Категория 3. Электроника

─────────────┬────────────────────────────────────────┬───────────

N │ Наименование │Код товар-

позиции │ │ной номен-

│ │клатуры

│ │внешнеэко-

│ │номической

│ │деятель-

│ │ности

─────────────┼────────────────────────────────────────┼───────────

│ Категория 3. Электроника │

│ │

3.1. │Системы, оборудование и компоненты │

│ Примечания. 1. Контрольный статус │

│оборудования и компонентов, указанных в │

│пункте 3.1, других, нежели те, которые │

│указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - │

│3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, │

│которые специально разработаны или │

│имеют те же самые функциональные │

│характеристики, как и другое │

│оборудование, определяется по │

│контрольному статусу другого │

│оборудования. │

│ 2. Контрольный статус интегральных │

│схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - │

│3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, │

│программы которых не могут быть │

│изменены, или разработанных для │

│выполнения конкретных функций для │

│другого оборудования, определяется по │

│контрольному статусу другого │

│оборудования. │

│ │

│ Особое примечание. В тех случаях, │

│когда изготовитель или заявитель не │

│может определить контрольный статус │

│другого оборудования, этот статус │

│определяется контрольным статусом │

│интегральных схем, указанных в пунктах │

│3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте │

│3.1.1.1.12; если интегральная схема │

│является кремниевой микросхемой │

│микроЭВМ или микросхемой │

│микроконтроллера, указанных в пункте │

│3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда │

│8 бит или менее, то ее контрольный │

│статус должен определяться в │

│соответствии с пунктом 3.1.1.1.3. │

│ │

3.1.1. │Электронные компоненты, такие как: │

│ │

3.1.1.1. │Нижеперечисленные интегральные │

│микросхемы общего назначения: │

│ Примечания. 1. Контрольный статус │

│готовых пластин или полуфабрикатов для │

│их изготовления, на которых │

│воспроизведена конкретная функция, │

│оценивается по параметрам, указанным в │

│пункте 3.1.1.1. │

│ 2. Понятие "интегральные схемы" │

│включает следующие типы: │

│твердотельные интегральные схемы; │

│гибридные интегральные схемы; │

│многокристальные интегральные схемы; │

│пленочные интегральные схемы, включая │

│интегральные схемы типа "кремний на │

│сапфире"; │

│оптические интегральные схемы. │

│ │

3.1.1.1.1. │Интегральные схемы, спроектированные │ 8542

│или определяемые как радиационно │

│стойкие, чтобы выдержать следующее: │

│а) общую дозу 5 x 10E3 рад (кремний) │

│или выше; или │

│б) предел мощности дозы 5 x 10E6 рад │

│(кремний)/с или выше; │

│ │

3.1.1.1.2. │Интегральные схемы электрически │ 8542

│программируемых постоянных запоминающих │

│устройств (ЭППЗУ), программируемые с │

│ультрафиолетовым стиранием, и │

│статических запоминающих устройств с │

│произвольной выборкой (СЗУПВ), а также │

│интегральные схемы, указанные в пунктах │

│3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте │

│3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│а) работоспособные при температуре │

│окружающей среды выше 398 K │

│(+125 град. C); │

│б) работоспособные при температуре │

│окружающей среды ниже 218 K │

│(-55 град. C); или │

│в) работоспособные за пределами │

│диапазона температур окружающей среды │

│от 218 K (-55 град. C) до 398 K │

│(+125 град. C) │

│ Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не │

│распространяется на интегральные схемы │

│для гражданских автомобилей и │

│железнодорожных локомотивов; │

│ │

3.1.1.1.3. │Микропроцессорные микросхемы, │

│микрокомпьютерные микросхемы и │

│микросхемы микроконтроллеров, имеющие │

│любую из следующих характеристик: │

│ Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 │

│включает процессоры цифровых сигналов, │

│цифровые матричные процессоры и │

│цифровые сопроцессоры. │

│ │

3.1.1.1.3.1. │Совокупную теоретическую │ 854213550;

│производительность (СТП) 260 млн. │ 854213690;

│теоретических операций в секунду │ 854214300;

│(Мтопс) или более и │ 854214440;

│арифметико-логическое устройство с │ 854219550;

│длиной выборки 32 бита или более; │ 854219680;

│ │ 854240100

│ │

3.1.1.1.3.2. │Изготовленные на полупроводниковых │ 854213550;

│соединениях и работающие на тактовой │ 854213690;

│частоте, превышающей 40 МГц; или │ 854214300;

│ │ 854214440;

│ │ 854219550;

│ │ 854219680;

│ │ 854240100

│ │

3.1.1.1.3.3. │Более чем одну шину данных или команд, │ 854213550;

