ИЗМЕНЕНИЯ,

КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ

ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

НА 2008 - 2015 ГОДЫ

─────────────────────────────────┬─────────────┬──────────┬──────────┬─────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬────────────

│ Единица │ 2007 год │ 2008 год │2009 год │ 2010 год │ 2011 год │ 2012 год │ 2013 год │ 2014 год │ 2015 год

│ измерения │ │ │ │ │ │ │ │ │

─────────────────────────────────┴─────────────┴──────────┴──────────┴─────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴────────────

Индикатор

Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045

уровень электроники

Показатели

Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300

изделий электронной и

радиоэлектронной техники

Количество разработанных базовых - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 210 230 250 260 - 270

технологий в области электронной

компонентной базы и

радиоэлектроники (нарастающим

итогом)

Количество объектов - 1 8 10 14 29 29 30 35 44

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Минпромторга России

(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - 1 1 1 3 4

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Госкорпорации

"Росатом", производящих

продукцию в интересах

радиоэлектронного комплекса

(нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - 1 2 4 6

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Роскосмоса,

производящих продукцию в

интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - 1 1 2 2 3 5 7 9

реконструкции и технического

перевооружения производств для

создания базовых центров

системного проектирования в

организациях Минобрнауки России,

производящих продукцию в

интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - 1 5 8 18 22 34 37 96

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Минпромторга России (нарастающим

итогом)

Количество объектов - - - - - - 1 1 1 1

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях ФСТЭК

России (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - - 1 1 8

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Госкорпорации "Росатом",

производящих продукцию в

интересах радиоэлектронного

комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - - - - - - - - - 7

реконструкции и технического

перевооружения радиоэлектронных

производств в организациях

Роскосмоса, производящих

продукцию в интересах

радиоэлектронного комплекса

(нарастающим итогом)

Количество завершенных поисковых - 1 3 9 9 - 10 10 - 12 12 - 14 14 - 16 16 - 18 20 - 22

технологических научно-

исследовательских работ

(нарастающим итогом)

Количество реализованных - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 41 - 45 45 - 50 50 - 55 55 - 60

мероприятий по созданию

электронной компонентной базы,

соответствующей мировому уровню

(типов, классов новой

электронной компонентной базы)

(нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 4100 - 4400 - 4700 - 5000 -

мест (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000

───────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────

─────────────────────────────────┬──────────┬──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬───────────────────────

│ 2008 - │ В том числе │ Ожидаемые результаты

│ 2015 ├──────────┬──────────┬─────────┬───────┬─────────┬──────────┬──────────┬──────────┤

│ годы - │ 2008 │ 2009 │ 2010 │ 2011 │ 2012 │ 2013 │ 2014 │ 2015 │

│ всего │ год │ год │ год │ год │ год │ год │ год │ год │

─────────────────────────────────┴──────────┴──────────┴──────────┴─────────┴───────┴─────────┴──────────┴──────────┴──────────┴───────────────────────

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой

производства мощных ------- -- ------ технологии

сверхвысокочастотных 84 44 40 производства мощных

транзисторов на основе сверхвысокочастотных

гетероструктур материалов транзисторов на

группы A B основе гетероструктур

3 5 материалов группы

A B для бортовой и

3 5

наземной аппаратуры

(2009 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

2. Разработка базовой 202 30,5 39,5 53,25 31,8 46,95 создание базовой

технологии производства --- ---- ---- ----- ---- ----- технологии

монолитных сверхвысоко- 134 20 26 35,5 21,2 31,3 производства

частотных микросхем и монолитных

объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных микросхем и объемных

субмодулей X-диапазона приемо-передающих

сверхвысокочастотных

субмодулей X-

диапазона на основе

гетероструктур

материалов группы

A B для бортовой и

3 5

наземной аппаратуры

радиолокации, средств

связи (2013 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

3. Разработка базовой 212,75 141,75 71 создание технологии

технологии производства ------- ------ -- производства мощных

мощных сверхвысоко- 134,75 87,75 47 транзисторов

частотных сверхвысокочастотного

полупроводниковых приборов диапазона на основе

на основе нитридных нитридных

гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных

структур структур для техники

связи, радиолокации

(2009 год)

4. Разработка базовой 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии

технологии и библиотеки --- -- ---- ----- --- ---- производства на

элементов для 375 17 65 109 80 104 основе нитридных

проектирования и гетероэпитаксиальных

производства монолитных структур мощных

интегральных схем сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотного монолитных

