ИЗМЕНЕНИЯ,

КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ

"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

НА 2008 - 2015 ГОДЫ

"Государственные - Министерство промышленности и торговли

заказчики Программы Российской Федерации,

Федеральное космическое агентство,

Министерство образования и науки

Российской Федерации,

Федеральная служба по техническому и

экспортному контролю, Государственная

корпорация по атомной энергии "Росатом";

─────────────────────────────────┬─────────────┬──────────┬──────────┬─────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬───────────

│ Единица │ 2007 год │ 2008 год │2009 год │ 2010 год │ 2011 год │ 2012 год │ 2013 год │ 2014 год │ 2015 год

│ измерения │ │ │ │ │ │ │ │ │

─────────────────────────────────┴─────────────┴──────────┴──────────┴─────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴───────────

Индикатор

Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045

уровень электроники

Показатели

Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300

изделий электронной и

радиоэлектронной техники

Количество разработанных - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 210 230 250 260 - 270

базовых технологий в области

электронной компонентной базы и

радиоэлектроники (нарастающим

итогом)

Количество объектов - 1 8 10 14 30 30 31 31 42

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Минпромторга

России (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - 1 1 1 4 4

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Росатома,

производящих продукцию

в интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - 1 3 3 10

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Роскосмоса,

производящих продукцию в

интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - 1 1 2 2 3 5 5 7

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Минобрнауки России,

производящих продукцию в

интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - 1 5 8 18 21 25 25 96

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Минпромторга России

(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - 1 1 1 1

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

ФСТЭК России

(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - - 1 1 9

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Росатома, производящих

продукцию в интересах

радиоэлектронного комплекса

(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - - 1 1 8

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Роскосмоса, производящих

продукцию в интересах

радиоэлектронного комплекса

(нарастающим итогом)

Количество завершенных - 1 3 9 9 - 10 10 - 12 12 - 14 14 - 16 16 - 18 20 - 22

поисковых технологических

научно-исследовательских работ

(нарастающим итогом)

Количество реализованных - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 41 - 45 45 - 50 50 - 55 55 - 60

мероприятий по созданию

электронной компонентной базы,

соответствующей мировому уровню

(типов, классов новой

электронной компонентной базы)

(нарастающим итогом)

Количество создаваемых - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 4100 - 4400 - 4700 - 5000 -

рабочих мест (нарастающим 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000

итогом)

──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────

────────────────────────────────┬──────────┬──────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────

Мероприятия │ 2008 - │ В том числе │ Ожидаемые результаты

│2015 годы ├────────┬──────────┬─────────┬─────────┬────────┬───────┬─────────┬───────┤

│ - всего │ 2008 │ 2009 │ 2010 │ 2011 │ 2012 │ 2013 │ 2014 │ 2015 │

│ │ год │ год │ год │ год │ год │ год │ год │ год │

────────────────────────────────┴──────────┴────────┴──────────┴─────────┴─────────┴────────┴───────┴─────────┴───────┴──────────────────────────────

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой технологии

производства мощных ------- -- ------ производства мощных

сверхвысокочастотных 84 44 40 сверхвысокочастотных

транзисторов на основе транзисторов на основе

гетероструктур гетероструктур материалов

материалов группы A B группы A B для бортовой и

3 5 3 5

наземной аппаратуры (2009

год), разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

2. Разработка базовой 208,25 30,5 39,5 53,25 31,8 53,2 создание базовой технологии

технологии производства ------ ---- ---- ----- ---- ---- производства монолитных

монолитных 137,7 20 26 35,5 21,2 35 сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-

микросхем и объемных передающих

приемо-передающих сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на

субмодулей X-диапазона основе гетероструктур

материалов группы A B для

3 5

бортовой и наземной

аппаратуры радиолокации,

средств связи (2013 год),

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

3. Разработка базовой 212,75 141,75 71 создание технологии

технологии производства ------- ------ -- производства мощных

мощных 134,75 87,75 47 транзисторов

сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного

полупроводниковых диапазона на основе

приборов на основе нитридных

нитридных гетеро- гетероэпитаксиальных

эпитаксиальных структур структур для техники связи,

радиолокации (2009 год)