│или порт последовательной связи для │ 854213690;

│внешнего межсоединения в параллельный │ 854214300;

│процессор со скоростью передачи, │ 854214440;

│превышающей 2,5 Мбит/с │ 854219550;

│ │ 854219680;

│ │ 854240100

│ │

3.1.1.1.4. │Интегральные схемы памяти, │ 854213550;

│изготовленные на полупроводниковых │ 854213670;

│соединениях; │ 854213690;

│ │ 854214300;

│ │ 854214420;

│ │ 854214440;

│ │ 854219550;

│ │ 854219620;

│ │ 854219680;

│ │ 854240100

│ │

3.1.1.1.5. │Интегральные схемы для аналого- │ 854230650;

│цифровых и цифро-аналоговых │ 854230950;

│преобразователей, такие как: │ 854240900

│а) аналого-цифровые преобразователи, │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) разрешающую способность 8 бит или │

│более, но меньше 12 бит с общим │

│временем преобразования до максимальной │

│разрешающей способности менее 10 нс; │

│2) разрешающую способность 12 бит с │

│общим временем преобразования до │

│максимальной разрешающей способности │

│менее 200 нс; или │

│3) разрешающую способность более 12 бит │

│с общим временем преобразования до │

│максимальной разрешающей способности │

│менее 2 мкс; │

│б) цифро-аналоговые преобразователи с │

│разрешающей способностью 12 бит и более │

│и временем выхода на установившийся │

│режим менее 10 нс; │

│ │

3.1.1.1.6. │Электронно-оптические и оптические │ 8542

│интегральные схемы для обработки │

│сигналов, имеющие одновременно все │

│перечисленные составляющие: │

│а) один внутренний лазерный диод или │

│более; │

│б) один внутренний светочувствительный │

│элемент или более; и │

│в) оптические волноводы; │

│ │

3.1.1.1.7. │Программируемые пользователем матрицы │ 854213740;

│логических ключей на полевых │ 854214650

│транзисторах, имеющие любую из │

│следующих характеристик: │

│а) эквивалентное количество годных │

│вентилей более 30000 (в пересчете на │

│двухвходовые); или │

│б) типовое время задержки основного │

│логического элемента менее 0,4 нс; │

│ │

3.1.1.1.8. │Программируемые пользователем │ 854213740;

│логические матрицы полевых │ 854214650;

│транзисторов, имеющие хотя бы одну из │ 854219740

│следующих характеристик: │

│а) эквивалентное количество годных │

│вентилей более 30000 (в пересчете на │

│двухвходовые); или │

│б) частоту переключения, превышающую │

│133 МГц; │

│ │

3.1.1.1.9. │Интегральные схемы для нейронных сетей; │ 8542

│ │

3.1.1.1.10. │Заказные интегральные схемы, у которых │ 854213720;

│функция неизвестна либо производителю │ 854214600;

│неизвестно, распространяется ли │ 854219720;

│контрольный статус на аппаратуру, в │ 854230;

│которой будут использоваться данные │ 854240

│интегральные схемы, имеющие любую из │

│следующих характеристик: │

│а) свыше 208 выводов; │

│б) типовое время задержки основного │

│логического элемента менее 0,35 нс; или │

│в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; │

│ │

3.1.1.1.11. │Цифровые интегральные схемы, │ 8542

│отличающиеся от указанных в пунктах │

│3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, │

│созданные на основе какого-либо │

│полупроводникового соединения и имеющие │

│любую из следующих характеристик: │

│а) эквивалентное количество годных │

│вентилей более 300 (в пересчете на │

│двухвходовые); или │

│б) частоту переключения, превышающую │

│1,2 ГГц; │

│ │

3.1.1.1.12. │Процессоры быстрого преобразования │ 854213550;

│Фурье, имеющие любую из следующих │ 854213610;

│характеристик: │ 854213630;

│а) расчетное время выполнения │ 854213650;

│комплексного 1024-точечного быстрого │ 854213670;

│преобразования Фурье менее 1 мс; │ 854213690;

│б) расчетное время выполнения │ 854214300;

│комплексного N-точечного сложного │ 854214420;

│быстрого преобразования Фурье, │ 854214440;

│отличного от 1024-точечного, менее, чем │ 854219550;

│Nlog2N/10240 мс, где N - число точек; │ 854219620;

│или │ 854219680;