диапазона на основе интегральных схем с

нитридных рабочими частотами до

гетероэпитаксиальных 20 ГГц для техники

структур связи, радиолокации

(2013 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

5. Разработка базовой 149,257 85,757 63,5 создание базовой

технологии производства ------- ------ ---- технологии

сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 производства

компонентов и сложно- компонентов для

функциональных блоков для сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных интегральных схем

интегральных схем высокой диапазона 2 - 12 ГГц

степени интеграции на с высокой степенью

основе гетероструктур интеграции для

"кремний - германий" аппаратуры

радиолокации и связи

бортового и наземного

применения, а также

бытовой и

автомобильной

электроники (2009

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

6. Разработка базовой 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой

технологии производства ------ --- ---- ------ технологии

сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 производства

интегральных схем высокой сверхвысокочастотных

степени интеграции на интегральных схем

основе гетероструктур диапазона 2 - 12 ГГц

"кремний - германий" с высокой степенью

интеграции для

аппаратуры

радиолокации и связи

бортового и наземного

применения, а также

бытовой и

автомобильной

электроники (2011

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

7. Разработка аттестованных 448,408 253 195,408 разработка

библиотек сложно- ------- --- ------- аттестованных

функциональных блоков для 308,75 169 139,75 библиотек

проектирования сложнофункциональных

сверхвысокочастотных и блоков для

радиочастотных проектирования

интегральных схем на широкого спектра

основе гетероструктур сверхвысокочастотных

"кремний - германий" интегральных схем на

SiGe с рабочими

частотами до 150 ГГц,

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации,

ввод в эксплуатацию

производственной

линии

8. Разработка базовых 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых

технологий проектирования ------ -- ----- ----- ---- ---- технологий

кремний-германиевых 142 30 52 39,3 11,3 9,4 проектирования на

сверхвысокочастотных и основе библиотеки

радиочастотных сложнофункциональных

интегральных схем на блоков широкого

основе аттестованной спектра

библиотеки сложно- сверхвысокочастотных

функциональных блоков интегральных схем на

SiGe с рабочими

частотами до 150 ГГц

(2013 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

9. Разработка базовых 114,9 60 54,9 создание базовых

технологий производства ----- -- ---- технологий

элементной базы для ряда 74 40 34 производства

силовых герметичных элементной базы для

модулей высокоплотных высокоплотных

источников вторичного источников вторичного

электропитания вакуумных и электропитания

твердотельных сверхвысоко- сверхвысокочастотных

частотных приборов и узлов приборов и узлов

аппаратуры аппаратуры (2009

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

10. Разработка базовых 126,913 79,513 47,4 создание базовых

технологий производства ------- ------ ---- конструкций и

ряда силовых герметичных 73,1 41,5 31,6 технологии

модулей высокоплотных производства

источников вторичного высокоэффективных,

электропитания вакуумных и высокоплотных

твердотельных сверхвысоко- источников вторичного

частотных приборов и узлов электропитания

аппаратуры сверхвысокочастотных

приборов и узлов

аппаратуры на основе

гибридно-пленочной

технологии с

применением

бескорпусной

элементной базы (2011

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

11. Разработка базовых 226 151,2 74,8 создание технологии

конструкций и технологии --- ----- ---- массового

производства корпусов 152 102 50 производства ряда

мощных сверхвысоко- корпусов мощных

частотных транзисторов X-, сверхвысокочастотных

C-, S-, L- и P-диапазонов приборов для

из малотоксичных "бессвинцовой" сборки

материалов с высокой (2009 год),

теплопроводностью разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

12. Разработка базовых 83,5 13 40,5 30 создание базовых

конструкций теплоотводящих ---- -- ---- -- конструктивных рядов

элементов систем 55 8 27 20 элементов систем

охлаждения сверхвысоко- охлаждения аппаратуры

частотных приборов X- и C- X- и C-диапазонов

диапазонов на основе новых наземных, корабельных

материалов и воздушно-

космических

комплексов

13. Разработка базовой 109 64 45 создание технологии

технологии производства --- -- -- массового

теплоотводящих элементов 62 32 30 производства

систем охлаждения конструктивного ряда

сверхвысокочастотных элементов систем

приборов X- и C-диапазонов охлаждения аппаратуры

на основе новых материалов X- и C-диапазонов

наземных, корабельных

и воздушно-

космических

комплексов (2011

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

14. Разработка базовых 13 13 создание технологии

технологий производства -- -- массового

суперлинейных кремниевых 8 8 производства

сверхвысокочастотных конструктивного ряда

транзисторов S- и L- сверхвысокочастотных

диапазонов транзисторов S- и L-

диапазонов для

техники связи,

локации и контрольной

аппаратуры (2009

год), разработка

комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

15. Разработка конструктивно- 208,9 139,9 69 создание

параметрического ряда ----- ----- -- конструктивно-

суперлинейных кремниевых 115,9 69,9 46 параметрического ряда

сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных

транзисторов S- и L- транзисторов S- и L-

диапазонов диапазонов для

техники связи,

локации и контрольной

аппаратуры,

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

16. Разработка технологии 32 18 14 разработка

измерений и базовых -- -- -- метрологической

конструкций установок 22 12 10 аппаратуры нового

автоматизированного поколения для

измерения параметров исследования и

нелинейных моделей контроля параметров

сверхвысокочастотных полупроводниковых

полупроводниковых структур, активных

структур, мощных элементов и

транзисторов и сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных монолитных

монолитных интегральных интегральных схем в

схем X-, C-, S-, L- и P- производстве и при их

диапазонов для их использовании

массового производства

17. Исследование и разработка 149,416 84,916 64,5 создание технологии

базовых технологий для ------- ------ ---- унифицированных

создания нового поколения 102 59 43 сверхширокополосных

мощных вакуумно- приборов среднего и

твердотельных сверхвысоко- большого уровня

частотных приборов и мощности

гибридных малогабаритных сантиметрового

сверхвысокочастотных диапазона длин волн и

модулей с улучшенными сверхвысокочастотных

массогабаритными магнитоэлектрических

характеристиками, приборов для

магнитоэлектрических перспективных

приборов сверхвысоко- радиоэлектронных

частотного диапазона, в систем и аппаратуры

том числе циркуляторов и связи космического

фазовращателей, вентилей, базирования (2009

высокодобротных год), разработка

резонаторов, комплектов

перестраиваемых фильтров, документации в

микроволновых приборов со стандартах единой

спиновым управлением для системы

перспективных конструкторской,

радиоэлектронных систем технологической и

двойного назначения производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

18. Разработка базовых 118,45 77,5 40,95 разработка

конструкций и технологии ------ ---- ----- конструктивных рядов

производства нового 85,3 58 27,3 и базовых технологий

поколения мощных вакуумно- производства

твердотельных сверхвысоко- сверхширокополосных

частотных приборов и приборов среднего и

гибридных малогабаритных большого уровня

сверхвысокочастотных мощности

модулей с улучшенными сантиметрового

массогабаритными диапазона длин волн и

характеристиками, сверхвысокочастотных

магнитоэлектрических магнитоэлектрических

приборов приборов для

сверхвысокочастотного перспективных

диапазона, в том числе радиоэлектронных

циркуляторов и систем и аппаратуры

фазовращателей, вентилей, связи космического

высокодобротных базирования (2011

резонаторов, год), разработка

перестраиваемых фильтров, комплектов

микроволновых приборов со документации в

спиновым управлением для стандартах единой

перспективных системы

радиоэлектронных систем конструкторской,

двойного назначения технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

19. Исследование и разработка 110,5 65,5 45 создание

процессов и базовых ----- ---- -- технологических

технологий нанопленочных 75,5 45,5 30 процессов

малогабаритных производства

сверхвысокочастотных нанопленочных

резисторно-индуктивно- малогабаритных

емкостных матриц сверхвысокочастотных

многофункционального резисторно-

назначения для печатного индуктивно-

монтажа и сверхбыстродей- емкостных матриц

ствующих (до 150 ГГц) многофункционального

приборов на наногетеро- назначения для

структурах с квантовыми печатного монтажа

эффектами (2008 год), создание

базовой технологии

получения

сверхбыстродействующих

(до 150 ГГц)

приборов на

наногетероструктурах

с квантовыми

эффектами (2009 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации,

ввод в эксплуатацию

производственной

линии

20. Разработка базовых 84,5 50 34,5 создание

конструкций и технологий ----- --- ----- конструктивных рядов

производства нанопленочных 53 30 23 и базовых технологий

малогабаритных производства

сверхвысокочастотных нанопленочных

резисторно-индуктивно- малогабаритных

емкостных матриц сверхвысокочастотных

многофункционального резисторно-

назначения для печатного индуктивно-

монтажа емкостных матриц

многофункционального

назначения для

печатного монтажа

(2011 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

21. Разработка базовой 133,314 63,447 69,867 создание базовой

технологии сверхвысоко- -------- ------- ------- технологии

частотных p-i-n диодов, 88 42 46 производства

матриц, узлов управления и элементов и

портативных фазированных специальных элементов

блоков аппаратуры и блоков портативной

миллиметрового диапазона аппаратуры

длин волн на основе миллиметрового

магнитоэлектронных диапазона длин волн

твердотельных и для нового поколения

высокоскоростных цифровых средств связи,

приборов и устройств с радиолокационных

функциями адаптации и станций,

цифрового радионавигации,

диаграммообразования измерительной

техники,

автомобильных

радаров, охранных и

сигнальных устройств

(2009 год),

разработка комплектов

документации в

стандартах единой

системы

конструкторской,

технологической и

производственной

документации, ввод в

эксплуатацию

производственной

линии

22. Разработка базовых 2323,262 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 210,129 224,55 создание