4. Разработка базовой 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии

технологии и библиотеки --- -- ---- ---- --- --- производства на основе

элементов для 375 17 65 109 80 104 нитридных

проектирования и гетероэпитаксиальных

производства монолитных структур мощных

интегральных схем сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотного монолитных интегральных схем

диапазона на основе с рабочими частотами до 20

нитридных ГГц для техники связи,

гетероэпитаксиальных радиолокации (2013 год),

структур разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

5. Разработка базовой 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии

технологии производства ------- ----- ---- производства компонентов для

сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 сверхвысокочастотных

компонентов и интегральных схем диапазона

сложнофункциональных 2 - 12 ГГц с высокой

блоков для степенью интеграции для

сверхвысокочастотных аппаратуры радиолокации и

интегральных схем связи бортового и наземного

высокой степени применения, а также бытовой

интеграции на основе и автомобильной электроники

гетероструктур "кремний (2009 год), разработка

- германий" комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

6. Разработка базовой 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии

технологии производства ------ --- ---- ----- производства

сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных

интегральных схем интегральных схем диапазона

высокой степени 2 - 12 ГГц с высокой

интеграции на основе степенью интеграции для

гетероструктур аппаратуры радиолокации и

"кремний - германий" связи бортового и наземного

применения, а также бытовой

и автомобильной электроники

(2011 год), разработка

комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

7. Разработка аттестованных 448,408 253 195,408 разработка аттестованных

библиотек ------ --- ------- библиотек

сложнофункциональных 308,75 169 139,75 сложнофункциональных блоков

блоков для для проектирования широкого

проектирования спектра сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных и интегральных схем на SiGe с

радиочастотных рабочими частотами до 150

интегральных ГГц, разработка комплектов

схем на основе документации в стандартах

гетероструктур "кремний единой системы

- германий" конструкторской,

технологической и

производственной

документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

8. Разработка базовых 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий

технологий ------ -- ----- ----- ---- ---- проектирования на основе

проектирования кремний- 142 30 52 39,3 11,3 9,4 библиотеки

германиевых сложнофункциональных блоков

сверхвысокочастотных и широкого спектра

радиочастотных сверхвысокочастотных

интегральных схем на интегральных схем на SiGe с

основе аттестованной рабочими частотами до 150

библиотеки ГГц (2013 год), разработка

сложнофункциональных комплектов документации в

блоков стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

9. Разработка базовых 114,9 60 54,9 создание базовых технологий

технологий производства ----- -- ---- производства элементной базы

элементной базы для ряда 74 40 34 для высокоплотных источников

силовых герметичных вторичного электропитания

модулей высокоплотных сверхвысокочастотных

источников вторичного приборов и узлов аппаратуры

электропитания вакуумных (2009 год), разработка

и твердотельных комплектов документации в

сверхвысокочастотных стандартах единой системы

приборов и узлов конструкторской,

аппаратуры технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

10. Разработка базовых 126,913 79,513 47,4 создание базовых конструкций

технологий производства ------- ------ ---- и технологии производства

ряда силовых герметичных 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных,

модулей высокоплотных высокоплотных источников

источников вторичного вторичного электропитания

электропитания вакуумных сверхвысокочастотных

и твердотельных приборов и узлов аппаратуры

сверхвысокочастотных на основе гибридно-пленочной

приборов и узлов технологии с применением

аппаратуры бескорпусной элементной базы

(2011 год), разработка

комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

11. Разработка базовых 226 151,2 74,8 создание технологии

конструкций и технологии --- ----- ---- массового производства ряда

производства корпусов 152 102 50 корпусов мощных

мощных сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой"

