Категория 13. Электроника

13.1. Системы, оборудование и

компоненты - нет

13.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование -

нет

13.3. Материалы - нет

13.4. Программное обеспечение

13.4.1. Программное обеспечение,

разработанное для анализа

нелинейного взаимодействия

пакета волн

13.4.2. Программное обеспечение,

предназначенное для разработки

и производства электрических и

механических элементов антенн,

а также для анализа тепловых

деформаций конструкции антенны

13.4.3. Программное обеспечение,

предназначенное для разработки,

производства или применения

космических элементов

спутниковой системы связи и их

элементов, таких, как:

13.4.3.1. развертываемых антенн, а также

механизмов их развертывания,

включая контроль поверхности

антенн при их изготовлении и

динамический контроль

развернутых антенн;

13.4.3.2. антенных решеток с

фиксированной апертурой,

включая контроль их поверхности

при производстве;

13.4.3.3. антенных решеток, состоящих из

линейки рупорных излучателей,

формирующих диаграмму

направленности путем изменения

фазы сигнала и установки нуля

диаграммы направленности на

источник помех;

13.4.3.4. микрополосковых фазированных

антенных решеток, включая

компоненты для формирования

нуля диаграммы в направлении на

источник помех;

13.4.3.5. трактов передачи энергии от

передатчика к антенне,

обеспечивающих хорошее их

согласование;

13.4.3.6. антенн и компонентов на основе

композиционных материалов для

достижения требуемых

характеристик прочности и

жесткости при минимальном весе,

стабильности длительной их

работы в широком диапазоне

температур

13.4.4. Программное обеспечение,

предназначенное для разработки,

производства или применения

полосовых фильтров с полосой

пропускания менее 0,1% или

более 10% среднего значения

частоты

13.4.5. Программное обеспечение,

предназначенное для разработки

или производства аппаратуры,

указанной в пунктах 13.5.5.1 -

13.5.5.5

13.5. Технологии

13.5.1. Технологии, связанные с

разработкой, производством или

применением вакуумной

электроники, акустоэлектроники

и сегнетоэлектрики:

13.5.1.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения оборудования с

цифровым управлением,

позволяющего осуществлять

автоматическую ориентацию

рентгеновского луча и коррекцию

углового положения кварцевых

кристаллов с компенсацией

механических напряжений,

вращающихся по двум осям при

величине погрешности 10 угловых

секунд или менее, которая

поддерживается одновременно для

двух осей вращения;

13.5.1.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения оборудования для

равномерного покрытия

поверхности мембран, электродов

и волоконно - оптических

элементов монослоями

биополимеров или биополимерных

композиций

13.5.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения криогенной техники:

13.5.2.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения низкотемпературных

контейнеров, криогенных

трубопроводов или

низкотемпературных

рефрижераторных систем

закрытого типа, предназначенных

для получения и поддержания

регулируемых температур ниже

100 К и пригодных для

использования на подвижных

наземных, морских, воздушных и

космических платформах

13.5.3. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения источников СВЧ и

микроволнового излучения

большой мощности (более 2,5

кВт):

13.5.3.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения мощных

переключателей, таких, как

водородные тиратроны, и их

компонентов, в том числе:

13.5.3.1.1. эффективных устройств

охлаждения путем рассеяния

тепла;

13.5.3.1.2. малоразмерных элементов для

уменьшения индуктивности

приборов и улучшения

характеристики di/dt;

13.5.3.1.3. катодов большой площади;

13.5.3.1.4. устройств получения длительных

(до 30 с) импульсов;

13.5.3.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения волноводов и их

компонентов, в том числе:

13.5.3.2.1. массового производства одно- и

двухгребневых волноводов и

высокоточных волноводных

компонентов;

13.5.3.2.2. механических конструкций и

вращающихся сочленений;

13.5.3.2.3. устройств охлаждения

ферромагнитных компонентов;

13.5.3.2.4. прецизионных волноводов

миллиметровых волн и их

компонентов;

13.5.3.2.5. ферритовых деталей для

использования в ферромагнитных

компонентах волноводов;

