Раздел 7. Оборудование и его части для ядерных испытаний, а также соответствующие технологии

┌───────────────┬───────────────────────────────────┬────────────┐

│7.1. │Осциллографы и регистраторы│ │

│ │переходных процессов и специально│ │

│ │разработанные для них части, в том│ │

│ │числе: сменные блоки, внешние│ │

│ │усилители, предусилители,│ │

│ │устройства для снятия сигнала и│ │

│ │электронно - лучевые трубки для│ │

│ │аналоговых осциллографов │ │

│ │ │ │

│7.1.1. │Немодульные аналоговые│9030209000 │

│ │осциллографы, имеющие ширину полосы│ │

│ │1 ГГц или более │ │

│ │ │ │

│7.1.2. │Модульные аналоговые│9030209000 │

│ │осциллографические системы, имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) основное устройство с шириной│ │

│ │полосы 1 ГГц или более; или │ │

│ │б) сменные модули с индивидуальной│ │

│ │шириной полосы 4 ГГц или более │ │

│ │ │ │

│7.1.3. │Аналоговые стробоскопические│9030209000 │

│ │осциллографы для исследования│ │

│ │периодических процессов с│ │

│ │эффективной шириной полосы более 4│ │

│ │ГГц │ │

│ │ │ │

│7.1.4. │Цифровые осциллографы и│9030209000 │

│ │регистраторы переходных процессов,│ │

│ │использующие методы аналого -│ │

│ │цифрового преобразования, способные│ │

│ │запоминать переходные процессы│ │

│ │путем последовательного│ │

│ │стробирования одиночных входных│ │

│ │сигналов с последовательными│ │

│ │интервалами менее 1 нс (более 1│ │

│ │миллиона операций в секунду), с│ │

│ │преобразованием в цифровую форму с│ │

│ │разрядностью 8 бит или более и│ │

│ │памятью 256 бит или более │ │

│ │Определение. "Ширина полосы"│ │

│ │определяется как полоса частот, в│ │

│ │пределах которой отклонение на│ │

│ │катоде электронно - лучевой трубки│ │

│ │не уменьшается ниже уровня 70,7% от│ │

│ │отклонения в максимальной точке,│ │

│ │измеренного при подаваемом на│ │

│ │усилитель осциллографа постоянном│ │

│ │входном напряжении │ │

│ │ │ │

│7.2. │Фотоумножительные трубки с площадью│8540209000 │

│ │фотокатода более 20 кв. см, имеющие│ │

│ │время нарастания импульса на аноде│ │

│ │менее 1 нс │ │

│ │ │ │

│7.3. │Сверхскоростные импульсные│8543200000 │

│ │генераторы с напряжением на выходе│ │

│ │более 6 В при резистивной нагрузке│ │

│ │менее 55 Ом и со временем│ │

│ │нарастания (длительности фронта)│ │

│ │импульса менее 500 пс (определяется│ │

│ │как временной интервал между 10% и│ │

│ │90% амплитуды напряжения) │ │

│ │ │ │

│7.4. │Технология разработки, производства│ │

│ │или использования оборудования и│ │

│ │его частей для ядерных испытаний,│ │

│ │указанных в пунктах 7.1 - 7.3 │ │

└───────────────┴───────────────────────────────────┴────────────┘