│в) производительность алгоритма │ 854240100

│"бабочка" более 5,12 МГц │

│ │

3.1.1.2. │Компоненты микроволнового или │

│миллиметрового диапазона, такие как: │

│ │

3.1.1.2.1. │Нижеперечисленные электронные вакуумные │

│лампы и катоды: │

│ Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не │

│контролируются лампы, разработанные или │

│спроектированные для работы в │

│стандартном диапазоне частот │

│гражданских телекоммуникаций, с │

│частотами, не превышающими 31 ГГц. │

│ │

3.1.1.2.1.1. │Лампы бегущей волны импульсного или │ 854079000

│непрерывного действия, такие как: │

│а) работающие на частотах, превышающих │

│31 ГГц; │

│б) имеющие элемент подогрева катода со │

│временем от включения до выхода лампы │

│на предельную радиочастотную мощность │

│менее 3 с; │

│в) лампы с сопряженными резонаторами │

│или их модификации с мгновенной шириной │

│полосы частот более 7% или пиком │

│мощности, превышающим 2,5 кВт; │

│г) спиральные лампы или их модификации, │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) мгновенную ширину полосы более одной │

│октавы и произведение средней мощности │

│(выраженной в кВт) на рабочую частоту │

│(выраженную в ГГц) более 0,5; │

│2) мгновенную ширину полосы в одну │

│октаву или менее и произведение средней │

│мощности (выраженной в кВт) на рабочую │

│частоту (выраженную в ГГц) более 1; или │

│3) годные для применения в космосе; │

│ │

3.1.1.2.1.2. │СВЧ-приборы - усилители магнетронного │ 854071000

│типа с коэффициентом усиления более │

│17 дБ; │

│ │

3.1.1.2.1.3. │Импрегнированные катоды, разработанные │ 854099000

│для электронных ламп, имеющие любую из │

│следующих характеристик: │

│а) время выхода на уровень эмиссии │

│менее 3 с; или │

│б) плотность тока при непрерывной │

│эмиссии и штатных условиях │

│функционирования, превышающую │

│5 А/кв. см │

│ │

3.1.1.2.2. │Микроволновые интегральные схемы или │ 854230;

│модули, содержащие твердотельные │ 854240;

│интегральные схемы, работающие на │ 854250000

│частотах свыше 3 ГГц │

│ Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не │

│контролируются схемы или модули │

│оборудования, спроектированного для │

│работы в стандартном диапазоне частот │

│гражданской телекоммуникации, не │

│превышающем 31 ГГц; │

│ │

3.1.1.2.3. │Микроволновые транзисторы, │ 854121;

│предназначенные для работы на частотах, │ 854129

│превышающих 31 ГГц; │

│ │

3.1.1.2.4. │Микроволновые твердотельные усилители, │ 854389900

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│а) работающие на частотах свыше │

│10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину │

│полосы частот более пол-октавы; │

│б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; │

│ │

3.1.1.2.5. │Фильтры с электронной или магнитной │ 854389900

│настройкой, содержащие более пяти │

│настраиваемых резонаторов, │

│обеспечивающих настройку в полосе │

│частот с соотношением максимальной и │

│минимальной частот 1,5:1 (fmax/fmin) │

│менее чем за 10 мкс, имеющие любую из │

│следующих составляющих: │

│а) полосовые фильтры, имеющие полосу │

│пропускания частоты более 0,5% от │

│резонансной частоты; или │

│б) заградительные фильтры, имеющие │

│полосу подавления частоты менее 0,5% │

│от резонансной частоты; │

│ │

3.1.1.2.6. │Микроволновые сборки, способные │ 854250000

│работать на частотах, превышающих │

│31 ГГц; │

│ │

3.1.1.2.7. │Смесители и преобразователи, │ 854389900

│разработанные для расширения частотного │

│диапазона аппаратуры, указанной в │

│пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; │

│ │

3.1.1.2.8. │Микроволновые усилители мощности СВЧ, │ 854389900

│содержащие лампы, контролируемые по │

│пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие │

│характеристики: │

│а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; │

│б) среднюю плотность выходной мощности, │

│превышающую 80 Вт/кг; и │

│в) объем менее 400 куб. см │

│ Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не │

│контролируется аппаратура, │

│разработанная или пригодная для работы │

│на стандартных частотах гражданских │

│телекоммуникаций. │

│ │

3.1.1.3. │Приборы на акустических волнах и │

│специально спроектированные для них │

│компоненты, такие как: │

│ │

3.1.1.3.1. │Приборы на поверхностных акустических │ 854160000

│волнах и на акустических волнах в │

│тонкой подложке (т.е. приборы для │

│обработки сигналов, использующие │

│упругие волны в материале), имеющие │

│любую из следующих характеристик: │

│а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или │

│б) несущую частоту более 1 ГГц, но не │

│превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) частотное подавление боковых │

