|
Трудовые действия
|
Проведение верификации параметров исходной топологии (тональность, критичные размеры, габаритные размеры поля фотошаблона, координаты центра, наличие маркировки, метки совмещения, метки для проекционной литографии) на соответствие техническому заданию и правилам проектирования
|
|
Проведение обработки топологии фотошаблона в соответствии с требованиями технического задания (операции позиционирования слоя, изменение тональности слоя, коррекции размеров для каждого слоя, коррекции эффектов оптической близости, коррекции фазового сдвига для слоя с применением фазосдвигающих масок)
|
|
Необходимые умения
|
Проверять ключевые параметры топологии (тональность, критичные элементы, габаритные размеры, метки совмещения, метки проекционной литографии) на соответствие техническому заданию и правилам проектирования
|
|
Проводить конвертацию топологических данных во внутренний формат оборудования
|
|
Владеть методологией коррекции оптических эффектов близости, контроля линейных размеров топологических элементов
|
|
Проводить обработку топологии фотошаблонов в соответствии с требованиями технического задания
|
|
Создавать служебные элементы фотошаблонов: метки совмещения, мультипликации, штрих-код, текстовые метки
|
|
Проводить полный цикл автоматизированного проектирования фотошаблона
|
|
Необходимые знания
|
Технический английский язык
|
|
Оптика - дифракция, интерференция
|
|
Процессы электронно-лучевой и оптической литографии
|
|
Целевые системы автоматизированного проектирования
|
|
Маршрут разработки и проектирования фотошаблонов
|
|
Методики верификации фотошаблонов
|
|
Возможности скриптовых языков
|
|
Базовые маршруты разработки и верификации сверхбольших интегральных схем, в том числе систем на кристалле
|
|
Другие характеристики
|
-
|