3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование

3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для

производства полупроводниковых

приборов или материалов и

специально разработанные

компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1. Оборудование, разработанное для

эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8486 10 000 9

производство слоя из любого

материала, отличного от кремния, с

отклонением равномерности толщины

менее 2,5% на расстоянии 75 мм

или более

Примечание.

Пункт 3.2.1.1.1 включает

оборудование для эпитаксиального

выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8486 20 900 9

химического осаждения из паровой

фазы металлоорганических

соединений, разработанные для

эпитаксиального выращивания

полупроводниковых соединений из

материала, содержащего два или

более из следующих элементов:

алюминий, галлий, индий, мышьяк,

фосфор, сурьма или азот;

Особое примечание. Исключено. - Приказ ФТС России

от 26.09.2014 N 1897;

3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно- 8486 10 000 9

эпитаксиального выращивания с

использованием газообразных или

твердых источников;

3.2.1.2. Оборудование, разработанное или 8486 20 900 9

оптимизированное для ионной

имплантации, имеющее любую из

следующих характеристик:

а) энергию пучка 20 кэВ или более

и силу тока пучка 10 мА или более

для водородных, дейтериевых или

гелиевых имплантатов;

б) возможность непосредственного

формирования рисунка;

в) энергию пучка 65 кэВ или более

и силу тока пучка 45 мА или более

для высокоэнергетической

имплантации кислорода в нагретую

подложку полупроводникового

материала; или

г) энергию пучка 20 кэВ или более

и силу тока пучка 10 мА или более

для имплантации кремния в подложку

полупроводникового материала,

нагретую до температуры 600 °C или

более;

3.2.1.3. Оборудование для сухого 8456 90 800 0;

анизотропного плазменного 8486 20 900 2

травления, разработанное или

оптимизированное для создания

всего следующего:

а) критических размеров 65 нм или

менее; и

б) внутренней неоднородности

пластины (подложки), равной или

меньше 10% (3), измеренной, за

исключением контура (кромки),

равного 2 мм или менее;

3.2.1.4 - 3.2.1.4.2. Исключены. - Приказ ФТС России от 26.09.2014 N 1897

3.2.1.5. Автоматически загружаемые 8456 10 00;

многокамерные системы с 8456 90 800 0;

центральным транспортно- 8479 50 000 0;

загрузочным устройством для 8486 20 900 2;

пластин (подложек), имеющие все 8486 20 900 3

следующее:

а) средства сопряжения для

загрузки и выгрузки пластин

(подложек), разработанные цля

возможности присоединения более

двух отличных по функциональным

возможностям инструментов для

обработки полупроводников,

определенных в пунктах 3.2.1.1,

3.2.1.2 или 3.2.1.3; и

б) разработанные для создания

интегрированной системы

последовательной многопозиционной

обработки пластин (подложек) в

вакууме

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.2.1.5

инструменты для обработки

полупроводников относятся к

инструментам модульной

конструкции, которые

обеспечивают такие, отличные

по функциональности, физические

процессы производства

полупроводников, как осаждение,

травление, ионная имплантация или

термообработка.

2. Для целей пункта 3.2.1.5

многопозиционная обработка пластин

(подложек) означает возможность

обрабатывать каждую пластину

(подложку) с помощью различных

инструментов для обработки

полупроводников, например, путем

передачи каждой пластины

(подложки) от первого инструмента

ко второму и далее к третьему

посредством автоматически

загружаемых многокамерных систем с

центральным транспортно-

загрузочным устройством

Примечание.

Пункт 3.2.1.5 не применяется к

автоматическим роботизированным

системам цля загрузки-разгрузки

пластин (подложек), специально

разработанным для параллельной

обработки пластин (подложек);

3.2.1.6. Оборудование для литографии:

3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин 8443 39 390 0

с использованием методов

оптической или рентгеновской

литографии с пошаговым совмещением

и экспозицией (непосредственно на

пластине) или сканированием

(сканер), имеющее любое из

следующего:

а) источник света с длиной волны

короче 245 нм; или

б) возможность формирования

рисунка с минимальным разрешаемым

размером элемента 95 нм и менее

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер

элемента (МРР) рассчитывается по

следующей формуле:

МРР = (длина волны источника света

в нанометрах) x (К фактор) /

(числовая апертура), где К фактор

= 0,35;

3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для 8443 39;

печати, способное создавать 8486 20 900

элементы размером 95 нм или менее

Примечание.

Пункт 3.2.1.6.2 включает:

а) инструментальные средства для

микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для

горячего тиснения;

в) литографические

инструментальные средства

для нанопечати;

г) литографические

инструментальные средства

для поэтапной и мгновенной

печати;

3.2.1.6.3. Оборудование, специально 8456 10 00;

разработанное для изготовления 8486 20 900 3;

шаблонов или производства 8486 40 000 1

полупроводниковых приборов с

использованием методов

непосредственного формирования

рисунка, имеющее все

нижеследующее:

а) использующее отклоняемый

сфокусированный электронный,

ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих

характеристик:

размер пятна менее 0,2 мкм;

возможность формирования рисунка с

размером элементов менее 1 мкм;

или

точность совмещения слоев

лучше 0,20 мкм (3 сигма);

3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 8486 90 900 3

разработанные для производства

интегральных схем, определенных в

пункте 3.1.1;

3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 8486 90 900 3

фазосдвигающим слоем, не

определенные в пункте 3.2.1.6 и

имеющие любое из следующего:

а) выполненные на заготовке

подложки шаблона из стекла и

определенные производителем как

имеющие двойное лучепреломление

менее 7 нм/см;

б) разработанные для применения в

литографическом оборудовании,

имеющем длину волны источника

оптического излучения менее 245 нм

Примечание.

Пункт 3.2.1.8 не применяется к

многослойным шаблонам с

фазосдвигающим слоем,

разработанным для изготовления

запоминающих устройств, не

определенных в пункте 3.1.1;

3.2.1.9. Литографические шаблоны для 8486 90 900 3

печати, разработанные для

интегральных схем, определенных в

пункте 3.1.1

3.2.2. Оборудование, специально

разработанное для испытания

готовых или находящихся в разной

степени изготовления

полупроводниковых приборов, и

специально разработанные для этого

компоненты и приспособления:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 380 0

транзисторных приборов на частотах

выше 31,8 ГГц;

3.2.2.2. Для испытания микроволновых 9030;

интегральных схем, определенных в 9031 20 000 0;

пункте 3.1.1.2.2 9031 80 380 0