│лепестков диаграммы направленности │

│более 55 дБ; │

│2) произведение максимального времени │

│задержки (в мкс) на ширину полосы │

│частот (в МГц) более 100; │

│3) ширину полосы частот более 250 МГц; │

│или │

│4) задержку рассеяния, превышающую │

│10 мкс; или │

│в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и │

│дополнительно имеющие любую из │

│следующих характеристик: │

│1) произведение максимального времени │

│задержки (в мкс) на ширину полосы │

│частот (в МГц) более 100; │

│2) задержку рассеяния, превышающую │

│10 мкс; или │

│3) частотное подавление боковых │

│лепестков диаграммы направленности │

│более 55 дБ и ширину полосы частот, │

│превышающую 50 МГц; │

│ │

3.1.1.3.2. │Приборы на объемных акустических волнах │ 854160000

│(т.е. приборы для обработки сигналов, │

│использующие упругие волны в │

│материале), обеспечивающие │

│непосредственную обработку сигналов на │

│частотах свыше 1 ГГц; │

│ │

3.1.1.3.3. │Акустооптические приборы обработки │ 854160000

│сигналов, использующие взаимодействие │

│между акустическими волнами (объемными │

│или поверхностными) и световыми │

│волнами, что позволяет непосредственно │

│обрабатывать сигналы или изображения, │

│включая анализ спектра, корреляцию или │

│свертку │

│ │

3.1.1.4. │Электронные приборы и схемы, содержащие │ 8540;

│компоненты, изготовленные из │ 8541;

│сверхпроводящих материалов, специально │ 8542;

│спроектированные для работы при │ 8543

│температурах ниже критической │

│температуры хотя бы одной из │

│сверхпроводящих составляющих, имеющие │

│хотя бы один из следующих признаков: │

│а) электромагнитное усиление: │

│1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, │

│с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или │

│2) на частотах свыше 31 ГГц; │

│б) токовые переключатели для цифровых │

│схем, использующие сверхпроводящие │

│вентили, у которых произведение времени │

│задержки на вентиль (в секундах) на │

│рассеяние мощности на вентиль (в │

│ваттах) ниже 10E-14 Дж; или │

│в) селекцию частоты на всех частотах с │

│использованием резонансных контуров с │

│добротностью, превышающей 10000 │

│ │

3.1.1.5. │Нижеперечисленные накопители энергии: │

│ │

3.1.1.5.1. │Батареи и батареи на фотоэлектрических │ 8506;

│элементах, такие как: │ 8507;

│а) первичные элементы и батареи с │ 854140910

│плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг │

│и пригодные по техническим условиям для │

│работы в диапазоне температур от 243 K │

│(-30 град. C) и ниже до 343 K │

│(70 град. C) и выше │

│ Техническое примечание. Плотность │

│энергии определяется путем умножения │

│средней мощности в ваттах (произведение │

│среднего напряжения в вольтах на │

│средний ток в амперах) на длительность │

│цикла разряда в часах, при котором │

│напряжение на разомкнутых клеммах │

│падает до 75% от номинала, и деления │

│полученного произведения на общую массу │

│элемента (или батареи) в кг; │

│б) подзаряжаемые элементы и батареи с │

│плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг │

│после 75 циклов заряда-разряда при │

│токе разряда, равном С/5 ч (С - │

│номинальная емкость в ампер-часах), │

│при работе в диапазоне температур от │

│253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K │

│(60 град. C) и выше; │

│в) батареи, по техническим условиям │

│годные для применения в космосе, и │

│радиационно стойкие батареи на │

│фотоэлектрических элементах с удельной │

│мощностью свыше 160 Вт/кв. м при │

│рабочей температуре 301 K (28 град. C) │

│и вольфрамовом источнике, нагретом до │

│2800 K (2527 град. C) и создающем │

│энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м │

│ Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не │

│контролируются батареи объемом │

│27 куб. см и меньше (например, │

│стандартные угольные элементы или │

│батареи типа R14). │

│ │

3.1.1.5.2. │Накопители большой энергии, такие как: │ 8506;

│ │ 8507;

