Документ утратил силу или отменен. Подробнее см. Справку
Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль,...

Приложение. Перечень изменений, вносимых в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль

Приложение

к Указу Президента

Российской Федерации

от 21 июля 2014 г. N 519

ПЕРЕЧЕНЬ

ИЗМЕНЕНИЙ, ВНОСИМЫХ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО

НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ

ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ

ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

1. В разделе 1:

в пунктах 1.1.1.1 и 1.1.1.3 код ТН ВЭД "3919 90 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "3919 90 000 0";

в пунктах 1.1.2.1 и 1.1.2.2.1 коды ТН ВЭД "3926 90 910 0; 3926 90 980" заменить кодами ТН ВЭД "3926 90 920 0; 3926 90 970";

в пункте 1.1.3 код ТН ВЭД "3919 90 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "3919 90 000 0";

в пункте 1.1.4:

в пункте 1.1.4.1:

слова "коробки противогазов с фильтрами" заменить словами "фильтрующие коробки противогазов";

слово "(CAS 5299-64-9);" заменить словом "(CAS 5299-64-9)";

дополнить примечанием и техническим примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 1.1.4.1 включает противогазы с принудительной подачей воздуха, разработанные или модифицированные для защиты от поражающих факторов, перечисленных в пункте 1.1.4.1

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.1.4.1:

а) противогазами также называются полнолицевые маски;

б) фильтрующие коробки противогазов также включают фильтрующие картриджи;";

в пункте 1.1.4.2 код ТН ВЭД "4015 19 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "4015 19 000 0";

в пункте 1.1.4.3 код ТН ВЭД "9027 80 970 0" заменить кодом ТН ВЭД "9027 80 990 9";

в пункте 1.1.4.4 слова "Электронное оборудование, разработанное" заменить словами "Электронное оборудование и его компоненты, разработанные";

подпункт "б" примечания изложить в следующей редакции:

"б) к снаряжению или системам, применяемым в системе стандартов безопасности труда, конструктивно или функционально ограниченным защитой от факторов риска в целях обеспечения безопасности в гражданской области, например:

в горном деле;

при работе в карьерах;

в сельском хозяйстве;

в фармацевтической промышленности;

в медицинской промышленности;

в ветеринарии;

при работах по охране окружающей среды;

при сборе и утилизации отходов;

в пищевой промышленности";

пункт 1.1.5 изложить в следующей редакции:

"1.1.5.

Бронежилеты и компоненты для них:

1.1.5.1.

Бронежилеты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям или неравноценные им по характеристикам, и специально разработанные для них компоненты, в том числе (включая) гибкие защитные элементы;

6211 43 900 0

1.1.5.2.

Жесткие пластины для бронежилетов, обеспечивающие класс баллистической защиты, равный IIIA или менее в соответствии со стандартом Национального института юстиции США NIJ 0101.06 (июль 2008 г.) или его национальным эквивалентом

6914 90 000 0;

7326 19 100 0;

7326 19 900 9;

7326 90 910 0;

7326 90 930 9;

7326 90 980 8";

в примечаниях:

в пункте 2 слова "взрывных устройств" заменить словами "взрывных устройств.";

дополнить пунктом 3 следующего содержания:

"3. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для защиты только от колюще-режущих или тупых предметов";

в пункте 1.1.6.2 код ТН ВЭД "8479 89 970 9" заменить кодом ТН ВЭД "8479 89 970 8";

в пункте 1.1.7.1 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";

в таблице к пункту 1.1.8:

в пункте 32:

подпункт "г" изложить в следующей редакции:

│"г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);"

подпункт "ж" исключить;

пункт 34 исключить;

дополнить пунктами 44 - 48 следующего содержания:

"44.

2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)

45.

4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)

46.

динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)

47.

Тетразины:

а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)

б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)

48.

Энергетические ионические материалы, плавящиеся при температурах от 343 K (70 °C) до 373 K (100 °C) и имеющие скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны более 18 ГПа (180 кбар)";

в пункте 1.2.1.2:

слова "или ее слоев" исключить;

слова "композиционных материалов;" заменить словами "композиционных материалов";

дополнить техническим примечанием следующего содержания:

"Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.2 машины для выкладки ленты имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной от более 25 мм до 305 мм включительно, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в течение процесса выкладки;";

в пункте 1.2.1.4.1 коды ТН ВЭД "8456 90 000 0; 8515 80 990 0" заменить кодами ТН ВЭД "8456 90 800 0; 8515 80 900 0";

в пункте 1.2.1.4.4 коды ТН ВЭД "8514 30 190 0; 8514 30 990 0" заменить кодом ТН ВЭД "8514 30 000 0";

в пункте 1.2.1.7:

слова "или его слоев" исключить;

дополнить техническим примечанием следующего содержания:

"Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.7 машины для выкладки жгута имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной 25 мм или менее, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в процессе выкладки";

технические примечания к пункту 1.2.1 изложить в следующей редакции:

"Технические примечания:

1. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки.

