3.1. Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования

и компонентов, описанных в пункте

3.1, других, нежели описаны в

пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8,

3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11,

и которые специально разработаны

для другого оборудования или имеют

те же самые функциональные

характеристики, как и другое

оборудование, определяется

по контрольному статусу такого

оборудования.

2. Контрольный статус интегральных

схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3

- 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пункте

3.1.1.1.11, которые являются

неизменно запрограммированными

или разработанными для выполнения

определенных функций другого

оборудования, определяется по

контрольному статусу такого

оборудования

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель

или заявитель не может определить

контрольный статус другого

оборудования, этот статус для

интегральных схем определяется в

соответствии с отдельными пунктами

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10

или пунктом 3.1.1.1.11

3.1.1. Электронные компоненты:

3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные

микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1. Интегральные схемы, 8542

спроектированные или относящиеся к

классу радиационно стойких,

выдерживающие любое из следующих

воздействий:

а) суммарную дозу 5 x Гр

(по кремнию) [5 x рад] или

выше;

б) мощность дозы 5 x Гр

(по кремнию)/с [5 x рад/с] или

выше; или

в) флюенс (интегральный поток)

нейтронов (соответствующий энергии

в 1 МэВ) 5 x н/см2 или более

по кремнию или его эквивалент для

других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не

применяется к структуре металл -

диэлектрик - полупроводник

(МДП-структуре);

3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542

микросхемы микроЭВМ, микросхемы

микроконтроллеров, изготовленные из

полупроводниковых соединений

интегральные схемы памяти,

аналого-цифровые преобразователи,

цифроаналоговые преобразователи,

электронно-оптические или

оптические интегральные схемы для

обработки сигналов, программируемые

пользователем логические

устройства, заказные интегральные

схемы, функции которых неизвестны,

или неизвестно, распространяется ли

статус контроля на аппаратуру, в

которой будут использоваться эти

интегральные схемы, процессоры

быстрого преобразования Фурье,

электрически перепрограммируемые

постоянные запоминающие устройства

(ЭППЗУ), память с групповой

перезаписью или статические

запоминающие устройства с

произвольной выборкой (СЗУПВ),

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) работоспособные при температуре

окружающей среды выше 398 K (125

°C);

б) работоспособные при температуре

окружающей среды ниже 218 K (-55

°C); или

в) работоспособные во всем

диапазоне температур окружающей

среды от 218 K (-55 °C) до 398 K

(125 °C)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к

интегральным схемам, используемым

для гражданских автомобилей и

железнодорожных поездов;

3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, 8542 31 901 1;

микросхемы микроЭВМ, микросхемы 8542 31 909 2;

микроконтроллеров, изготовленные на 8542 31 909 8;

полупроводниковых соединениях и 8542 39 909 9

работающие на тактовой частоте,

превышающей 40 МГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает

процессоры цифровых сигналов,

цифровые матричные процессоры и

цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4. Следующие интегральные схемы 8542 31 901 9;

аналого-цифровых преобразователей 8542 31 909 2;

(АЦП) и цифроаналоговых 8542 31 909 8;

преобразователей (ЦАП): 8542 39 901 9;

8542 39 909 9

а) аналого-цифровые

преобразователи, имеющие любую из

следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или

более, но менее 10 бит, со

скоростью на выходе более 1 млрд.

слов в секунду;

разрешающую способность 10 бит или

более, но менее 12 бит, со

скоростью на выходе более 300 млн.

слов в секунду;

разрешающую способность 12 бит со

скоростью на выходе более 200 млн.

слов в секунду;

разрешающую способность более 12

бит, но равную 14 бит или меньше,

со скоростью на выходе более 125

млн. слов в секунду; или

разрешающую способность более 14

бит со скоростью на выходе более

20 млн. слов в секунду

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов

соответствует 2n уровням

квантования.

2. Количество бит в выходном слове

соответствует разрешающей

способности АЦП.

3. Скоростью на выходе является

максимальная скорость на выходе

преобразователя независимо от

структуры или выборки с запасом по

частоте дискретизации.

4. Для многоканальных АЦП выходные

сигналы не объединяются и

скоростью на выходе является

максимальная скорость на

выходе любого канала.

5. Для АЦП с временным разделением

каналов или многоканальных АЦП,

которые в соответствии со

спецификацией имеют режим с

временным разделением каналов,

выходные сигналы объединяются и

скоростью на выходе является

максимальная объединенная общая

скорость на выходе всех выходных

сигналов.

