|
Трудовые действия
|
Разработка топологии тестовых структур для характеризации параметров элементов монолитных интегральных схем (МИС)
|
|
Разработка топологии МИС СВЧ, согласование их с технологами, внесение необходимых изменений
|
|
Разработка и подготовка файлов для электронной литографии с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
|
|
Разработка и подготовка файлов для изготовления фотошаблонов с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
|
|
Необходимые умения
|
Применять метод декомпозиции при анализе тестовых структур и МИС СВЧ
|
|
Оценивать допуски на элементы при межоперационном контроле параметров
|
|
Переходить от схемы принципиальной электрической к топологии МИС СВЧ, используя систему автоматизации проектирования (САПР)
|
|
Планировать и оптимизировать контрольные операции в процессе прохождения пластин по технологическому маршруту
|
|
Осуществлять разработку топологии тестовых структур на пластине для проведения межоперационного контроля совместно с технологами
|
|
Выбирать методики измерения параметров тестовых структур при межоперационном контроле технологического процесса
|
|
Выбирать оборудование для межоперационного контроля
|
|
Анализировать статистическими методами результаты измерения параметров тестовых структур и делать заключение об их нахождении в пределах заданных допусков, приемлемых для достижения технических требований на МИС
|
|
Рассчитывать параметры МИС с учетом особенностей топологии
|
|
Разрабатывать техническое задание на изменение технологии
|
|
Взаимодействовать с технологическими подразделениями при передаче топологии в производство
|
|
Подготавливать файлы необходимых форматов для электронных шаблонов проекционной литографии
|
|
Работать на установке изготовления фотошаблонов
|
|
Необходимые знания
|
Основы технологии производства МИС СВЧ
|
|
Основы статистического анализа
|
|
Методы статистической обработки данных и теории чувствительности устройств к разбросам параметров компонент
|
|
Теория и методы планирования эксперимента
|
|
Методики межоперационного контроля
|
|
Параметры гетероструктур и материалов, применяемых в технологии МИС СВЧ
|
|
Теория допусков применительно к наноэлектронике СВЧ
|
|
Методы разработки библиотек моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
|
|
Современные системы проектирования топологии СВЧ-устройств и МИС СВЧ
|
|
Топологические библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
|
|
Оборудование для измерения и контроля параметров тестовых структур и МИС СВЧ
|
|
Методология системы менеджмента качества
|
|
Основы технологии электронной литографии
|
|
Методики и нормативная документация на подготовку конструкторской документации (КД) для электронной литографии
|
|
Основы технологии изготовления фотошаблонов для проекционной литографии
|
|
Методики и нормативная документация на подготовку КД для изготовления фотошаблонов
|
|
Другие характеристики
|
Деятельность, направленная на создание топологий МИС СВЧ, являющихся интеллектуальным продуктом, защищаемым авторами как "Топология ИС"
|