технологий создания мощных --------- ---- ------- -------- ------ ---- ------ ------- ------ конструктивных рядов

вакуумных сверхвысоко- 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 и базовых технологий

частотных устройств проектирования и

производства мощных и

сверхмощных вакуумных

сверхвысокочастотных

приборов для

аппаратуры широкого

назначения нового

поколения (2009 год,

2011 год), включая

разработку

конструкций

многолучевых

электронно-оптических

систем, включая

автоэмиссионные

катоды повышенной

мощности и

долговечности (2012

год), мощных

широкополосных ламп

бегущей волны

импульсного и

непрерывного

действия,

магнетронов, тетродов

миллиметрового

диапазона (2013 год),

малогабаритных

ускорителей

электронов с энергией

до 10 МЭВ для

терапевтических и

технических

приложений (2014 год)

23. Разработка базовых 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых

технологий создания мощных -------- ------- -------- -------- ------ ------- ------- -------- ------- конструкций и

твердотельных сверхвысоко- 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 технологий

частотных устройств на изготовления

базе нитрида галлия сверхвысокочастотных

мощных приборов на

структурах с

использованием

нитрида галлия (2008

год, 2010 год),

включая:

создание

гетеропереходных

полевых транзисторов

с барьером Шоттки с

удельной мощностью до

3 - 4 Вт/мм и

рабочими напряжениями

до 30 В, исследования

и разработку

технологий получения

гетероструктур на

основе слоев нитрида

галлия на изоляторе и

высокоомных подложках

(2013 год),

разработку технологии

получения

интегральных схем,

работающих в

экстремальных

условиях (2015 год)

24. Исследование перспективных 1046,46 160,2 99,5 274,5 298,88 213,38 исследование

типов сверхвысоко- -------- ------ ------ ------ ------- ------- технологических

частотных приборов и 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 принципов

структур, разработка формирования

технологических принципов перспективных

их изготовления сверхвысокочастотных

приборов и структур,

включая создание

наногетероструктур,

использование

комбинированных

(электронных и

оптических методов

передачи и

преобразования

сигналов),

определение

перспективных методов

формирования

приборных структур,

работающих в

частотных диапазонах

до 200 ГГц

25. Разработка перспективных 1021,25 49,2 331,7 221,4 242,25 176,7 создание полного

методов проектирования и -------- ----- ------ ------ ------- ------ состава прикладных

моделирования 684,4 32,8 224,7 147,6 161,5 117,8 программ

сложнофункциональной проектирования и

сверхвысокочастотной оптимизации

электронной компонентной сверхвысокочастотной

базы электронной

компонентной базы,

включая

проектирование

активных приборов,

полосковых линий

передачи, согласующих

компонентов,

формируемых в едином

технологическом

процессе

Всего по направлению 1 9697,875 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 861,134 753,005

--------- -------- -------- -------- ------ -------- -------- -------- --------

6409,486 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 574,086 502

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26. Разработка базовой 106,65 60 46,65 создание технологии

технологии радиационно ------- --- ------ изготовления

стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 микросхем на

интегральных схем уровня структурах "кремний

0,5 мкм на структурах на сапфире" диаметром

"кремний на сапфире" 150 мм (2009 год),

диаметром 150 мм разработка правил

проектирования

базовых библиотек

элементов и блоков

цифровых и аналоговых

сверхбольших

интегральных схем

расширенной

номенклатуры для

организации

производства

радиационно стойкой

элементной базы,

обеспечивающей выпуск

специальной

аппаратуры и систем,

работающих в

экстремальных

условиях (атомная

энергетика, космос,

военная техника)