6. Поставщики могут также

ссылаться на скорость на выходе

как на частоту выборки, скорость

преобразования или пропускную

способность. Ее часто определяют в

мегагерцах (МГц) или миллионах

выборок в секунду (Мвыб./с).

7. Для целей измерения скорости на

выходе одно выходное слово в

секунду равнозначно одному герцу

или одной выборке в секунду.

8. Многоканальные АЦП определяются

как устройства, которые объединяют

более одного АЦП, разработанные

так, чтобы каждый АЦП имел

отдельный аналоговый вход.

9. АЦП с временным разделением

каналов определяются как

устройства, имеющие блоки с

многоканальными АЦП, которые

производят выборку одного и того же

аналогового входного сигнала в

различное время таким образом,

чтобы при объединении выходных

сигналов осуществлялись эффективный

выбор аналогового входного сигнала

и его преобразование на более

высокую скорость выборки;

б) цифроаналоговые преобразователи,

имеющие любую из следующих

характеристик:

1) разрешающую способность 10 бит

или более с приведенной скоростью

обновления 3,5 миллиарда выборок в

секунду или более; или

2) разрешающую способность 12 бит

или более с приведенной скоростью

обновления, равной 1,25 миллиарда

выборок в секунду или более, и

имеющие любое из следующего:

время установления сигнала менее 9

нс с точностью 0,024% полной шкалы

от шага полной шкалы; или

динамический диапазон без

паразитных сигналов (SFDR) более 68

дБнч (несущая частота) при

синтезировании аналогового сигнала

полной шкалы в 100 МГц или

наивысшей частоты аналогового

сигнала полной шкалы, определенной

ниже 100 МГц

Технические примечания:

1. Динамический диапазон без

паразитных сигналов (SFDR)

определяется как отношение

среднеквадратичного значения

несущей частоты (максимального

компонента сигнала) на входе ЦАП к

среднеквадратичному значению

следующего наибольшего компонента

шума или гармонического искажения

сигнала на его выходе.

2. SFDR определяется

непосредственно из справочных

таблиц или графиков зависимости

характеристик SFDR от частоты.

3. Сигнал определяется как сигнал

полной шкалы, когда его амплитуда

более -3 дБпш (полная шкала).

4. Приведенная скорость обновления

для ЦАП:

а) для обычных (неинтерполирующих)

ЦАП приведенная скорость обновления

- скорость, на которой цифровой

сигнал преобразуется в аналоговый

сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в

которых интерполяционный режим

может быть обойден (коэффициент

интерполяции 1), следует

рассматривать как обычные

(неинтерполирующие) ЦАП;

б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с

избыточной дискретизацией)

приведенная скорость обновления

определяется как скорость

обновления ЦАП, деленная на

наименьший коэффициент

интерполяции. Для интерполирующих

ЦАП приведенная скорость обновления

может выражаться по-разному, в

том числе как:

скорость ввода данных;

скорость ввода слов;

скорость ввода выборок;

максимальная общая скорость

пропускания шины;

максимальная тактовая частота ЦАП

для входного тактового сигнала ЦАП;

3.1.1.1.5. Электронно-оптические и оптические 8542

интегральные схемы для обработки

сигналов, имеющие одновременно все

перечисленные составляющие:

а) один внутренний лазерный диод

или более;

б) один внутренний

светочувствительный элемент или

более; и

в) световоды;

3.1.1.1.6. Программируемые пользователем 8542 39 901 9

логические устройства, имеющие

любую из следующих характеристик:

а) максимальное количество

цифровых несимметричных входов/

выходов - 500 или более; или

б) совокупную одностороннюю

пиковую скорость передачи данных

последовательного

приемопередатчика (трансивера)

200 Гбит/с или более

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.6 включает:

простые программируемые логические

устройства (ППЛУ);

сложные программируемые логические

устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем

вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем

логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем

межсоединения (ППМС)

Технические примечания:

1. Программируемые пользователем

логические устройства известны

также как программируемые

пользователем логические элементы

(вентили) или программируемые

пользователем логические матрицы.

2. Максимальяное количество цифровых

входов/выходов, определенное в

подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6,

называется также максимальным

количеством пользовательских

входов/выходов или максимальным

количеством доступных входов/

выходов, независимо от того,

является ли интегральная схема

заключенной в корпус или

бескорпусным кристаллом.