транзисторов X- , C-, S-, сборки (2009 год),

L- и P-диапазонов из разработка комплектов

малотоксичных материалов документации в стандартах

с высокой единой системы

теплопроводностью конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

12. Разработка базовых 83,5 13 40,5 30 создание базовых

конструкций ---- -- ---- -- конструктивных рядов

теплоотводящих элементов 55 8 27 20 элементов систем охлаждения

систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов

сверхвысокочастотных наземных, корабельных и

приборов X- и C- воздушно-космических

диапазонов на основе комплексов

новых материалов

13. Разработка базовой 109 64 45 создание технологии

технологии производства --- -- -- массового производства

теплоотводящих элементов 62 32 30 конструктивного ряда

систем охлаждения элементов систем охлаждения

сверхвысокочастотных аппаратуры X- и C-диапазонов

приборов X- и C- наземных, корабельных и

диапазонов на основе воздушно-космических

новых материалов комплексов (2011 год),

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

14. Разработка базовых 13 13 создание технологии

технологий производства -- -- массового производства

суперлинейных кремниевых 8 8 конструктивного ряда

сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных

транзисторов S- и L- транзисторов S- и L-

диапазонов диапазонов для техники

связи, локации и контрольной

аппаратуры (2009 год),

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно-

конструктивно- ----- ----- -- параметрического ряда

параметрического ряда 115,9 69,9 46 сверхвысокочастотных

суперлинейных транзисторов S- и L-

кремниевых диапазонов для техники

сверхвысокочастотных связи, локации и контрольной

транзисторов S- и L- аппаратуры, разработка

диапазонов комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

16. Разработка технологии 32 18 14 разработка метрологической

измерений и базовых -- -- -- аппаратуры нового поколения

конструкций установок 22 12 10 для исследования и контроля

автоматизированного параметров полупроводниковых

измерения параметров структур, активных элементов

нелинейных моделей и сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

полупроводниковых в производстве и при их

структур, мощных использовании

транзисторов и

сверхвысокочастотных

монолитных интегральных

схем X-, C-, S-, L- и P-

диапазонов для их

массового производства

17. Исследование и 149,416 84,916 64,5 создание технологии

разработка базовых ------- ------ ---- унифицированных

технологий для создания 102 59 43 сверхширокополосных приборов

нового поколения мощных среднего и большого уровня

вакуумно-твердотельных мощности сантиметрового

сверхвысокочастотных диапазона длин волн и

приборов и гибридных сверхвысокочастотных

малогабаритных магнитоэлектрических

сверхвысокочастотных приборов для перспективных

модулей с улучшенными радиоэлектронных систем и

массогабаритными аппаратуры связи

характеристиками, космического базирования

магнитоэлектрических (2009 год), разработка

приборов комплектов документации в

сверхвысокочастотного стандартах единой системы

диапазона, в том числе конструкторской,

циркуляторов и технологической и

фазовращателей, производственной

вентилей, документации, ввод в

высокодобротных эксплуатацию

резонаторов, производственной линии

перестраиваемых

фильтров, микроволновых

приборов со спиновым

управлением для

перспективных

радиоэлектронных систем

двойного назначения

18. Разработка базовых 118,45 77,5 40,95 разработка конструктивных

конструкций и технологии ------ ---- ----- рядов и базовых технологий

производства нового 85,3 58 27,3 производства

поколения мощных сверхширокополосных приборов

вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня

сверхвысокочастотных мощности сантиметрового

приборов и гибридных диапазона длин волн и

малогабаритных сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных магнитоэлектрических

