3.3. Материалы

3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры

(материалы), состоящие из подложки

с несколькими последовательно

наращенными эпитаксиальными слоями

любого из следующих материалов:

3.3.1.1. Кремний (Si); 3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2. Германий (Ge); 3818 00 900 0

3.3.1.3. Карбид кремния (SiC); или 3818 00 900 0

3.3.1.4. Соединения III - V на основе 3818 00 900 0

галлия или индия

Примечание. Пункт 3.3.1.4 не

применяется к подложкам, имеющим

один эпитаксиальный слой P-типа

или более на основе соединений

GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN,

GaP, InGaP, AlInP или InGaAlP,

независимо от последовательности

элементов, за исключением случаев,

когда эпитаксиальный слой P-типа

находится между слоями N-типа

3.3.2. Резисты, определенные ниже, а

также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1. Резисты, разработанные для 3824 90 970 9

полупроводниковой литографии:

а) позитивные резисты,

приспособленные (оптимизированные)

для использования на длине волны в

диапазоне от 15 до 245 нм;

б) резисты, приспособленные

(оптимизированные) для

использования на длине волны в

диапазоне от более 1 до 15 нм;

3.3.2.2. Все резисты, разработанные для 3824 90 970 9

использования при экспонировании

электронными или ионными пучками,

с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2

или лучше;

3.3.2.3. Исключен. - Приказ ФТС России от 26.09.2014 N 1897

3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 970 9

технологии формирования рисунка

Техническое примечание. Исключено. - Приказ ФТС России

от 26.09.2014 N 1897

3.3.2.5. Все резисты, разработанные или 3824 90 970 9

приспособленные для применения с

оборудованием для литографической

печати, определенным в пункте

3.2.1.6.2 и использующим процесс

термообработки или

светоотверждения

3.3.3. Следующие органо-неорганические

соединения:

3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 10 000 0;

алюминия, галлия или индия с 2931 20 000 0;

чистотой металлической основы 2931 90 400 0;

более 99,999%; 2931 90 900 9

3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 10 000 0;

сурьмы и фосфорорганические 2931 20 000 0;

соединения с чистотой основы 2931 90 400 0;

неорганического элемента более 2931 90 900 9

99,999%

Примечание.

Пункт 3.3.3 применяется только к

соединениям, металлический,

частично металлический или

неметаллический элемент в которых

непосредственно связан с углеродом

органической части молекулы

3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0;

сурьмы, имеющие чистоту более 2850 00 200 0

99,999%, даже будучи растворенными

в инертных газах или водороде

Примечание.

Пункт 3.3.4 не применяется к

гидридам, содержащим 20% или

более молей инертных газов или

водорода

3.3.5. Полупроводниковые подложки 3818 00 900 0

из карбида кремния (SiC),

нитрида галлия (GaN), нитрида

алюминия (AlN) или нитрида галлия-

алюминия (AlGaN) или слитки, були,

а также другие преформы из

указанных материалов, имеющие

удельное сопротивление более 100

Ом·м при 20 °C

3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3818 00 900 0

3.3.5, содержащие по крайней мере

один эпитаксиальный слой из

карбида кремния (SiC), нитрида

галлия (GaN), нитрида алюминия

(AlN) или нитрида галлия-алюминия

(AlGaN)