3. Совокупная односторонняя

пиковая скорость передачи данных

последовательного

приемопередатчика является

результатом произведения пиковой

скорости передачи данных

последовательного одностороннего

приемопередатчика на количество

приемопередатчиков на

программируемой пользователем

вентильной матрице (ППВМ);

3.1.1.1.7. Интегральные схемы для нейронных 8542

сетей;

3.1.1.1.8. Заказные интегральные схемы, 8542 31 901 9;

функции которых неизвестны или 8542 31 909 2;

изготовителю неизвестен статус 8542 31 909 8;

контроля аппаратуры, в которой 8542 39 901 9;

будут использоваться эти 8542 39 909 9

интегральные схемы, с любой из

следующих характеристик:

а) более 1500 выводов;

б) типовое время задержки основного

логического элемента менее 0,02 нс;

или

в) рабочую частоту, превышающую 3

ГГц;

3.1.1.1.9. Цифровые интегральные схемы, иные, 8542

нежели описанные в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте

3.1.1.1.10, созданные на основе

любого полупроводникового

соединения и характеризующиеся

любым из нижеследующего:

а) эквивалентным количеством

логических элементов более 3000 (в

пересчете на элементы с двумя

входами); или

б) частотой переключения выше 1,2

ГГц;

3.1.1.1.10. Процессоры быстрого преобразования 8542 31 901 1;

Фурье, имеющие расчетное время 8542 31 909 2;

выполнения комплексного N-точечного 8542 31 909 8;

сложного быстрого преобразования 8542 39 909 9

Фурье менее (N log2 N)/20 480 мс,

где N - количество точек

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам,

формула в пункте 3.1.1.1.10 дает

результат времени выполнения 500

мкс

3.1.1.1.11. Интегральные схемы цифровых 8542 39 901 9;

синтезаторов с прямым синтезом 8542 39 909 9

частот, имеющие любую из следующих

характеристик:

а) тактовую частоту

цифроаналогового преобразователя

(ЦАП) 3,5 ГГц или более и

разрешающую способность ЦАП

от 10 до 12 бит; или

б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц

или более и разрешающую

способность ЦАП 12 бит или более

Техническое примечание.

Тактовая частота ЦАП может быть

определена как задающая тактовая

частота или тактовая частота

входного сигнала

Примечания:

1. Контрольный статус подложек

(готовых или полуфабрикатов), на

которых воспроизведена конкретная

функция, оценивается по параметрам,

указанным в пункте 3.1.1.1.

2. Понятие "интегральные схемы"

включает следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные

схемы;

пленочные интегральные схемы,

включая интегральные схемы типа

"кремний на сапфире";

оптические интегральные схемы;

трехмерные интегральные схемы;

3.1.1.2. Компоненты микроволнового или

миллиметрового диапазона:

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.2

пиковой выходной мощностью

в режиме насыщения могут также

называться (в соответствии

со спецификацией производителя)

выходная мощность, выходная

мощность в режиме насыщения,

максимальная выходная мощность,

пиковая выходная мощность

или пиковая огибающая выходная

мощность

3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные

вакуумные лампы и катоды:

3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 8540 79 000 9

непрерывного действия:

а) работающие на частотах,

превышающих 31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода

со временем выхода лампы на

предельную радиочастотную мощность

менее 3 с;

в) лампы с сопряженными

резонаторами или их модификации с

относительной шириной полосы частот

более 7% или пиком мощности,

превышающим 2,5 кВт;

г) спиральные лампы или их

модификации, имеющие любую из

следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот

более одной октавы и произведение

средней мощности (выраженной в кВт)

на рабочую частоту (выраженную в

ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в

одну октаву или менее и

произведение средней мощности

(выраженной в кВт) на рабочую

частоту (выраженную в ГГц) более 1;

или

пригодные для применения в космосе;

3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа 8540 71 000 0

с коэффициентом усиления более 17

дБ;

3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000 0

разработанные для электронных ламп,

эмитирующие в непрерывном режиме и

штатных условиях работы ток

плотностью, превышающей 5 А/см2

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к

лампам, разработанным или

определенным изготовителем для

работы в любом диапазоне частот,

который удовлетворяет всем

следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен

Международным союзом электросвязи

для обслуживания радиосвязи, но не

для радиоопределения.