27. Разработка базовой 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии

технологии радиационно ------- ----- ------ ---- ----- изготовления

стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 микросхем с размерами

интегральных схем уровня элементов 0,35 мкм на

0,35 мкм на структурах структурах "кремний

"кремний на сапфире" на сапфире" диаметром

диаметром 150 мм 150 мм (2013 год),

разработка правил

проектирования

базовых библиотек

элементов и блоков

цифровых и аналоговых

сверхбольших

интегральных схем,

обеспечивающих

создание расширенной

номенклатуры

быстродействующей и

высокоинтегрированной

радиационно стойкой

элементной базы

28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание

проектирования и -------- ---- ------- технологического

конструктивно- 164 87 77 базиса (технология

технологических решений проектирования,

библиотеки логических и базовые технологии),

аналоговых элементов, позволяющего

оперативных запоминающих разрабатывать

устройств, постоянных радиационно стойкие

запоминающих устройств, сверхбольшие

сложнофункциональных интегральные схемы на

радиационно стойких блоков структурах "кремний

контроллеров по технологии на изоляторе" с

"кремний на изоляторе" с проектной нормой до

проектными нормами до 0,25 0,25 мкм (2009 год)

мкм

29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание

проектирования и ------ ----- ------ ----- ----- технологического

конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 базиса (технология

технологических решений проектирования,

библиотеки логических и базовые технологии),

аналоговых элементов, позволяющего

оперативных запоминающих разрабатывать

устройств, постоянных радиационно стойкие

запоминающих устройств, сверхбольшие

сложнофункциональных интегральные схемы на

радиационно стойких блоков структурах "кремний

контроллеров по технологии на изоляторе" с

"кремний на изоляторе" с проектной нормой до

проектными нормами до 0,18 0,18 мкм

мкм

30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание

технологических процессов ------- --- ------ технологического

изготовления радиационно 97,65 63 34,65 процесса изготовления

стойкой элементной базы сверхбольших

для сверхбольших интегральных схем

интегральных схем энергонезависимой,

энергозависимой радиационно стойкой

пьезоэлектрической и сегнетоэлектрической

магниторезистивной памяти памяти уровня 0,35

с проектными нормами 0,35 мкм и базовой

мкм и пассивной технологии создания,

радиационно стойкой изготовления и

элементной базы аттестации

радиационно стойкой

пассивной электронной

компонентной базы

(2009 год)

31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание

технологических процессов ------- ----- ------ ------ ---- технологического

изготовления радиационно 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 процесса изготовления

стойкой элементной базы сверхбольших

для сверхбольших интегральных схем

интегральных схем энергонезависимой

энергозависимой радиационно стойкой

пьезоэлектрической и сегнетоэлектрической

магниторезистивной памяти памяти уровня 0,18

с проектными нормами 0,18 мкм (2010 год) и

мкм и пассивной создания,

радиационно стойкой изготовления и

элементной базы аттестации

радиационно стойкой

пассивной электронной

компонентной базы

(2013 год)

32. Разработка технологии 110,736 58,609 52,127 разработка

"кремний на сапфире" -------- ------- ------ расширенного ряда

изготовления ряда 73 38 35 цифровых процессоров,

лицензионно-независимых микро-контроллеров,

радиационно стойких оперативных

комплементарных полевых запоминающих

полупроводниковых программируемых и

сверхбольших интегральных перепрограммируемых

схем цифровых процессоров устройств, аналого-

обработки сигналов, цифровых

микроконтроллеров и схем преобразователей в

интерфейса радиационно стойком

исполнении для

создания специальной

аппаратуры нового

поколения

33. Разработка технологии 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии

структур с ультратонким -------- ------ ------ ----- ----- проектирования и

слоем кремния на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления

микросхем и

сложнофункциональных

блоков на основе

ультратонких слоев на

структуре "кремний на

сапфире", позволяющей

разрабатывать

радиационно стойкие

сверхбольшие

интегральные схемы с

высоким уровнем

радиационной

стойкости (2013 год)

34. Разработка базовой 92,669 51 41,669 разработка

технологии и приборно- ------- --- ------- конструкции и модели

технологического базиса 73,15 40 33,15 интегральных

производства радиационно элементов и

стойких сверхбольших технологического

интегральных схем "система маршрута изготовления

на кристалле", радиационно радиационно стойких

стойкой силовой сверхбольших

электроники для аппаратуры интегральных схем

питания и управления типа "система на

кристалле" с

расширенным

температурным

диапазоном, силовых

транзисторов и

модулей для бортовых

и промышленных систем

управления с

пробивными

напряжениями до 75 В

и рабочими токами

коммутации до 10 А

(2009 год)

35. Разработка элементной базы 74,471 36,2 38,271 создание ряда

радиационно стойких ------ ----- ------- микронанотриодов и

интегральных схем на 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с

основе полевых эмиссионных наивысшей

микронанотриодов радиационной

и микронанодиодов стойкостью для

долговечной

аппаратуры

космического

базирования

36. Создание информационной 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса