|
|
2008 - 2015 годы - всего
|
В том числе
|
Ожидаемые результаты
|
|
2008 год
|
2009 год
|
2010 год
|
2011 год
|
2012 год
|
2013 год
|
2014 год
|
2015 год
|
|
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
|
|
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
|
|
1.
|
Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A3B5
|
128,624
----------
84
|
66
----
44
|
62,624
---------
40
|
|
|
|
|
|
|
создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A3B5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
2.
|
Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона
|
202
------
134
|
|
30,5
------
20
|
39,5
------
26
|
53,25
--------
35,5
|
31,8
-------
21,2
|
46,95
-------
31,3
|
|
|
создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы A3B5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
3.
|
Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур
|
212,75
----------
134,75
|
141,75
--------
87,75
|
71
----
47
|
|
|
|
|
|
|
создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)
|
|
4.
|
Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур
|
531
------
375
|
|
20
----
17
|
77,5
------
65
|
163,5
-------
109
|
118
------
80
|
152
------
104
|
|
|
создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
5.
|
Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"
|
149,257
-----------
101,7
|
85,757
---------
59,7
|
63,5
------
42
|
|
|
|
|
|
|
создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
6.
|
Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"
|
248,55
----------
158,1
|
|
5,6
---
5
|
65,8
------
35
|
177,15
---------
118,1
|
|
|
|
|
создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
7.
|
Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий"
|
448,408
-----------
308,75
|
253
-------
169
|
195,408
----------
139,75
|
|
|
|
|
|
|
разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
8.
|
Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков
|
217,44
--------
142
|
|
47
----
30
|
80,09
-------
52
|
58,95
-------
39,3
|
17
------
11,3
|
14,4
-----
9,4
|
|
|
создание базовых технологий проектирования на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
9.
|
Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры
|
114,9
-------
74
|
60
----
40
|
54,9
------
34
|
|
|
|
|
|
|
создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
10.
|
Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры
|
126,913
---------
73,1
|
|
|
79,513
--------
41,5
|
47,4
------
31,6
|
|
|
|
|
создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
11.
|
Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью
|
226
------
152
|
151,2
-----
102
|
74,8
-----
50
|
|
|
|
|
|
|
создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
12.
|
Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и C-диапазонов на основе новых материалов
|
83,5
-----
55
|
|
13
----
8
|
40,5
------
27
|
30
----
20
|
|
|
|
|
создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
|
|
13.
|
Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и C-диапазонов на основе новых материалов
|
109
-----
62
|
|
|
64
----
32
|
45
----
30
|
|
|
|
|
создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
14.
|
Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов
|
13
----
8
|
|
13
----
8
|
|
|
|
|
|
|
создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
15.
|
Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов
|
208,9
--------
115,9
|
|
|
139,9
------
69,9
|
69
----
46
|
|
|
|
|
создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
16.
|
Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства
|
32
----
22
|
18
----
12
|
14
----
10
|
|
|
|
|
|
|
разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
|
|
17.
|
Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения
|
149,416
-----------
102
|
84,916
---------
59
|
64,5
------
43
|
|
|
|
|
|
|
создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
18.
|
Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения
|
118,45
---------
85,3
|
|
|
77,5
------
58
|
40,95
--------
27,3
|
|
|
|
|
разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
19.
|
Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетеро-структурах с квантовыми дефектами
|
110,5
--------
75,5
|
65,5
-------
45,5
|
45
----
30
|
|
|
|
|
|
|
создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
20.
|
Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа
|
84,5
------
53
|
|
|
50
----
30
|
34,5
------
23
|
|
|
|
|
создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
21.
|
Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования
|
133,314
----------
88
|
63,447
---------
42
|
69,867
---------
46
|
|
|
|
|
|
|
создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
|
|
22.
|
Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств
|
2323,262
------------
1528,566
|
338
-----
230
|
295,11
---------
193,1
|
364,823
------------
226,98
|
380,85
---------
253,9
|
320
------
210
|
189,8
--------
124,8
|
210,129
----------
140,086
|
224,55
---------
149,7
|
создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)
|
|
23.
|
Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия
|
1658,481
-----------
1094,1
|
158,001
---------
103
|
253,012
---------
166,5
|
296,269
---------
192,4
|
293,55
----------
195,7
|
287,35
---------
189,9
|
122,05
----------
81,1
|
109,875
---------
73,25
|
138,374
----------
92,25
|
создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3 - 4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
|
|
24.
|
Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления
|
1046,46
----------
698,32
|
|
|
|
160,2
--------
106,8
|
99,5
---------
67,02
|
274,5
--------
183
|
298,88
---------
199,25
|
213,38
---------
142,25
|
исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
|
|
25.
