. По подпункту "а" пункта

3.1.2.7 не контролируются рубидиевые

стандарты, не предназначенные для

космического применения

3.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование

3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для

производства полупроводниковых приборов

или материалов и специально

разработанные компоненты и оснастка для

них:

3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной

программой, предназначенные для

эпитаксиального выращивания, такие,

как:

3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 841989900

толщину слоя с отклонением не более

+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;

3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 841989900

металлорганических соединений,

специально разработанные для

выращивания кристаллов сложных

полупроводников с помощью химических

реакций между материалами, которые

контролируются по пункту 3.3.3 или

3.3.4;

3.2.1.1.3. Молекулярно - лучевые установки 841780100

эпитаксиального выращивания,

использующие газовые или твердые

источники

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 845610000

программой, специально предназначенные

для ионной имплантации, имеющие любую

из следующих характеристик:

а) энергию излучения (ускоряющее

напряжение) свыше 1 МэВ;

(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

б) специально спроектированные и

оптимизированные для работы с энергией

излучения (ускоряющим напряжением) ниже

2 кэВ;

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

в) обладающие способностью

непосредственной записи; или

г) пригодные для высокоэнергетической

имплантации кислорода в нагретую

подложку полупроводникового материала;

3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной 845690000

плазмой, управляемые встроенной

программой:

а) с покассетной обработкой пластин и

загрузкой через загрузочные шлюзы,

имеющие любую из следующих

характеристик:

1) разработанные или оптимизированные

для производства структур с критической

величиной отклонения размера 0,3 мкм

или менее при среднеквадратичной

погрешности 3сигма = +/- 5%; или

(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

2) разработанные для обеспечения

дефектности поверхности менее 0,04

частицы на кв. см для частиц размером

более 0,1 мкм в диаметре;

(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

б) специально спроектированные для

оборудования, контролируемого по пункту

3.2.1.5, и имеющие любую из следующих

характеристик:

1) разработанные или оптимизированные

для производства структур с критической

величиной отклонения размера 0,3 мкм

или менее при среднеквадратичной

погрешности 3сигма = +/- 5%; или

(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

2) разработанные для обеспечения

дефектности поверхности менее 0,04

частицы на кв. см для частиц размером

более 0,1 мкм в диаметре;

(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

3.2.1.4. Установки химического парофазового 845690000

осаждения и плазменной стимуляции,

управляемые встроенной программой:

а) с покассетной обработкой пластин и

загрузкой через загрузочные шлюзы,

имеющие любую из следующих

характеристик:

1) разработанные в соответствии с

техническими условиями производителя

или оптимизированные для производства

структур с критической величиной

отклонения размера 0,3 мкм или менее

при среднеквадратичной погрешности

3сигма = +/- 5%; или

(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

2) разработанные для обеспечения

дефектности поверхности менее 0,04

частицы на кв. см для частиц размером

более 0,1 мкм в диаметре;

(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

б) специально спроектированные для

оборудования, контролируемого по пункту

3.2.1.5, имеющие любую из следующих

характеристик:

1) разработанные в соответствии с

техническими условиями производителя

или оптимизированные для производства

структур с критической величиной

отклонения размера 0,3 мкм или менее

при среднеквадратичной погрешности

3сигма = +/- 5%; или

(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

2) разработанные для обеспечения

дефектности поверхности менее 0,04

частицы на кв. см для частиц размером

более 0,1 мкм в диаметре;

(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)

3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610000;

автоматически загружаемые многокамерные 845690000

системы с центральной загрузкой

пластин, имеющие все следующие

составляющие:

а) интерфейсы для загрузки и выгрузки

пластин, к которым присоединяется более

двух единиц оборудования для обработки

полупроводников; и

б) предназначенные для интегрированной

системы последовательной

многопозиционной обработки пластин в

вакуумной среде

Примечание. По пункту 3.2.1.5 не

контролируются автоматические

робототехнические системы загрузки

пластин, не предназначенные для работы

в вакууме

3.2.1.6. Установки литографии, управляемые

встроенной программой, такие, как:

3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 900922900

экспонирования (прямого

последовательного шагового

экспонирования) или шагового

сканирования (сканеры) для обработки

пластин методом фотооптической или

рентгеновской литографии, имеющие любую

из следующих составляющих:

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

а) источник света с длиной волны короче

350 нм; или

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

б) способность воспроизводить рисунок с

минимальным размером разрешения от

0,5 мкм и менее

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Техническое примечание. Минимальный

размер разрешения (МРР) рассчитывается

по следующей формуле:

(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)

(экспозиция источника освещения с

длиной волны в мкм) x (К фактор)

МРР = ---------------------------------

цифровая апертура

где К фактор = 0,7;

3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные 845610000

для производства шаблонов или обработки

полупроводниковых приборов с

использованием отклоняемого

фокусируемого электронного луча, пучка

ионов или лазерного луча, имеющие любую

из следующих характеристик:

а) размер пятна менее 0,2 мкм;

б) способность производить рисунок с

минимальными разрешенными проектными

нормами менее 1 мкм; или

в) точность совмещения лучше

+/- 0,20 мкм (3 сигма)

3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,

разработанные для интегральных схем,

контролируемых по пункту 3.1.1;

3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090000

слоем

3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая

встроенной программой, специально

спроектированная для испытания готовых

или находящихся в разной степени

изготовления полупроводниковых

приборов, и специально спроектированные

компоненты и приспособления для нее:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров 903180390