модулей с улучшенными приборов для перспективных

массогабаритными радиоэлектронных систем и

характеристиками, аппаратуры связи

магнитоэлектрических космического базирования

приборов (2011 год), разработка

сверхвысокочастотного комплектов документации в

диапазона, в том числе стандартах единой системы

циркуляторов и конструкторской,

фазовращателей, технологической и

вентилей, производственной

высокодобротных документации, ввод в

резонаторов, эксплуатацию

перестраиваемых производственной линии

фильтров, микроволновых

приборов со спиновым

управлением для

перспективных

радиоэлектронных систем

двойного назначения

19. Исследование и 110,5 65,5 45 создание технологических

разработка процессов и ----- ---- -- процессов производства

базовых технологий 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных

нанопленочных сверхвысокочастотных

малогабаритных резисторно-индуктивно-

сверхвысокочастотных емкостных матриц

резисторно-индуктивно- многофункционального

емкостных матриц назначения для печатного

многофункционального монтажа (2008 год), создание

назначения для печатного базовой технологии получения

монтажа и сверхбыстродействующих (до

сверхбыстродействующих 150 ГГц) приборов на

(до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с

наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009

квантовыми дефектами год), разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

20. Разработка базовых 84,5 50 34,5 создание конструктивных

конструкций и технологии ---- -- ---- рядов и базовых технологий

производства 53 30 23 производства нанопленочных

нанопленочных малогабаритных

малогабаритных сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-

резисторно-индуктивно- емкостных матриц

емкостных матриц многофункционального

многофункционального назначения для печатного

назначения для печатного монтажа (2011 год),

монтажа разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

21. Разработка базовой 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии

технологии ------- ------ ------ производства элементов и

сверхвысокочастотных 88 42 46 специальных элементов и

p-i-n диодов, матриц, блоков портативной

узлов управления и аппаратуры миллиметрового

портативных фазированных диапазона длин волн для

блоков аппаратуры нового поколения средств

миллиметрового диапазона связи, радиолокационных

длин волн на основе станций, радионавигации,

магнитоэлектронных измерительной техники,

твердотельных и автомобильных радаров,

высокоскоростных охранных и сигнальных

цифровых приборов и устройств (2009 год),

устройств с функциями разработка комплектов

адаптации и цифрового документации в стандартах

диаграммообразования единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной линии

22. Разработка базовых 2342,933 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 218,35 236 создание конструктивных

технологий создания -------- --- ------ ------- ------ --- ----- ------ --- рядов и базовых технологий

мощных вакуумных 1540,66 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 145,88 156 проектирования и

сверхвысокочастотных производства мощных и

устройств сверхмощных вакуумных

сверхвысокочастотных

приборов для аппаратуры

широкого назначения нового

поколения (2009 год, 2011

год), включая разработку:

конструкций многолучевых

электронно-оптических

систем, включая

автоэмиссионные катоды

повышенной мощности и

долговечности (2012 год);

мощных широкополосных ламп

бегущей волны импульсного и

непрерывного действия,

магнетронов, тетродов

миллиметрового диапазона

(2013 год);

малогабаритных ускорителей

электронов с энергией до 10

МЭВ для терапевтических и

технических приложений (2014

год)

23. Разработка базовых 1661,182 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 118 112 143 создание базовых конструкций

технологий создания -------- ------- ------- ------- ------ ------ ----- --- --- и технологий изготовления

мощных твердотельных 1096,4 103 166,5 192,4 195,7 189,9 78,9 75 95 сверхвысокочастотных мощных

сверхвысокочастотных приборов на структурах с

устройств на базе использованием нитрида

нитрида галлия галлия (2008 год, 2010 год),

включая:

создание гетеропереходных

полевых транзисторов с

диодом Шоттки с удельной

мощностью до 30 - 40 Вт/мм и

рабочими напряжениями до

100 В;

исследования и разработку

технологий получения

гетероструктур на основе

слоев нитрида галлия на

изоляторе и высокоомных

подложках (2013 год);

разработка технологии

получения интегральных схем,

работающих в экстремальных

условиях (2015 год)

24. Исследование 1085,2 160,2 99,5 300 308 217,5 исследование технологических

перспективных типов ------ ----- ----- ----- --- ----- принципов формирования

сверхвысокочастотных 724,12 106,8 67,02 200,3 205 145 перспективных

приборов и структур, сверхвысокочастотных

разработка приборов и структур, включая

технологических создание наногетероструктур,

принципов их использование

изготовления комбинированных (электронных

и оптических методов

передачи и преобразования

сигналов), определение

перспективных методов

формирования приборных

структур, работающих в

частотных диапазонах до

200 ГГц

25. Разработка перспективных 1043,3 49,2 331,7 221,4 255 186 создание полного состава

методов проектирования и ------ ---- ----- ----- --- --- прикладных программ

моделирования 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 проектирования и оптимизации

сложнофункциональной сверхвысокочастотной

сверхвысокочастотной электронной компонентной

электронной компонентной базы, включая проектирование

базы активных приборов,

полосковых линий передачи,

согласующих компонентов,

формируемых в едином

технологическом процессе

Всего по направлению 1 9787,287 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1048,8 893,35 782,5

-------- ------- -------- ------- ------ ------ ------ ------ -----

6468,08 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 700 595,88 520

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26. Разработка базовой 106,65 60 46,65 создание технологии

технологии радиационно ------ -- ----- изготовления микросхем с

стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 размерами элементов 0,5 мкм

интегральных схем уровня на структурах "кремний на

0,5 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм

"кремний на сапфире" (2009 год), разработка

диаметром правил проектирования

150 мм базовых библиотек элементов

и блоков цифровых и

аналоговых сверхбольших

интегральных схем

расширенной номенклатуры для

организации производства

радиационно стойкой

элементной базы,

обеспечивающей выпуск

специальной аппаратуры и

систем, работающих в

экстремальных условиях

(атомная энергетика, космос,

военная техника)

27. Разработка базовой 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии

технологии радиационно ------ ---- ------ ---- ---- изготовления микросхем с

стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов

интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах

0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире"

"кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год),

диаметром разработка правил

150 мм проектирования базовых

библиотек элементов и блоков

цифровых и аналоговых

сверхбольших интегральных

схем, обеспечивающих

создание расширенной

номенклатуры

быстродействующей и

высокоинтегрированной

радиационно стойкой

элементной базы

28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание технологического

проектирования и ------ --- ------- базиса (технология

конструктивно- 164 87 77 проектирования, базовые

технологических решений технологии), позволяющего

библиотеки логических и разрабатывать радиационно

аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие

оперативных запоминающих интегральные схемы на

устройств, постоянных структурах "кремний на

запоминающих устройств, изоляторе" с проектной

сложнофункциональных нормой до 0,25 мкм

радиационно стойких (2009 год)

блоков контроллеров по

технологии "кремний на

изоляторе" с проектными

нормами до 0,25 мкм

29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание технологического

проектирования и ----- ----- ------ ---- ---- базиса (технология

конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 проектирования, базовые

технологических решений технологии), позволяющего

библиотеки логических и разрабатывать радиационно

аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие

оперативных запоминающих интегральные схемы на

устройств, постоянных структурах "кремний на

запоминающих устройств, изоляторе" с проектной

сложнофункциональных нормой до 0,18 мкм

радиационно стойких

блоков контроллеров по

технологии "кремний на

изоляторе" с проектными

нормами до 0,18 мкм

30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание технологического

технологических ------ -- ----- процесса изготовления

процессов изготовления 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных

радиационно стойкой схем энергонезависимой,

элементной базы для радиационно стойкой

сверхбольших сегнетоэлектрической памяти

интегральных схем уровня 0,35 мкм и базовой

энергозависимой технологии создания,

пьезоэлектрической и изготовления и аттестации

магниторезистивной радиационно стойкой

памяти с проектными пассивной электронной

нормами 0,35 мкм и компонентной базы (2009 год)