2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой";

в пункте 1.3:

в пунктах 1.3.1.1, 1.3.1.2, 1.3.6.1.1, 1.3.6.2.2 и 1.3.7.5 код ТН ВЭД "3910 00 000 9" заменить кодами ТН ВЭД "3910 00 000 2; 3910 00 000 8";

в пункте 1.3.1.2:

слова "видимого света;" заменить словами "видимого света";

дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 1.3.1.2 не применяется к материалам, специально разработанным или определенным для применения в лазерной маркировке или сварке полимеров;";

в пункте 1.3.1.3.5 код ТН ВЭД "3919 90 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "3919 90 000 0";

после технического примечания дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 1.3.1.3 не применяется к материалам в жидком виде";

в пункте 1.3.2.2.4 коды ТН ВЭД "7608 20 810 9; 7608 20 890 9" заменить кодами ТН ВЭД "7608 20 810 8; 7608 20 890 7";

в пункте 1.3.2.4 коды ТН ВЭД "7606 12 910 9" и "8112 92 200 9" заменить соответственно кодами ТН ВЭД "7606 12 920 9" и "8112 92 210 9";

в примечании слова "подложек, предназначенных для нанесения покрытий" заменить словами "нанесения покрытий на подложки";

в пункте 1.3.3.2 код ТН ВЭД "2803 00" заменить кодом ТН ВЭД "2803 00 000 0";

в пункте 1.3.6.1.2 коды ТН ВЭД "2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 43 000 0; 2903 44; 2903 45;" заменить кодами ТН ВЭД "2903 71 000 0 - 2903 76 900 0; 2903 77 100 0 - 2903 77 900 0;";

в пункте 1.3.6.2.1 код ТН ВЭД "2930 90 850 0" заменить кодами ТН ВЭД "2930 90 600 0; 2930 90 990 0";

в пункте 1.3.6.3 коды ТН ВЭД "2903 46 900 0; 3904 69 900 0" заменить кодами ТН ВЭД "2903 76 900 0; 3904 69 200 0; 3904 69 800 0";

в пункте 1.3.6.4:

коды ТН ВЭД "2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 45 100 0; 3824 90 980 9" заменить кодами ТН ВЭД "2903 77 100 0; 2903 77 200 0; 2903 77 900 0; 3824 90 970 9";

дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 1.3.6.4 не применяется к материалам, определенным и упакованным как медицинская продукция";

в пункте 1.3.7.6 код ТН ВЭД "6914 90 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "6914 90 000 0";

пункт 1.3.8.1.3 изложить в следующей редакции:

"1.3.8.1.3.

Ароматические полиимиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 505 K (232 °C);

3911 90 990 0";

в пунктах 1.3.8.1.4 и 1.3.8.5 слова "513 K (240 °C)" заменить словами "563 K (290 °C)";

технические примечания к пункту 1.3.8 изложить в следующей редакции:

"Технические примечания:

1. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термопластичных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.4 соответственно, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте.

2. Температура перехода

в стеклообразное состояние (Tg) для термореактивных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3 соответственно, определяется с использованием метода трехточечного изгиба, описанного в международном стандарте ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте. Испытание должно проводиться на сухом образце, который достиг минимум 90% степени отверждения при стандартных термореактивных процессах с максимальной температурой перехода в стеклообразное состояние, как это определено в стандарте ASTM E 2160-04 или его национальном эквиваленте";

в пунктах 1.3.9.1 и 1.3.9.2 код ТН ВЭД "3904 69 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "3904 69 800 0";

в пункте 1.3.9.3 код ТН ВЭД "3904 69 900 0" заменить кодами ТН ВЭД "3904 69 200 0; 3904 69 800 0";

техническое примечание к пункту 1.3.10.2 исключить;

в пункте 1.3.10.3:

в подпункте "г" примечания слова "ниже 2043 K (1770 °C);" заменить словами "ниже 2043 K (1770 °C)";

дополнить техническими примечаниями следующего содержания:

"Технические примечания:

1. Для целей расчета удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости или удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3, их значения должны определяться с использованием Метода A, описанного в международном стандарте ISO 10618 (2004) или его национальном эквиваленте.