13.5.3.2.6. ферромагнитных и механических

деталей для сборки

ферромагнитных узлов

волноводов;

13.5.3.2.7. материалов типа

"диэлектрикферрит" для

управления фазой сигнала и

уменьшения размеров антенны;

13.5.3.3. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения СВЧ и ВЧ - антенн,

специально предназначенных для

ускорения ионов

13.5.4. Технологии, связанные с

исследованием проблем

распространения радиоволн в

интересах создания

перспективных систем связи и

управления:

13.5.4.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения средств

КВ - радиосвязи, такие, как:

13.5.4.1.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения автоматически

управляемых КВ - радиосистем, в

которых обеспечивается

управление качеством работы

каналов связи;

13.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения устройств настройки

антенн, позволяющих

настраиваться на любую частоту

в диапазоне от 1,5 до 88 МГц,

которые преобразуют начальный

импеданс антенны с

коэффициентом стоячей волны от

3 - 1 и более до 3 - 1 и менее,

и обеспечивающих настройку при

работе в любом из следующих

режимов:

а) в режиме приема за время 200

мс или менее;

б) в режиме передачи за время

200 мс или менее при уровнях

мощности ниже 100 Вт и за 1 с

или менее при уровнях свыше 100

Вт;

13.5.4.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения широкополосных

передающих антенн, имеющих

коэффициент перекрытия

частотного диапазона в пределах

10 и более и коэффициент

стоячей волны не более 4;

13.5.4.3. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения станций

радиорелейной связи,

использующих эффект

тропосферного рассеяния, и их

компонентов, таких, как:

13.5.4.3.1. усилителей мощности для работы

в диапазоне частот от 300 МГц

до 8 ГГц, использующих

жидкостно- и пароохлаждаемые

электронные лампы мощностью

более 10 кВт или лампы с

воздушным охлаждением мощностью

2 кВт или более и коэффициентом

усиления более 20%, включая

усилители, объединенные со

своими источниками

электропитания;

13.5.4.3.2. приемников с уровнем шумов

менее 3 дБ;

13.5.4.3.3. специальных микроволновых

гибридных интегральных схем;

13.5.4.3.4. фазированных антенных решеток,

включая их распределенные

компоненты для формирования

луча;

13.5.4.3.5. адаптивных антенн, способных к

установке нуля диаграммы

направленности в направлении на

источник помех;

13.5.4.3.6. средств радиорелейной связи для

передачи цифровой информации со

скоростью выше 2,1 Мбит/с и

более 1 бит/цикл;

13.5.4.3.7. средств радиорелейной

многоканальной (более 120

каналов) связи с разделением

каналов по частоте;

13.5.4.4. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения космических

спутниковых систем связи и их

элементов, таких, как:

13.5.4.4.1. развертываемых антенн, а также

механизмов их развертывания,

включая контроль поверхности

антенн при их изготовлении и

динамический контроль

развернутых антенн;

13.5.4.4.2. антенных решеток с

фиксированной апертурой,

включая контроль их поверхности

при производстве;

13.5.4.4.3. антенных решеток, состоящих из

линейки рупорных излучателей,

формирующих диаграмму

направленности путем изменения

фазы сигнала и установки нуля

диаграммы направленности на

источник помех;

13.5.4.4.4. микрополосковых фазированных

антенных решеток, включая

компоненты для формирования

нуля диаграммы в направлении на

источник помех;

13.5.4.4.5. трактов передачи энергии от

передатчика к антенне,

обеспечивающих хорошее их

согласование;

13.5.4.4.6. антенн и компонентов на основе

композиционных материалов для

достижения требуемых

характеристик прочности и

жесткости при минимальном весе,

стабильности длительной их

работы в широком диапазоне

температур, включая технологии

стабилизации параметров в

процессе изготовления

компонентов из эпоксидных смол

с графитовым наполнением;

13.5.4.5. Технологии, предназначенные для

разработки или производства

усилителей мощности,

предназначенных для применения

в космосе и имеющих одно из

следующих устройств и

особенностей:

13.5.4.5.1. приборы с теплообменными

устройствами, содержащими схемы

теплопередачи от элемента к

поглотителю тепла мощностью

свыше 25 Вт с площади 900

кв. см;