│ │ 8532

│а) накопители с частотой повторения │

│менее 10 Гц (одноразовые накопители), │

│имеющие все следующие характеристики: │

│1) номинальное напряжение 5 кВ или │

│более; │

│2) плотность энергии 250 Дж/кг или │

│более; и │

│3) общую энергию 25 кДж или более; │

│б) накопители с частотой повторения │

│10 Гц и более (многоразовые │

│накопители), имеющие все следующие │

│характеристики: │

│1) номинальное напряжение не менее │

│5 кВ; │

│2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; │

│3) общую энергию не менее 100 Дж; и │

│4) количество циклов заряда-разряда │

│не менее 10000; │

│ │

3.1.1.5.3. │Сверхпроводящие электромагниты и │ 850519900

│соленоиды, специально спроектированные │

│на полный заряд или разряд менее чем за │

│одну секунду, имеющие все │

│нижеперечисленные характеристики: │

│а) энергию, выделяемую при разряде, │

│превышающую 10 кДж за первую секунду; │

│б) внутренний диаметр токопроводящих │

│обмоток более 250 мм; и │

│в) номинальную магнитную индукцию свыше │

│8 Т или суммарную плотность тока в │

│обмотке больше 300 А/кв. мм │

│ Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не │

│контролируются сверхпроводящие │

│электромагниты или соленоиды, │

│специально спроектированные для │

│медицинской аппаратуры │

│магниторезонансной томографии. │

│ │

3.1.1.6. │Вращающиеся преобразователи абсолютного │ 903180310

│углового положения вала в код, имеющие │

│любую из следующих характеристик: │

│а) разрешение лучше 1/265000 от полного │

│диапазона (18 бит); или │

│б) точность лучше +/- 2,5 угл. с │

│ │

3.1.2. │Нижеперечисленная электронная │

│аппаратура общего назначения: │

│ │

3.1.2.1. │Записывающая аппаратура и специально │

│разработанная измерительная магнитная │

│лента для нее, такие как: │

│ │

3.1.2.1.1. │Накопители на магнитной ленте для │ 852039900;

│аналоговой аппаратуры, включая │ 852090900;

│аппаратуру с возможностью записи │ 852110300;

│цифровых сигналов (например, │ 852110800

│использующие модуль цифровой записи │

│высокой плотности), имеющие любую из │

│следующих характеристик: │

│а) полосу частот, превышающую 4 МГц на │

│электронный канал или дорожку; │

│б) полосу частот, превышающую 2 МГц на │

│электронный канал или дорожку, при │

│числе дорожек более 42; или │

│в) ошибку рассогласования (основную) │

│временной шкалы, измеренную по │

│методикам соответствующих руководящих │

│материалов Межведомственного совета по │

│радиопромышленности (IRIG) или │

│Ассоциации электронной промышленности │

│(EIA), менее +/- 0,1 мкс │

│ Примечание. Аналоговые │

│видеомагнитофоны, специально │

│разработанные для гражданского │

│применения, не рассматриваются как │

│записывающая аппаратура; │

│ │

3.1.2.1.2. │Цифровые видеомагнитофоны, имеющие │ 852110;

│максимальную пропускную способность │ 852190000

│цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с; │

│ Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не │

│контролируются цифровые │

│видеомагнитофоны, специально │

│спроектированные для телевизионной │

│записи, использующие стандартный формат │

│сигнала или рекомендуемый Международным │

│консультативным комитетом по радиосвязи │

│(МККР) либо Международной │

│электротехнической комиссией (МЭК) для │

│гражданского телевидения; │

│ │

3.1.2.1.3. │Накопители на магнитной ленте для │ 852110

│цифровой аппаратуры, использующие │

│принципы спирального сканирования или │

│принципы фиксированной головки и │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│а) максимальную пропускную способность │

│цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; │

│или │

│б) годные для применения в космосе │

│ Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не │

│контролируются аналоговые накопители на │

│магнитной ленте, оснащенные │

│электронными блоками для преобразования │

│в цифровую запись высокой плотности и │

│предназначенные для записи только │

│цифровых данных. │

│ │

3.1.2.1.4. │Аппаратура с максимальной пропускной │ 852190000

│способностью цифрового интерфейса свыше │

│175 Мбит/с, спроектированная в целях │

│переделки цифровых видеомагнитофонов │

│для использования их как устройств │

│записи данных цифровой аппаратуры; │

│ │

3.1.2.1.5. │Приборы для преобразования сигналов в │ 854389900

│цифровую форму и записи переходных │

│процессов, имеющие все следующие │

│характеристики: │

│а) скорость преобразования в цифровую │

│форму не менее 200 млн. проб в секунду │

│и разрешение 10 или более проб в │

│секунду; и │

│б) пропускную способность не менее │

│2 Гбит/с │

│ Техническое примечание. Для таких │

│приборов с архитектурой на параллельной │

│шине пропускная способность есть │

│произведение наибольшего объема слов на │

│количество бит в слове. Пропускная │

│способность - это наивысшая скорость │

│передачи данных аппаратуры, с которой │

│информация поступает в запоминающее │

│устройство без потерь при сохранении │

│скорости выборки и аналого-цифрового │

│преобразования. │

│ │

3.1.2.2. │Электронные сборки синтезаторов │ 854320000

│частоты, имеющие время переключения с │

│одной заданной частоты на другую менее │

│1 мс; │

│ │

3.1.2.3. │Анализаторы сигналов: │ 903083900;