2. Оценка удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости или удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, должна основываться на механических свойствах содержащихся в них однонаправленных моноволокон до их переработки в неоднонаправленные волокнистые или нитевидные материалы;";

в пунктах 1.3.10.4.1.1 и 1.3.10.4.1.2 коды ТН ВЭД "5402 20 000 0" и "5503 90 900 0" заменить соответственно кодами ТН ВЭД "5402 20 000" и "5503 90 000 0";

в пункте 1.3.10.5 коды ТН ВЭД "3926 90 980 5" и "6815 99 900 0" заменить соответственно кодами ТН ВЭД "3926 90 970 5" и "6815 99 000";

в пункте 1.3.11.2 код ТН ВЭД "3824 90 980 9" заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 970 9";

в пункте 2.1.1.2 код ТН ВЭД "8505 90 100 0" заменить кодом ТН ВЭД "8505 90 200 0";

в технических примечаниях к пункту 2.2:

в пункте 5:

в абзаце первом цифры "1997" заменить цифрами "2006";

подпункт "е" определения заявленной точности позиционирования изложить в следующей редакции:

"е) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем 00000001.wmz, равным или менее (лучше), чем заявленная точность позиционирования каждой модели станка плюс 2 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования.";

дополнить пунктом 6 следующего содержания:

"6. Для целей пункта 2.2 не следует учитывать погрешность измерения точности позиционирования станков, определенную в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (2006) или его национальным эквивалентом";

в пункте 2.2.1:

слова ", а также специально разработанные для них компоненты" исключить;

в пункте 2 примечаний:

абзац первый изложить в следующей редакции:

"2. Пункт 2.2.1 не применяется к специальным станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих изделий:";

в подпункте "г" слова "ювелирных изделий." заменить словами "ювелирных изделий; или";

дополнить подпунктом "д" следующего содержания:

"д) зубных протезов.";

в пункте 2.2.1.1:

в подпункте "а":

слова "вдоль любой линейной оси", цифры "4,5" и "1997" заменить соответственно словами "вдоль одной линейной оси или более", цифрами "3" и "2006";

коды ТН ВЭД "8464 90 800 0; 8465 99 100 0" заменить кодами ТН ВЭД "8464 90 000 0; 8465 99 000 0";

в пункте 2.2.1.2:

в подпункте "а" слова "вдоль любой линейной оси", цифры "4,5" и "1997" заменить соответственно словами "вдоль одной линейной оси или более", цифрами "3" и "2006";

подпункт "б" изложить в следующей редакции:

"б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления и имеют любую из следующих характеристик:

Примечание.

Станки с механизмом параллельной кинематики определены в пункте 4 подпункта "б" пункта 2.2.1.2

1) точность позиционирования вдоль одной линейной оси или более со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (2006) или его национальным эквивалентом, с рабочей зоной менее 1 м;

2) точность позиционирования вдоль одной линейной оси или более со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (2006) или его национальным эквивалентом, с рабочей зоной от 1 м до 2 м;

3) точность позиционирования вдоль одной линейной оси или более со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 + 7 x (L - 2) мкм (где L - длина рабочей зоны в метрах) или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (2006) или его национальным эквивалентом, с рабочей зоной 2 м или более; или

4) являющиеся станками с механизмом параллельной кинематики

Техническое примечание.

Станок с механизмом параллельной кинематики - станок, имеющий множество штанг, связанных со станиной и исполнительными механизмами, каждый из которых управляет соответствующей штангой одновременно и автономно;";

в подпункте "в" слова "вдоль любой линейной оси" и цифры "1997" заменить соответственно словами "вдоль одной линейной оси или более" и цифрами "2006";

код ТН ВЭД "8464 90 800 0" заменить кодом ТН ВЭД "8464 90 000 0";

в пункте 2.2.1.3:

в подпункте "а" слова "вдоль любой линейной оси" и цифры "1997" заменить соответственно словами "вдоль одной линейной оси или более" и цифрами "2006";

в подпункте "б" примечания цифры "1997" заменить цифрами "2006";

код ТН ВЭД "8464 20 950 0" заменить кодом ТН ВЭД "8464 20 800 0";

в пункте 2.2.1.5 код ТН ВЭД "8456 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8456 90 800 0";

из пункта 2.2.1.6 слова ", и специально разработанные для них компоненты" исключить;

в пункте 2.2.2 код ТН ВЭД "8464 20 950 0" заменить кодом ТН ВЭД "8464 20 800 0";

в пунктах 2.2.5.3, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";

в пункте 2.2.6.2.1:

после абзаца первого дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Лазерные интерферометры для измерения перемещений определены только в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1";

подпункт "б" изложить в следующей редакции:

"б) системы дифференциальных преобразователей для измерения линейных перемещений (LVDT), имеющие все следующие характеристики: 1) имеющие любое из следующего: линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до предела рабочего диапазона для LVDT с пределом рабочего диапазона 00000002.wmz5 мм или менее; или линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до 5 мм для LVDT с пределом рабочего диапазона более 00000003.wmz5 мм; и 2) дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре 00000004.wmz1 K

Техническое примечание.

Для целей подпункта "б" пункта 2.2.6.2.1 пределом рабочего диапазона является половина полного возможного линейного перемещения LVDT. Например, LVDT с пределом рабочего диапазона 00000005.wmz5 мм или менее могут измерять полное возможное линейное перемещение в 10 мм;";

в абзаце пятом подпункта "в" слова "преломления воздуха" заменить словами "преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона";

в пункте 2.2.6.2.2 слово "погрешностью" заменить словом "точностью";

пункт 2.2.6.3 изложить в следующей редакции:

"2.2.6.3.