2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к

лампам, непригодным для применения

в космосе и имеющим все следующие

характеристики:

а) среднюю выходную мощность,

равную или меньше 50 Вт; и

б) разработанным или определенным

изготовителем для работы в любом

диапазоне частот, который

удовлетворяет всем следующим

характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не

превышает 43,5 ГГц; и

диапазон распределен Международным

союзом электросвязи для

обслуживания радиосвязи, но не для

радиоопределения;

3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые 8542 31 901 9;

интегральные схемы (ММИС) - 8542 33 000;

усилители мощности, имеющие любую 8542 39 901 9;

из следующих характеристик: 8543 90 000 1

а) определенные изготовителем

для работы на частотах от более

2,7 до 6,8 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 15% и имеющие любое из

следующего:

пиковую выходную мощность в

режиме насыщения более 75 Вт

(48,75 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 2,7 до 2,9

ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в

режиме насыщения более 55 Вт (47,4

дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт) на любой частоте от

более 2,9 до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 40 Вт (46 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

3,2 до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в

режиме насыщения более 20 Вт (43

дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт) на любой частоте от

более 3,6 до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем

для работы на частотах от более

6,8 до 16 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 10% и имеющие любое из

следующего:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 10 Вт (40 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

6,8 до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в

режиме насыщения более 5 Вт (37

дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт) на любой частоте от

более 8,5 до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 16 до 31,8

ГГц включительно при относительной

ширине полосы частот более 10%;

г) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 31,8 до 37

ГГц включительно;

д) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

1 Вт (30 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 37 до 43,5

ГГц включительно при относительной

ширине полосы частот более 10%;

е) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) для

работы на любой частоте от более

43,5 до 75 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 10%;

ж) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

10 мВт (10 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 75 до 90

ГГц включительно при относительной

ширине полосы частот более 5%; или

з) определенные изготовителем

для работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте выше 90 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС,

номинальные рабочие частоты

которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "з" пункта

3.1.1.2.2, определяется наименьшим

контрольным порогом пиковой

выходной мощности в режиме

насыщения.

2. Пункты 1 и 2 примечаний к

пункту 3.1 подразумевают, что

пункт 3.1.1.2.2 не применяется к

ММИС, если они специально

разработаны для применения,

например, в телекоммуникациях,

радиолокационных станциях,

автомобилях;

3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые 8541 21 00 00;

транзисторы, имеющие любую из 8541 29 00 00

следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для

работы на частотах от более 2,7 до

6,8 ГГц включительно и имеющие

любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 400 Вт (56 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

2,7 до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 205 Вт (53,12 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

2,9 до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 115 Вт (50,61 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

3,2 до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 60 Вт (47,78 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

3,7 до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для

работы на частотах от более 6,8 до

31,8 ГГц включительно и имеющие

любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 50 Вт (47 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

6,8 до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 15 Вт (41,76 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

8,5 до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 40 Вт (46 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

12 до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 7 Вт (38,45 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

16 до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для

работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 31,8 до 37

ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для

работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

1 Вт (30 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 37 до 43,5

ГГц включительно; или

д) определенные изготовителем для

работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте выше 43,5 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус

транзисторов, номинальные рабочие

частоты которых относятся к более

чем одной полосе частот, указанной

в подпунктах "а" - "д" пункта

3.1.1.2.3, определяется наименьшим

контрольным порогом пиковой

выходной мощности в режиме

насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.3 включает

бескорпусные интегральные схемы, а

также интегральные схемы,

смонтированные на плате или в

корпусе. Некоторые дискретные

транзисторы могут также называться

усилителями мощности, но

контрольный статус таких

дискретных транзисторов

определяется пунктом 3.1.1.2.3;

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 70 900 0

усилители и микроволновые

сборки/модули, содержащие такие

усилители, имеющие любую из

следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для

работы на частотах от более 2,7 до

6,8 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 15% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 500 Вт (57 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

2,7 до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 270 Вт (54,3 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

2,9 до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 200 Вт (53 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

3,2 до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 90 Вт (49,54 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

3,7 до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для

работы на частотах от более 6,8 до

31,8 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 10% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 70 Вт (48,54 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

6,8 до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 50 Вт (47 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

8,5 до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 30 Вт (44,77 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

12 до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 20 Вт (43 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

16 до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для

работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 31,8 до 37

ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для

работы с пиковой выходной

мощностью в режиме насыщения более

2 Вт (33 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт) на

любой частоте от более 37 до 43,5

ГГц включительно при относительной

ширине полосы частот более 10%;