│а) способные анализировать частоты, │ 903089920

│превышающие 31 ГГц; │

│б) динамические анализаторы сигналов с │

│полосой пропускания в реальном времени, │

│превышающей 25,6 кГц │

│ Примечание. По подпункту "б" пункта │

│3.1.2.3 не контролируются динамические │

│анализаторы сигналов, использующие │

│только фильтры с полосой пропускания │

│фиксированных долей. │

│ │

│ Техническое примечание. Фильтры с │

│полосой пропускания фиксированных долей │

│известны также как октавные или │

│дробно-октавные фильтры. │

│ │

3.1.2.4. │Генераторы сигналов синтезированных │ 854320000

│частот, формирующие выходные частоты с │

│управлением по параметрам точности, │

│кратковременной и долговременной │

│стабильности на основе или с помощью │

│внутренней эталонной частоты, имеющие │

│любую из следующих характеристик: │

│а) максимальную синтезируемую частоту │

│более 31 ГГц; │

│б) время переключения с одной заданной │

│частоты на другую менее 1 мс; или │

│в) фазовый шум одной боковой полосы │

│лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в │

│единицах дБ x с/Гц, где F - смещение │

│рабочей частоты в Гц, а f - рабочая │

│частота в МГц │

│ Примечание. По пункту 3.1.2.4 не │

│контролируется аппаратура, в которой │

│выходная частота создается либо путем │

│сложения или вычитания частот с двух │

│или более кварцевых генераторов, либо │

│путем сложения или вычитания с │

│последующим умножением результирующей │

│частоты; │

│ │

3.1.2.5. │Сетевые анализаторы с максимальной │ 903040900

│рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; │

│ │

3.1.2.6. │Микроволновые приемники-тестеры, │ 852790990

│имеющие все следующие характеристики: │

│а) максимальную рабочую частоту, │

│превышающую 40 ГГц; и │

│б) способные одновременно измерять │

│амплитуду и фазу; │

│ │

3.1.2.7. │Атомные эталоны частоты, имеющие любую │ 854320000

│из следующих характеристик: │

│а) долговременную стабильность │

│(старение) менее (лучше) 10E-11 в │

│месяц; или │

│б) годные для применения в космосе │

│ Примечание. По подпункту "а" пункта │

│3.1.2.7 не контролируются рубидиевые │

│стандарты, не предназначенные для │

│космического применения. │

│ │

3.2. │Испытательное, контрольное и │

│производственное оборудование │

│ │

3.2.1. │Нижеперечисленное оборудование для │

│производства полупроводниковых приборов │

│или материалов и специально │

│разработанные компоненты и оснастка для │

│них: │

│ │

3.2.1.1. │Установки, управляемые встроенной │

│программой, предназначенные для │

│эпитаксиального выращивания, такие │

│как: │

│ │

3.2.1.1.1. │Установки, способные выдерживать │ 847989650

│толщину слоя с отклонением не более │

│+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; │

│ │

3.2.1.1.2. │Установки химического осаждения паров │ 841989200

│металлорганических соединений, │

│специально разработанные для │

│выращивания кристаллов сложных │

│полупроводников с помощью химических │

│реакций между материалами, которые │

│контролируются по пункту 3.3.3 или │

│3.3.4; │

│ │

3.2.1.1.3. │Молекулярно-лучевые установки │ 847989700;

│эпитаксиального выращивания, │ 854389700

│использующие газовые источники │

│ │

3.2.1.2. │Установки, управляемые встроенной │ 854311000

│программой, специально предназначенные │

│для ионной имплантации, имеющие любую │

│из следующих характеристик: │

│а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; │

│б) специально спроектированные и │

│оптимизированные для работы с │

│ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ; │

│в) обладающие способностью │

│непосредственной записи; или │

│г) пригодные для высокоэнергетической │

│имплантации кислорода в нагретую │

│подложку полупроводникового материала; │

│ │

3.2.1.3. │Установки сухого травления анизотропной │ 845691000;

│плазмой, управляемые встроенной │ 845699900

│программой: │

│а) с покассетной обработкой пластин и │

│загрузкой через загрузочные шлюзы, │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) магнитную защиту; или │

│2) электронный циклотронный резонанс │

│б) специально спроектированные для │

│оборудования, контролируемого по пункту │

│3.2.1.5, и имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) магнитную защиту; или │

│2) электронный циклотронный резонанс; │

│ │

3.2.1.4. │Установки химического парофазового │ 841989200;

