|
Трудовые действия
|
Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений
|
|
Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
|
|
Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ
|
|
Необходимые умения
|
Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках
|
|
Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения
|
|
Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ
|
|
Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ
|
|
Составлять планы проведения экспериментальных работ
|
|
Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ
|
|
Рассчитывать параметры на основе математических моделей
|
|
Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ
|
|
Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования
|
|
Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов
|
|
Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ
|
|
Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов
|
|
Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
|
|
Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
|
|
Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD)
|
|
Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ
|
|
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ
|
|
Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей
|
|
Необходимые знания
|
Технический английский язык
|
|
Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов
|
|
Параметры полупроводниковых материалов
|
|
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
|
|
Основы технологии МИС СВЧ
|
|
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
|
|
Физические основы применения полупроводниковых соединений типа  и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике
|
|
Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ
|
|
Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов
|
|
Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ
|
|
Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств
|
|
Зондовые измерения
|
|
Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
|
|
Системы технологического моделирования (TCAD)
|
|
Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов
|
|
Современное контрольно-измерительное оборудование
|
|
Процедуры разработки и согласования технического задания
|
|
Другие характеристики
|
Ответственность за достоверность результатов моделирования и схемотехнических расчетов для достижения параметров МИС СВЧ
|
|
Деятельность, направленная на решение нетиповых задач конструкторско-технологического характера
|