13.5.4.5.2. блоки, работающие на частотах

18 ГГц или обеспечивающие

следующие мощности: 10 Вт на

частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на

частоте 2 ГГц, или 1 Вт на

частоте 11 ГГц;

13.5.4.5.3. высоковольтные источники

питания, имеющие соотношение

мощность / масса и

мощность / габариты более 1

Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см

13.5.5. Технологии, связанные с

разработкой методов и способов

радиоэлектронной разведки и

подавления:

13.5.5.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения средств

радиоэлектронной разведки и

подавления, такие, как:

13.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения систем разведки и

подавления, управляемых

оператором или работающих

автоматизированно и

предназначенных для перехвата,

анализа, подавления и нарушения

нормальной работы систем связи

всех типов;

13.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения приемников,

работающих с сигналами,

имеющими коэффициент сжатия,

превышающий 100;

13.5.5.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения приемников,

использующих дисперсионные

фильтры и конвольверы с уровнем

побочных сигналов на 20 дБ ниже

основного сигнала;

13.5.5.3. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения приемников,

предназначенных для

обнаружения, перехвата,

анализа, подавления сигналов, в

том числе с модуляцией

распределенным спектром;

13.5.5.4. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения устройств

автоматической настройки

антенны, обеспечивающих ее

перестройку со скоростью не

менее 30 МГц/с;

13.5.5.5. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения средств

автоматического определения

направления, способных

считывать пеленги со скоростями

не менее одного пеленга в

секунду

13.5.6. Технологии, предназначенные для

разработки, изготовления или

применения запоминающих

устройств (ЗУ) на тонких

пленках, такие, как:

13.5.6.1. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения ЗУ на ЦМД;

13.5.6.2. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения материалов и

оборудования для изготовления

ЗУ на ЦМД;

13.5.6.3. Технологии, предназначенные для

выращивания и обработки

материалов для изготовления

подложек ЗУ на магнитных

доменах, например, из материала

на основе галлий -

гадолиниевого граната;

13.5.6.4. Технологии, предназначенные для

эпитаксиального выращивания

пленок для ЗУ на ЦМД;

13.5.6.5. Технологии, предназначенные для

осаждения пермаллоя и

диэлектрика и создания рисунка,

включая металлизацию напылением

или испарением и ионное

фрезерование;

13.5.6.6. Технологии, предназначенные для

компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;

13.5.6.7. Технологии, предназначенные для

разработки ионных имплантантов

и ЗУ с соприкасающимися дисками

и методы создания рисунка

13.5.7. Технологии, предназначенные для

разработки, производства или

применения ЗУ на проволоке с

гальваническим покрытием,

такие, как:

13.5.7.1. Технологии, предназначенные для

разработки или производства ЗУ

на проволоке с гальваническим

покрытием, включая:

13.5.7.1.1. подготовку бериллиево - медной

подложки для обеспечения чистой

и однородной поверхности;

13.5.7.1.2. покрытие медью для обеспечения

требуемых плотности и

шероховатости проволоки;

13.5.7.1.3. конструирование устройств для

нанесения покрытий требуемых

составов, однородности и

толщины пермаллойного (никелево

- железного) магнитного

материала на проволочные

подложки;

13.5.7.1.4. автоматизированные испытания в

ходе нанесения покрытия на

проволоку и проверка после

окончания процесса с тем, чтобы

гарантировать нужные параметры;

13.5.7.2. Технологии, предназначенные для

разработки или производства

запоминающих устройств на

проволоке, такие, как:

13.5.7.2.1. Технологии, предназначенные для

разработки или производства

магнитных экранов для

запоминающих устройств, в том

числе пермаллойного слоя;

13.5.7.2.2. Технологии, предназначенные для

разработки или производства

туннельных структур для

плотного и дешевого размещения

элементов ЗУ на проволоке с

гальваническим покрытием;

13.5.7.2.3. Технологии, предназначенные для

разработки или производства

ферритовых слоев для

формирования линий магнитного

потока и увеличения плотности

упаковки вдоль проволоки с

нанесенным покрытием