│осаждения и плазменной стимуляции, │ 841989300

│управляемые встроенной программой: │

│а) с покассетной обработкой пластин и │

│загрузкой через загрузочные шлюзы, │

│имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) магнитную защиту; или │

│2) электронный циклотронный резонанс │

│б) специально спроектированные для │

│оборудования, контролируемого по пункту │

│3.2.1.5, имеющие любую из следующих │

│характеристик: │

│1) магнитную защиту; или │

│2) электронный циклотронный резонанс; │

│ │

3.2.1.5. │Управляемые встроенной программой │ 845610000;

│автоматически загружаемые многокамерные │ 845691000;

│системы с центральной загрузкой │ 845699900;

│пластин, имеющие все следующие │ 845699300;

│составляющие: │ 847950000

│а) интерфейсы для загрузки и выгрузки │

│пластин, к которым присоединяется более │

│двух единиц оборудования для обработки │

│полупроводников; и │

│б) предназначенные для интегрированной │

│системы последовательной │

│многопозиционной обработки пластин в │

│вакуумной среде │

│ Примечание. По пункту 3.2.1.5 не │

│контролируются автоматические │

│робототехнические системы загрузки │

│пластин, не предназначенные для работы │

│в вакууме. │

│ │

3.2.1.6. │Установки литографии, управляемые │

│встроенной программой, такие как: │

│ │

3.2.1.6.1. │Установки многократного совмещения и │ 900922900

│экспонирования для обработки пластин │

│методом фотооптической или │

│рентгеновской литографии, имеющие любую │

│из следующих составляющих: │

│а) источник света с длиной волны короче │

│400 нм; или │

│б) способность воспроизводить рисунок с │

│минимальным размером разрешения от │

│0,7 мкм и менее │

│ Примечание. Минимальный размер │

│разрешения (МРР) рассчитывается по │

│следующей формуле: │

│ │

│ (экспозиция источника освещения с │

│ длиной волны в мкм) x (К фактор) │

│МРР = _________________________________~│

│ цифровая апертура │

│ │

│где К фактор = 0,7; │

│ │

3.2.1.6.2. │Установки, специально спроектированные │ 845610000;