д) определенные изготовителем для

работы на частотах выше 43,5 ГГц и

имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 0,2 Вт (23 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

43,5 до 75 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 10%;

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 20 Вт (13 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте от более

75 до 90 ГГц включительно при

относительной ширине полосы частот

более 5%; или

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любой частоте выше 90

ГГц; или

е) определенные изготовителем для

работы на частотах выше 2,7 ГГц и

имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме

насыщения (Вт) большую, чем

результат от деления величины 400

(Вт · ) на максимальную рабочую

частоту f (ГГц) в квадрате,

то есть:

или в единицах размерности [(Вт) >

(Вт · ) / ];

относительную ширину полосы

частот 5% или более; и

любые две взаимно-перпендикулярные

стороны с длиной d (см), равной

или меньше, чем результат

от деления величины 15

(см·ГГц) на наименьшую рабочую

частоту f (ГГц), то есть:

или в единицах размерности

[]

Техническое примечание. Для

усилителей, имеющих номинальный

рабочий диапазон частот,

простирающийся в сторону уменьшения

до 2,7 ГГц и ниже, в формуле

последнего абзаца подпункта "е"

пункта 3.1.1.2.4 значение

наименьшей рабочей частоты f (ГГц)

следует применять равным 2,7 ГГц,

то есть:

или в единицах

размерности []

Особое примечание. Для оценки ММИС

усилителей мощности должны

применяться критерии, определенные

в пункте 3.1.1.2.2

Примечания:

1. Контрольный статус изделий,

номинальные рабочие частоты

которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "д" пункта

3.1.1.2.4, определяется наименьшим

контрольным порогом пиковой

выходной мощности в режиме

насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.4 включает

приемопередающие и передающие

модули;

3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные 8543 70 900 0

фильтры с электронной или магнитной

перестройкой, содержащие более пяти

настраиваемых резонаторов,

обеспечивающих настройку в полосе

частот с соотношением максимальной

и минимальной частот 1,5 : 1

() менее чем за 10 мкс, и

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) полосу пропускания частоты более

0,5% от резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее

0,5% от резонансной частоты;

3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители на 8543 70 900 0

гармониках, разработанные для

расширения частотного диапазона

аппаратуры, описанной в пункте

3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или

3.1.2.5, сверх пороговых значений,

установленных в этих пунктах;

3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности 8543 70 900 0

СВЧ-диапазона, содержащие лампы,

определенные в пункте 3.1.1.2.1, и

имеющие все следующие

характеристики:

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) среднюю выходную мощность по

отношению к массе, превышающую 80

Вт/кг; и

в) объем менее 400 см3

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к

аппаратуре, разработанной или

определенной изготовителем для

работы в любом диапазоне частот,

распределенном Международным

союзом электросвязи для

обслуживания радиосвязи, но не для

радиоопределения;

3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания (ММП), 8540 79 000 9;

содержащие, по крайней мере, лампу 8542 31 901 9;

бегущей волны, монолитную 8543 70 900 0;

микроволновую интегральную схему и 8543 90 000 1

встроенный электронный стабилизатор

напряжения, имеющие все следующие

характеристики:

а) время включения от

выключенного состояния до

полностью эксплуатационного

состояния менее 10 с;

б) физический объем ниже

произведения максимальной

номинальной мощности в ваттах на

10 см3/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы

частот более одной октавы

() и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18

ГГц, радиочастотную выходную

мощность более 100 Вт; или

частоту выше 18 ГГц

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта

3.1.1.2.8 время включения

относится к периоду времени от

полностью выключенного состояния

до полностью эксплуатационного

состояния, то есть оно включает

время готовности ММП.

2. Для подпункта "б" пункта

3.1.1.2.8 приводится следующий

пример расчета физического объема

ММП.

Для максимальной номинальной

мощности 20 Вт физический объем

определяется как 20 [Вт] x 10

[см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение

физического объема является

контрольным показателем и

сравнивается с фактическим

физическим объемом ММП;

3.1.1.2.9. Гетеродины или сборки гетеродинов, 8543 20 000 0

определенные для работы со всем

нижеследующим:

а) фазовым шумом одной боковой

полосы (ОБП) в единицах

(дБ по шкале C шумомера)/Гц лучше

-(126 + 20 log10F - 20 log10f)

в любом месте диапазона

10 Гц < F < 10 кГц; и