пассивной радиационно

стойкой элементной базы

31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического

технологических ------ ---- ----- ---- ---- процесса изготовления

процессов изготовления 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных

радиационно стойкой схем энергонезависимой

элементной базы для радиационно стойкой

сверхбольших сегнетоэлектрической памяти

интегральных схем уровня 0,18 мкм (2010 год) и

энергозависимой создания, изготовления и

пьезоэлектрической и аттестации радиационно

магниторезистивной стойкой пассивной

памяти с проектными электронной компонентной

нормами 0,18 мкм и базы (2013 год)

пассивной радиационно

стойкой элементной базы

32. Разработка технологии 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного ряда

"кремний на сапфире" ------- ------ ------ цифровых процессоров,

изготовления ряда 73 38 35 микроконтроллеров,

лицензионно-независимых оперативных запоминающих

радиационно стойких программируемых и

комплементарных полевых перепрограммируемых

полупроводниковых устройств, аналого-цифровых

сверхбольших преобразователей в

интегральных схем радиационно стойком

цифровых процессоров исполнении для создания

обработки сигналов, специальной аппаратуры

микроконтроллеров и схем нового поколения

интерфейса

33. Разработка технологии 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии

структур с ультратонким ------ ----- ------ ---- ---- проектирования и

слоем кремния на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и

сложнофункциональных блоков

на основе ультратонких слоев

на структуре "кремний на

сапфире", позволяющей

разрабатывать радиационно

стойкие сверхбольшие

интегральные схемы с высоким

уровнем радиационной

стойкости (2013 год)

34. Разработка базовой 92,669 51 41,669 разработка конструкции и

технологии и приборно- ------ -- ------ модели интегральных

технологического базиса 73,15 40 33,15 элементов и технологического

производства радиационно маршрута изготовления

стойких сверхбольших радиационно стойких

интегральных схем сверхбольших интегральных

"система на кристалле", схем типа "система на

радиационно стойкой кристалле" с расширенным

силовой электроники для температурным диапазоном,

аппаратуры питания и силовых транзисторов и

управления модулей для бортовых и

промышленных систем

управления с пробивными

напряжениями до 75 В и

рабочими токами коммутации

до 10 А (2009 год)

35. Разработка элементной 74,471 36,2 38,271 создание ряда

базы радиационно стойких ------ ---- ------ микронанотриодов и

интегральных схем на 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с наивысшей

основе полевых радиационной стойкостью для

эмиссионных долговечной аппаратуры

микронанотриодов космического базирования

36. Создание информационной 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса моделей

базы радиационно стойкой ----- ---- ---- ---- ----- расчета радиационной

электронной компонентной 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 стойкости электронной

базы, содержащей модели компонентной базы для

интегральных определения технически

компонентов, обоснованных норм испытаний

функционирующих в

условиях радиационных

воздействий, создание

математических моделей

стойкости электронной

компонентной базы,

создание методик

испытаний и аттестации

электронной компонентной

базы

37. Разработка библиотек 975,5 105 184,5 281,5 209,5 195 создание технологии

стандартных элементов и ----- --- ----- ----- ----- --- проектирования и

сложнофункциональных 650 70 123 187,5 139,5 130 изготовления микросхем и

блоков для создания сложнофункциональных блоков

радиационно стойких на основе ультратонких слоев

сверхбольших на структуре "кремний на

интегральных схем сапфире", позволяющей

разрабатывать радиационно

стойкие сверхбольшие

интегральные схемы с высоким

уровнем радиационной

стойкости (2012 год,

2015 год)

38. Разработка расширенного 978,75 187,5 185 163 242,75 200,5 разработка расширенного ряда

ряда радиационно стойких ------ ----- --- ----- ------ ----- цифровых процессоров,