Оборудование. использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше);

9031 49 900 0";

из пунктов 2.2.8.1 и 2.2.8.2 слова "(например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы)" исключить;

после особого примечания к пункту 2.2.8.2 дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункты 2.2.8.1 и 2.2.8.2 применяются к измерительным элементам, таким как устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы, предназначенным для получения информации о позиционировании при управлении с обратной связью;";

подпункт "а" пункта 2.2.9 изложить в следующей редакции:

"а) три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и";

пункт 2.4.1 изложить в следующей редакции:

"2.4.1.

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2:

2.4.1.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2;

2.4.1.2.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для применения подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1.2, или оборудования, определенного в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9

Примечание.

Пункт 2.4.1 не применяется к программному обеспечению, которое генерирует коды числового программного управления для обработки различных деталей

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2";

в примечаниях к пункту 2.4.2:

в пункте 1 слово "станков" заменить словом "изделий";

в пункте 2 слова "см. пункт 2.4.1" заменить словами "см. пункты 2.4.1 и 2.4.3.";

дополнить пунктом 3 следующего содержания:

"3. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, минимально необходимому для эксплуатации изделий, не определенных в категории 2, и экспортируемому совместно с этими изделиями";

дополнить пунктом 2.4.3 следующего содержания:

"2.4.3.

Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для эксплуатации станков, определенных в пункте 2.2.2, преобразующее функции оптического приспособления, измерения обрабатываемой детали и снятия материала в команды числового программного управления для получения заданной формы детали";

пункт 2.5.1 дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные в пункте 2.2.6.1";

в пункте 3.1:

в пунктах 1 и 2 примечаний слова "или пункте 3.1.1.1.10" заменить словами ", 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11";

в особом примечании слова "или пунктом 3.1.1.1.10" заменить словами ", 3.1.1.1.10 или пунктом 3.1.1.1.11";

в пункте 3.1.1.1.3 коды ТН ВЭД "8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 1; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 909 9";

в пункте 3.1.1.1.4:

в абзаце втором подпункта "а" слова "500 млн." заменить словами "1 млрд.";

коды ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 9; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9";

в пункте 3.1.1.1.6 подпункты "а" и "б" изложить в следующей редакции:

"а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - 500 или более; или

б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 200 Гбит/с или более";

в технических примечаниях:

в пункте 2 слова "бескорпусным кристаллом;" заменить словами "бескорпусным кристаллом.";

дополнить пунктом 3 следующего содержания:

"3. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);";

код ТН ВЭД "8542 39 900 5" заменить кодом ТН ВЭД "8542 39 901 9";

в пункте 3.1.1.1.8 коды ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 9; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9";

в пункте 3.1.1.1.10 коды ТН ВЭД "8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 1; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 909 9";

после технического примечания дополнить пунктом 3.1.1.1.11 следующего содержания:

"3.1.1.1.11.

Интегральные схемы цифровых 8542 39 901 9; синтезаторов с прямым синтезом 8542 39 909 9"; частот, имеющие любую из следующих характеристик:

а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или

б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более

Техническое примечание.

Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала

пункт 2 примечаний к пункту 3.1.1.1 дополнить абзацем следующего содержания:

"трехмерные интегральные схемы;";

пункт 3.1.1.2 дополнить техническим примечанием следующего содержания:

"Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность";

в пункте 3.1.1.2.1.1 код ТН ВЭД "8540 79 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8540 79 000 9";

пункты 3.1.1.2.2 - 3.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:

"3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно;

или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;

8542 31 901 9;

8542 33 000;

8542 39 901 9;

8543 90 000 1

3.1.1.2.3.

Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно;

или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно; или

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.3 включает бескорпусные интегральные схемы, а также интегральные схемы, смонтированные на плате или в корпусе. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3;

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно;

или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%;

или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; или

е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения Рsat (Вт) большую, чем результат от деления величины 400 (Вт 00000006.wmz ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Рsat > 400 / f 2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт 00000007.wmz ГГц2) / (ГГц2)]; относительную ширину полосы частот 5% или более; и любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см00000008.wmzГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть:

d 00000009.wmz 15 / f или в единицах размерности [(см) 00000010.wmz (см00000011.wmzГГц) / (ГГц)]

Техническое примечание.

Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 2,7 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 2,7 ГГц, то есть:

d 00000012.wmz 15 / 2,7 или в единицах размерности [(см) 00000013.wmz (см00000014.wmzГГц) / ГГц]

Особое примечание.

Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2

Примечания:

1. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.4 включает приемопередающие и передающие модули;

8543 70 900 0";

в пунктах 3.1.1.2.5 - 3.1.1.2.7 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";

в пункте 3.1.1.2.8 коды ТН ВЭД "8540 79 000 0; 8542 31 900 3; 8543 70 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8540 79 000 9; 8542 31 901 9; 8543 70 900 0";

в пункте 3.1.1.2.9:

в абзаце первом слово "разработанные" заменить словом "определенные";

в подпункте "а" слова "для 10 Гц" заменить словами "в любом месте диапазона 10 Гц";

в подпункте "б" слова "для 10 кГц" заменить словами "в любом месте диапазона 10 кГц";

в пункте 3.1.1.2.10:

в подпункте "а" цифры "312" заменить цифрами "156";

в подпункте "б" цифры "3,2" заменить цифрами "4,8";

подпункт "д" изложить в следующей редакции:

"д) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц;

е) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или

ж) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 75 ГГц";

в пункте 3.1.1.5.1.2 цифры "250" заменить цифрами "300";

в пункте 3.1.1.5.3 код ТН ВЭД "8505 90 100 0" заменить кодом ТН ВЭД "8505 90 200 0";

в пункте 3.1.1.8 код ТН ВЭД "8504 40 400 0" заменить кодом ТН ВЭД "8504 40 820 8";

из пункта 3.1.2 слова "и принадлежности для нее" исключить;

пункт 3.1.2.1 изложить в следующей редакции:

"3.1.2.1. Записывающая аппаратура и осциллографы:";

пункты 3.1.2.1.1 - 3.1.2.1.4 исключить;

в пункте 3.1.2.1.5 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";

пункт 3.1.2.1.6 изложить в следующей редакции:

"3.1.2.1.6.

Системы записи данных цифровой 8471 50 000 0; аппаратуры, использующие способ 8471 60; хранения на магнитном диске, имеющие 8471 70 200 0; все следующие характеристики, и 8471 70 300 0; специально разработанные для них 8471 70 500 0; устройства записи цифровых данных: 8519 89 900 9;

а) скорость передачи данных цифровой 8521 90 000 9; аппаратуры 100 млн. проб в секунду 8522 90 490 0; при разрешении 8 бит или более; и 8522 90 800 0";

б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более

Техническое примечание.

Системы записи данных цифровой аппаратуры могут быть сконфигурированы со встроенным либо не встроенным в устройство записи цифровых данных устройством преобразования в цифровую форму;

дополнить пунктом 3.1.2.1.7 следующего содержания:

"3.1.2.1.7.

Осциллографы, работающие в реальном 9030 20"; масштабе времени, имеющие вертикальное среднеквадратичное напряжение шума менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке шкалы, обеспечивающей наименьшее значение шума 3 дБ для любого входного сигнала при полосе пропускания 60 ГГц на канал или более

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;

в пункте 3.1.2.2:

в пунктах 3.1.2.2.2 и 3.1.2.2.3 слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";

пункт 3.1.2.2.4 изложить в следующей редакции:

"3.1.2.2.4.

Анализаторы сигналов, имеющие все 9030 20 300 9; следующие характеристики: 9030 32 000 9;

а) полосу частот в реальном масштабе 9030 39 000 9; времени, превышающую 85 МГц; и 9030 84 000 9;

б) стопроцентную вероятность 9030 89 300 0"; обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон

дополнить техническими примечаниями следующего содержания:

"Технические примечания:

1. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.

2. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность для стопроцентной вероятности обнаружения является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения";

в примечании:

цифры "3.1.2.2.2" заменить цифрами "3.1.2.2.4";

слово "динамическим" исключить;

дополнить пунктом 3.1.2.2.5 следующего содержания:

"3.1.2.2.5.

Анализаторы сигналов, имеющие 9030 20 300 9; функцию механизма запуска маски 9030 32 000 9; частоты (триггера маски частоты) 9030 39 000 9; для захвата переходных 9030 84 000 9; (случайных) сигналов, имеющие 9030 89 300 0"; длительность сигнала 15 мкс или менее при стопроцентной вероятности запуска

в пункте 3.1.2.3:

подпункт "а" и техническое примечание к нему изложить следующей редакции:

"а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 75 ГГц, имеющие все следующее:

длительность импульса менее 100 нс;

и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося

сигнала в паузе 65 дБ или более

Техническое примечание.

Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса;";

в подпункте "б" слова "31,8 ГГц" и "70 ГГц" заменить соответственно словами "43,5 ГГц" и "75 ГГц";

в подпункте "в":

абзац второй исключить;

в абзаце третьем слова "3,2 ГГц" заменить словами "4,8 ГГц";

в абзаце седьмом слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";

подпункт "г" и техническое примечание к нему изложить в следующей редакции:

"г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, как определено всем следующим:

меньше (лучше)

- (126 + 20 log 10 F - 20 log 10 f)

в любом месте диапазона 10 Гц < F < 10 кГц в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; и

меньше (лучше)

- (114 + 20 log 10 F - 20 log 10 f)

в любом месте диапазона для 10 кГц 00000015.wmz F < 500 кГц в пределах

диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или

Техническое примечание.