|
Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы
|
1017,375
-----------
680,525
|
|
|
|
49,2
------
32,8
|
331,7
--------
224,7
|
221,4
---------
147,6
|
238,375
----------
157,625
|
176,7
--------
117,8
|
создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
|
|
|
Всего по направлению 1
|
9694
-----------
6405,611
|
1485,57
-----------
993,95
|
1392,821
-----------
929,35
|
1375395
------------
855,78
|
1603,5
---------
1069
|
1205,35
-----------
804,12
|
1021,1
---------
681,2
|
857,259
-----------
570,211
|
753,004
--------
502
|
|
|
Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
|
|
26.
|
Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм
|
106,65
--------
79,65
|
60
-----
38
|
46,65
--------
41,65
|
|
|
|
|
|
|
создание технологии изготовления микросхем на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
|
|
27.
|
Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм
|
286,65
----------
188,1
|
|
|
39,2
------
19,6
|
170,25
--------
113,5
|
53,2
-----
37,2
|
24
------
17,8
|
|
|
создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы
|
|
28.
|
Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе"с проектными нормами до 0,25 мкм
|
245,904
----------
164
|
130
-----
87
|
115,904
-----------
77
|
|
|
|
|
|
|
создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)
|
|
29.
|
Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм
|
365,35
---------
235
|
|
|
108,6
-------
54,3
|
166,05
--------
110,7
|
67,7
--------
52,6
|
23
------
17,4
|
|
|
создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм
|
|
30.
|
Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы
|
141,75
---------
97,65
|
92
----
63
|
49,75
--------
34,65
|
|
|
|
|
|
|
создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)
|
|
31.
|
Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы
|
257,45
---------
159,2
|
|
|
74,6
------
37,3
|
130,35
-------
86,9
|
42,3
-----
28,2
|
10,2
-----
6,8
|
|
|
создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год)
|
|
32.
|
Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса
|
110,736
----------
73
|
58,609
---------
38
|
52,127
---------
35
|
|
|
|
|
|
|
разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения
|
|
33.
|
Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире
|
370,802
-----------
231,7
|
|
|
82,952
---------
39,8
|
190,35
---------
126,9
|
72,6
-------
48,4
|
24,9
------
16,6
|
|
|
создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)
|
|
34.
|
Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления
|
92,669
---------
73,15
|
51
-----
40
|
41,669
----------
33,15
|
|
|
|
|
|
|
разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)
|
|
35.
|
Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов
|
74,471
--------
50,6
|
36,2
------
26,1
|
38,271
---------
24,5
|
|
|
|
|
|
|
создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
|
|
36.
|
Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы
|
256,6
--------
167,3
|
|
|
21,4
-------
10,7
|
25
-------
16,6
|
92,4
-------
61,6
|
117,8
--------
78,4
|
|
|
разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
|
|
37.
|
Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем
|
847,488
----------
565,025
|
|
|
|
105
------
70
|
184,5
------
123
|
251,2
---------
167,5
|
195,038
----------
130,025
|
111,75
---------
74,5
|
создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)
|
|
38.
|
Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления
|
921,488
-----------
613,825
|
|
|
|
187,5
-------
125
|
185
-----
123
|
141,25
--------
94
|
216,75
---------
144,5
|
190,988
----------
127,325
|
разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микро-нанотриодов и микро-нанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
|
|
39.
|
Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы
|
834,4801
-------------
555,9867
|
|
|
|
75
----
50
|
275
------
183
|
210,75
---------
140,5
|
128,1551
------------
85,4367
|
145,575
---------
97,05
|
разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
|
|
40.
|
Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм
|
916,75
---------
602
|
|
|
|
180
-----
120
|
191
------
123
|
177,5
--------
113,5
|
189,75
--------
126,5
|
178,5
-------
119
|
создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на сапфире" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)
|
|
|
Всего по направлению 2
|
5829,2381
-------------
3856,1867
|
427,809
----------
292,1
|
344,371
----------
245,95
|
326,752
----------
161,7
|
1229,5
--------
819,6
|
1163,7
---------
780
|
980,6
--------
652,5
|
729,6931
-------------
486,4617
|
626,813
----------
417,875
|
|
|
Направление 3. Микросистемная техника
|
|
41.
|
Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем
|
184,215
---------
117,9
|
165,053
----------
105,9
|
19,162
--------
12
|
|
|
|
|
|
|
создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
|
|
42.
|
Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем
|
423,712
----------
263,8
|
|
87,239
---------
42,1
|
73,473
---------
49,7
|
108
------
72
|
82,5
--------
55
|
72,5
-------
45
|
|
|
разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
|
|
43.
|
Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем
|
202,784
----------
132,15
|
122,356
-----------
78,55
|
44,428
---------
29,6
|
|
|
|
36
----
24
|
|
|
создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники
|
|
44.
|
Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем
|
411,574
-----------
258,8
|
|
52
----
28
|
103,825
-----------
60,3
|
88,5
-------
59
|
|
167,249
---------
111,5
|
|
|
разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов
|
|
45.
|
Разработка базовых технологий микроаналитических систем
|
37
----
25
|
37
----
25
|
|
|
|
|
|
|
|
создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
|