сверхбольших 650 125 123 108,5 160 133,5 микроконтроллеров,

интегральных схем для оперативных запоминающих

специальной аппаратуры программируемых и

связи, обработки и перепрограммируемых

передачи информации, устройств, аналого-цифровых

систем управления преобразователей в

радиационно стойком

исполнении для создания

специальной аппаратуры

нового поколения, разработка

конструкции и модели

интегральных элементов и

технологического маршрута

изготовления радиационно

стойких сверхбольших

интегральных схем типа

"система на кристалле" с

расширенным температурным

диапазоном, силовых

транзисторов и модулей для

бортовых и промышленных

систем управления с пробивными

напряжениями до 75 В и

рабочими токами коммутации

до 10 А, создание ряда

микронанотриодов и

микронанотриодов с наивысшей

радиационной стойкостью для

долговечной аппаратуры

космического базирования

39. Разработка и 953 75 275 230 196 177 разработка комплекса моделей

совершенствование --- -- --- ----- ----- --- расчета радиационной

методов моделирования и 634 50 183 153,5 130,5 117 стойкости электронной

проектирования компонентной базы для

радиационно стойкой определения технически

элементной базы обоснованных норм испытаний

40. Разработка и 988,15 180 191 177,5 233,65 206 создание технологического

совершенствование ------ --- --- ----- ------ ----- базиса (технология

базовых технологий и 650 120 123 113,5 160 133,5 проектирования, базовые

конструкций радиационно технологии), позволяющего

стойких сверхбольших разрабатывать радиационно

интегральных схем на стойкие сверхбольшие

структурах "кремний на интегральные схемы на

сапфире" и "кремний на структурах "кремний на

изоляторе" с изоляторе" с проектной

топологическими нормами нормой не менее

не менее 0,18 мкм 0,18 мкм (2014 год),

создание технологического

базиса (технология

проектирования, базовые

технологии), позволяющего

разрабатывать радиационно

стойкие сверхбольшие

интегральные схемы на

структурах "кремний на

изоляторе" с проектной

нормой не менее

0,18 мкм (2015 год)

Всего по направлению 2 6204,432 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 1051,9 881,9 778,5

-------- ------- ------- ------- ----- ----- ----- ----- -----

4103,35 292,1 245,95 161,7 819,6 780 700 590 514

Направление 3. Микросистемная техника

41. Разработка базовых 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий

технологий микро- ------- ------- ------ (2009 год) и комплектов

электромеханических 117,9 105,9 12 технологической документации

систем на изготовление

микроэлектромеханических

систем контроля давления,

микроакселерометров с

чувствительностью по двум и

трем осям, микромеханических

датчиков угловых скоростей,

микроактюаторов

42. Разработка базовых 433,712 87,239 73,473 108 82,5 82,5 разработка базовых

конструкций ------- ------ ------ --- ---- ---- конструкций и комплектов

микроэлектромеханических 273,8 42,1 49,7 72 55 55 необходимой конструкторской

систем документации на изготовление

чувствительных элементов и

микросистем контроля

давления,

микроакселерометров,

микромеханических датчиков

угловых скоростей,

микроактюаторов с

напряжением управления,

предназначенных для

использования в транспортных

средствах, оборудовании

топливно-энергетического

комплекса, машиностроении,

медицинской технике,

робототехнике, бытовой

технике

43. Разработка базовых 166,784 122,356 44,428 создание базовых технологий

технологий микроакусто- ------- ------- ------ (2009 год) и комплектов

электромеханических 108,15 78,55 29,6 необходимой технологической

систем документации на изготовление

микроакустоэлектромеханических

систем, основанных на

использовании поверхностных

акустических волн (диапазон

частот до 2 ГГц) и объемно-

акустических волн (диапазон

частот до 8 ГГц),

пьезокерамических элементов,

совместимых с интегральной

технологией микроэлектроники

44. Разработка базовых 244,325 52 103,825 88,5 разработка базовых

конструкций микро- ------- -- ------ ---- конструкций и комплектов

акустоэлектромеханических 147,3 28 60,3 59 необходимой конструкторской

систем документации на изготовление

пассивных датчиков

физических величин

микроакселерометров,

микрогироскопов на

поверхностных акустических

волнах, датчиков давления и