│для производства шаблонов или обработки │ 845699

│полупроводниковых приборов с │

│использованием отклоняемого │

│фокусируемого электронного луча, пучка │

│ионов или лазерного луча, имеющие любую │

│из следующих характеристик: │

│а) размер пятна менее 0,2 мкм; │

│б) способность производить рисунок с │

│минимальными разрешенными проектными │

│нормами менее 1 мкм; или │

│в) точность совмещения лучше │

│+/- 0,20 мкм (3 сигма) │

│ │

3.2.1.7. │Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, │

│разработанные для интегральных схем, │

│контролируемых по пункту 3.1.1; │

│ │

3.2.1.8. │Многослойные шаблоны с фазосдвигающим │ 901090000

│слоем │

│ │

3.2.2. │Аппаратура испытаний, управляемая │

│встроенной программой, специально │

│спроектированная для испытания готовых │

│или находящихся в разной степени │

│изготовления полупроводниковых │

│приборов, и специально спроектированные │

│компоненты и приспособления для нее: │

│ │

3.2.2.1. │Для измерения S-параметров │ 903180390

│транзисторных приборов на частотах │

│свыше 31 ГГц; │

│ │

3.2.2.2. │Для испытаний интегральных схем, │ 903180390

│способная выполнять функциональное │

│тестирование (по таблицам истинности) с │

│частотой тестирования строк более │

│60 МГц │

│ Примечание. По пункту 3.2.2.2 не │

│контролируется аппаратура испытаний, │

│специально спроектированная для │

│испытаний: │

│а) электронных сборок или класса │

│электронных сборок для бытовой или │

│игровой электронной аппаратуры; │

│б) неконтролируемых электронных │

│компонентов, электронных сборок или │

│интегральных схем; │

│ │

3.2.2.3. │Для испытаний микроволновых │ 903180390

│интегральных схем на частотах, │

│превышающих 3 ГГц │

│ Примечание. По пункту 3.2.2.3 не │

│контролируется аппаратура испытаний, │

│специально спроектированная для │

│испытания микроволновых интегральных │

│микросхем для оборудования, │

│предназначенного или пригодного по │

│техническим условиям для работы в │

│стандартном гражданском диапазоне на │

│частотах, не превышающих 31 ГГц. │

│ │

3.2.2.4. │Электронно-лучевые системы, │ 903180390

│спроектированные для работы на уровне │

│3 кэВ или менее, или лазерные лучевые │

│системы для бесконтактного зондирования │

│запитанных полупроводниковых приборов, │

│имеющие все следующие составляющие: │

│а) стробоскопический режим либо с │

│затенением луча, либо с детекторным │

│стробированием; и │

│б) электронный спектрометр для замера │

│напряжений менее 0,5 В │

│ Примечание. По пункту 3.2.2.4 не │

│контролируются сканирующие электронные │

│микроскопы, кроме тех, которые │

│специально спроектированы и оснащены │

│для бесконтактного зондирования │

│запитанных полупроводниковых приборов. │

│ │

3.3. │Материалы │

│ │

3.3.1. │Гетероэпитаксиальные материалы, │

│состоящие из подложки с несколькими │

│последовательно наращенными │

│эпитаксиальными слоями, имеющими любую │

│из следующих составляющих: │

│ │

3.3.1.1. │Кремний; │ 381800100;

│ │ 381800900

3.3.1.2. │Германий; или │ 381800900

│ │

3.3.1.3. │Соединения III/V на основе галлия или │ 381800900

│индия │

│ Техническое примечание. Соединения │

│III/V - это поликристаллические или │

│двухэлементные или сложные │

│монокристаллические продукты, состоящие │

│из элементов групп IIIA и VA │

│периодической системы Менделеева (по │

│отечественной классификации это │

│группы A3 и B5) (арсенид галлия, │

│алюмоарсенид галлия, фосфид индия │

│и т.п.) │

│ │

3.3.2. │Материалы резистов и подложки, покрытые │

│контролируемыми резистами, такие как: │

│ │

3.3.2.1. │Позитивные резисты, предназначенные для │ 382490900

│полупроводниковой литографии, │

│специально приспособленные │

│(оптимизированные) для использования на │

│спектральную чувствительность менее │

│370 нм; │

│ │

3.3.2.2. │Все резисты, предназначенные для │ 382490900

│использования при экспонировании │

│электронными или ионными пучками, с │

│чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или │

│лучше; │

│ │

3.3.2.3. │Все резисты, предназначенные для │ 382490900

│использования при экспонировании │

│рентгеновскими лучами, с │

│чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или │

│лучше; │

│ │

3.3.2.4. │Все резисты, оптимизированные под │ 382490900

│технологии формирования рисунка, │

│включая силицированные резисты │

│ Техническое примечание. Методы │

│силицирования - это процессы, │

│включающие оксидирование поверхности │

│резиста, для повышения качества мокрого │

│и сухого проявления. │

│ │

3.3.3. │Органо-неорганические компаунды, такие │

│как: │

│ │

3.3.3.1. │Органо-металлические соединения на │ 293100800

│основе алюминия, галлия или индия с │

│чистотой металлической основы свыше │

│99,999%; │

│ │

3.3.3.2. │Органо-мышьяковистые, органо- │ 293100800

│сурьмянистые и органо-фосфорные │

│соединения с чистотой органической │

│элементной основы свыше 99,999% │

│ Примечание. По пункту 3.3.3 │

│контролируются только соединения, чей │

│металлический, частично металлический │

│или неметаллический элемент │

│непосредственно связан с углеродом в │

│органической части молекулы. │

│ │

3.3.4. │Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, │ 284800000;

│имеющие чистоту свыше 99,999% даже │ 285000100

│после растворения в инертных газах или │

│водороде │

│ Примечание. По пункту 3.3.4 не │

│контролируются гидриды, содержащие 20% │

│и более молей инертных газов или │

│водорода. │

│ │

3.4. │Программное обеспечение │

│ │

3.4.1. │Программное обеспечение, специально │

│созданное для разработки или │

│производства оборудования, │

│контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - │

│3.1.2.7 или по пункту 3.2 │

│ │

3.4.2. │Программное обеспечение, специально │

│созданное для применения в │

│оборудовании, управляемом встроенной │

│программой и контролируемом по │

│пункту 3.2 │

│ │

3.4.3. │Программное обеспечение систем │

│автоматизированного проектирования │

│(САПР), предназначенное для │

│полупроводниковых приборов или │

│интегральных схем, имеющее любую из │

│следующих составляющих: │

│ │

3.4.3.1. │Правила проектирования или правила │

│проверки (верификации) схем; │

│ │

3.4.3.2. │Моделирование схем по их физической │

│топологии; или │

│ │

3.4.3.3. │Имитаторы литографических процессов для │

│проектирования. │

│ Техническое примечание. Имитатор │

│литографических процессов - это пакет │

│программного обеспечения, используемый │

│на этапе проектирования для определения │

│последовательности операций литографии, │

│травления и осаждения в целях │

│воплощения маскирующих шаблонов в │