В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц";

в подпункте "д" слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";

техническое примечание к пункту 1 примечаний изложить в следующей редакции:

"Техническое примечание.

Максимальная синтезированная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5";

пункт 3.1.2.4 изложить в следующей редакции:

"3.1.2.4.

Схемные анализаторы, имеющие любое 9030 40 000 0"; из следующего:

а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 75 ГГц;

б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 75 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;

в) нелинейный вектор измерения функциональности на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или

Техническое примечание.

Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения

г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;

в подпункте "а" пункта 3.1.2.5 слова "43,5 ГГц" заменить словами "110 ГГц";

в пункте 3.1.3 код ТН ВЭД "8479 89 970 9" заменить кодом ТН ВЭД "8479 89 970 8";

пункт 3.2.1.1.2 изложить в следующей редакции:

"3.2.1.1.2.

Установки (реакторы) для химического 8486 20 900 9"; осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;

особое примечание исключить;

пункт 3.2.1.2 изложить в следующей редакции:

"3.2.1.2.

Оборудование, разработанное или 8486 20 900 9"; оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:

а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;

б) возможность непосредственного формирования рисунка;

в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или

г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку

полупроводникового материала, нагретую до температуры 600 °C или более;

в пункте 3.2.1.3 код ТН ВЭД "8456 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8456 90 800 0";

пункты 3.2.1.4 - 3.2.1.4.2 исключить;

в пункте 3.2.1.5:

в подпункте "а" слова ", 3.2.1.3 или 3.2.1.4; и" заменить словами "или 3.2.1.3; и";

код ТН ВЭД "8456 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8456 90 800 0";

в пункте 3.2.1.6.1 код ТН ВЭД "8443 39 290 0" заменить кодом ТН ВЭД "8443 39 390 0";

пункт 3.2.1.8 изложить в следующей редакции:

"3.2.1.8.

Многослойные шаблоны с 8486 90 900 3"; фазосдвигающим слоем, не определенные в пункте 3.2.1.6 и имеющие любое из следующего:

а) выполненные на заготовке подложки шаблона из стекла и определенные производителем как имеющие двойное лучепреломление менее 7 нм/см;

б) разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм

пункт 3.3.1.4 дополнить примечанием следующего содержания:

"Примечание.

Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа";

пункт 3.3.2.1 изложить в следующей редакции:

"3.3.2.1.

Резисты, разработанные для 3824 90 970 9"; полупроводниковой литографии:

а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 245 нм;

б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;

в пункте 3.3.2.2 код ТН ВЭД "3824 90 980 9" заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 970 9";

пункт 3.3.2.3 исключить;

в пункте 3.3.2.4:

слова ", включая силилированные резисты" исключить;

техническое примечание исключить;

код ТН ВЭД "3824 90 980 9" заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 970 9";

в пункте 3.3.2.5 код ТН ВЭД "3824 90 980 9" заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 970 9";

в пунктах 3.3.3.1 и 3.3.3.2 код ТН ВЭД "2931 00 950 0" заменить кодами ТН ВЭД "2931 10 000 0; 2931 20 000 0; 2931 90 400 0; 2931 90 900 9";

в пункте 3.3.5 слово "Подложки" заменить словами "Полупроводниковые подложки";

в подпункте "б" пункта 3.5.2 слово "двух" заменить словом "четырех";

в пункте 3.5.3:

подпункт "б" после слова "полупроводниковых" дополнить словом "электронных";

в категории 4:

пункт 4.1.2.1 исключить;

в пункте 4.1.2.2 цифры "1,5" заменить цифрами "8,0";

в пункте 4.1.2.5 код ТН ВЭД "8517 62 000 1" заменить кодом ТН ВЭД "8517 62 000";

после пункта 4.1.3.3 дополнить пунктом 4.1.4 следующего содержания:

"4.1.4.

Системы, оборудование и компоненты, 8471 специально разработанные или 8543 70 900 0"; модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

из примечания к пункту 4.4 слова "разработки, производства или применения" исключить;

в пункте 4.4.1.1 слова "разработки, производства или применения" заменить словами "разработки или производства";

в подпункте "а" пункта 4.4.1.2 слова "превышающую 0,25" заменить словами "превышающую 0,60";

после пункта 4.4.2 дополнить пунктом 4.4.3 следующего содержания:

"4.4.3.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети";

в подпункте "а" пункта 4.5.2 слова "превышающую 0,25" заменить словами "превышающую 0,60";

дополнить пунктом 4.5.3 следующего содержания:

"4.5.3.

Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети";

пункт 6 примечаний к техническому примечанию по определению приведенной пиковой производительности (ППП) к категории 4 после подпункта "б" дополнить техническим примечанием следующего содержания:

"Техническое примечание.

Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице";

в части 1 категории 5:

в пункте 5.1.1:

в пунктах 5.1.1.1.1 - 5.1.1.1.3 коды ТН ВЭД "8517 61 000 9" и "8525 60 000 0; 8543 70 900 9" заменить соответственно кодами ТН ВЭД "8517 61 000 2; 8517 61 000 8" и "8525 60 000 9; 8543 70 900 0";

в пункте 5.1.1.2.2 коды ТН ВЭД изложить в следующей редакции:

"8517 12 000 0;

8517 61 000 2;

8517 61 000 8;

8525 60 000 9";

в пункте 5.1.1.2.3 коды ТН ВЭД "8517 61 000 9; 8525 60 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9";

примечание к подпункту "б" настоящего пункта изложить в следующей редакции:

"Примечание.

Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с любым из следующего:

а) гражданскими системами сотовой радиосвязи; или

б) стационарными или мобильными наземными спутниковыми станциями для гражданских коммерческих сетей связи";

в пункте 5.1.1.2.5:

в подпункте "б" слово "частоты" заменить словом "канала";

после примечания к пункту дополнить техническим примечанием следующего содержания:

"Техническое примечание.

Время переключения канала - время (задержка по времени), необходимое для перехода с одной приемной частоты на другую для достижения диапазона частот в пределах 00000016.wmz0,05% от значения конечной определенной приемной частоты. Изделия, имеющие заданный приемный частотный диапазон в пределах менее 00000017.wmz0,05% около их центральной частоты, определяются как неспособные к переключению частоты канала (часть 1 категории 5)";

в особом примечании к пункту слова "раздела 3" заменить словами "раздела 3;";

в пунктах 5.1.1.2.4 и 5.1.1.2.6 коды ТН ВЭД "8517 61 000 9; 8525 60 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8517 61 000 2; 8517 61 000 8; 8525 60 000 9";

в пункте 5.1.1.4 код ТН ВЭД "8529 10 900 0" заменить кодом ТН ВЭД "8529 10 950 0";

в пункте 5.1.1.5 код ТН ВЭД "8517 61 000 9" заменить кодами ТН ВЭД "8517 61 000 2; 8517 61 000 8";

пункт 5.1.1.6 изложить в следующей редакции:

"5.1.1.6.

Оборудование для прослушивания (перехвата) или глушения (подавления) мобильной дистанционной связи и оборудование для его мониторинга, определенное ниже, а также специально разработанные для такого оборудования компоненты:

5.1.1.6.1.

Оборудование для прослушивания (перехвата), разработанное для выделения сигналов голосовых или информационных данных, передающихся через радиоинтерфейс;

8517 62 000 9;

8517 69 390 0;

8517 69 900 0; 8518 10;

8525 60 000 9;

8543 70 900 0;

9013 20 000 0

5.1.1.6.2.

Оборудование для прослушивания (перехвата), не определенное в пункте 5.1.1.6.1, разработанное для выделения сигналов устройств пользователей или идентификаторов абонентов (например, международный идентификационный номер подвижного абонента (IMSI), временный международный идентификационный номер подвижного абонента (TIMSI) или международная идентификация мобильного оборудования (IMEI-номер), сигнальных или других метаданных, передающихся через радиоинтерфейс

8517 62 000 9;

8517 69 390 0;

8517 69 900 0; 8518 10;

8525 60 000 9;

8543 70 900 0;

9013 20 000 0

Примечание.

Пункты 5.1.1.6.1 и 5.1.1.6.2 не применяются к любому из следующего оборудования:

а) специально разработанному для прослушивания (перехвата) аналоговой частной подвижной радиосвязи (PMR) (стандарт Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике для беспроводных локальных сетей IEEE 802.11 WLAN);

б) разработанному для операторов сетей мобильной дистанционной связи; или

в) предназначенному для разработки либо производства оборудования или систем мобильной дистанционной связи;

г) специальным техническим средствам, проводным и беспроводным (системам, радиоэлектронным и электронным устройствам), предназначенным для негласного прослушивания (перехвата) телефонных переговоров, перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;

5.1.1.6.3.

Оборудование глушения (подавления) сигналов, специально разработанное или модифицированное для умышленного и избирательного вмешательства в работу мобильной дистанционной связи, препятствования ее осуществлению, замедления, ухудшения или сбоя связи и выполняющее любую из следующих функций:

8525 60 000 9;

8526 10 000 9

а) имитирующее функции оборудования сети радиосвязи с абонентами;

б) обнаруживающее и использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM); или

в) использующее специфические характеристики применяемого протокола мобильной сети (например, GSM);

5.1.1.6.4.

Радиочастотное оборудование для мониторинга, разработанное или модифицированное для идентификации работы продукции, определенной в пункте 5.1.1.6.1, 5.1.1.6.2 или 5.1.1.6.3

8517 62 000 9;

8517 69 390 0;

8517 69 900 0;

8526 10 000 9;

8543 70 900 0";

Особое примечание.

Для радиоприемных устройств см. пункт 5.1.1.2.5

в пункте 5.1.1.7:

слова "передатчиками связи без радиолокационных средств" заменить словами "нелокационными передатчиками";

техническое примечание изложить в следующей редакции:

"Техническое примечание.

К нелокационным передатчикам могут относиться коммерческие радио- и телевизионные станции или базовые станции сотовой связи";

пункт 5.1.1.8 и особое примечание к нему изложить в следующей редакции:

"5.1.1.8.

Оборудование, противодействующее самодельным взрывным устройствам, и сопутствующее оборудование:

5.1.1.8.1.

Радиочастотное (RF) передающее оборудование, не определенное в пункте 5.1.1.6, разработанное или модифицированное для преждевременного приведения в действие самодельных взрывных устройств или предотвращения их инициирования;

8517 62 000 9;

8517 69 900 0;

8526 10 000 9

5.1.1.8.2.

Оборудование, использующее методы, разработанные для поддержания линии радиосвязи на тех же частотных

каналах, на которых осуществляется передача находящимся вблизи оборудованием, определенным в пункте 5.1.1.8.1

8517 62 000 9;

8517 69 900 0;

8526 10 000 9";

Особое примечание.

В отношении оборудования, указанного в пункте 5.1.1.8, см. также пункт 5.1.1.2 разделов 2 и 3

дополнить пунктом 5.1.1.9 следующего содержания:

"5.1.1.9.

Системы или оборудование контроля сетевой связи, работающие с протоколом IP, и специально разработанные для них компоненты, имеющие все следующее:

а) выполняющие все следующее в IP-сети (например, национальный уровень передающей по протоколу IP-среды): анализ на прикладном уровне (например, седьмой уровень модели взаимодействия открытых систем (BOC, ISO/IEC 7498-1); извлечение выбранных метаданных и прикладных программ (голос, видео, сообщения, приложения); и индексацию извлеченных данных; и

8471;

8517 62 000;

8517 69 900 0;

8526 10 000 9;

8543 70 900 0;

9030 40 000 0";

б) являющиеся специально разработанными для выполнения всего следующего: поиска на основе четко заданных критериев; и отображения реляционной сети отдельных лиц или группы лиц

Примечание.

Пункт 5.1.1.9 не применяется к системам или оборудованию, специально разработанным для любого из следующего:

а) рекламных целей;

б) оценки качества и класса предоставляемых услуг передачи данных по сети; или

в) оценки квалификации

Техническое примечание.

Четко заданные критерии - данные или набор данных, относящихся к отдельному лицу (например, фамилия, имя, электронная почта, название улицы, номер телефона или принадлежность к группе и т.д.)

в пункте 5.2.1.1 слова "разработки, производства или применения" заменить словами "разработки или производства";

в пункте 5.2.1.2.1:

подпункт "в" изложить в следующей редакции:

"в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования; или

Примечание.

Подпункт "в" пункта 5.2.1.2.1 применяется к оборудованию, специально разработанному для разработки систем, использующих оптический гетеродин в приемной стороне системы с целью синхронизации с несущей частотой лазера

Техническое примечание.

Для целей подпункта "в" пункта 5.2.1.2.1 такая техника включает технику оптического гетеродинирования, оптического синхронного детектирования или интрадирования;";

в подпункте "г" слова "2,5 ГГц" заменить словами "2,5 ГГц; или";

в пункте 5.2.1.2.2 слова "256; или" заменить цифрами "256";

пункт 5.2.1.2.3 исключить;

примечание к пункту 5.5.1.2.4 изложить в следующей редакции:

"Примечание.

Пункт 5.5.1.2.4 не применяется к технологиям разработки любого из следующего:

а) гражданских сотовых радиокоммуникационных систем; или

б) стационарных или мобильных наземных спутниковых станций для гражданских коммерческих сетей связи";

в пункте 5.5.1.3.1 цифры "50" заменить цифрами "120";

подпункт "в" пункта 5.5.1.3.2 изложить в следующей редакции:

"в) использующего технику когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования

Примечание.

Подпункт "в" пункта 5.5.1.3.2 применяется к технологии разработки или производства систем, использующих оптический гетеродин в приемной стороне системы для синхронизации с несущей частотой лазера

Техническое примечание.

Для целей подпункта "в" пункта 5.5.1.3.2 такая техника включает технику оптического гетеродинирования, оптического синхронного детектирования или интрадирования;";

подпункт "в" пункта 5.5.1.3.4 дополнить словом "или";

пункт 5.5.1.3.5 исключить;

пункт 5.5.1.4 изложить в следующей редакции:

"5.5.1.4.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности, специально разработанных для телекоммуникации и имеющих любое из следующего:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15

дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц

Техническое примечание.

Для целей пункта 5.5.1.4 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность";
Полный текст документа вы можете просмотреть в коммерческой версии КонсультантПлюс.
Указ