3.1. Системы, оборудование и компоненты

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

3.1.1.

Атомные эталоны частоты, пригодные для применения в космосе

8543 20 000 0

3.1.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 120 Вт (50,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно; или

б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно

3.1.3.

Дискретные сверхвысокочастотные транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно