ПЕРЕЧЕНЬ

ИЗМЕНЕНИЙ, ВНОСИМЫХ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО

НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ

ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ

ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

"1.1.2.

Конструкции из следующих композиционных материалов объемной или слоистой структуры:

1.1.2.1.

Состоящие из любых следующих материалов:

3926 90 920 0;

3926 90 970";

а) органической матрицы и волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10.3 или 1.3.10.4; или

б) препрегов и преформ, определенных в пункте 1.3.10.5;

"Особое примечание.

В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункт 1.1.1 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3";

"4. Для целей пункта 1.1.4 радиоактивными материалами являются радиоизотопы, выделенные или модифицированные для нанесения вреда человеку или животным, выведения из строя оборудования, нанесения ущерба урожаю или окружающей среде";

"50.

5,6-(3',4'-фуразана)-1,2,3,4-тетразина-1,3-диоксид (FTDO)";

"2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой. Полностью или частично пропитанными смолой являются в том числе нитевидные ленты, покрытые сухим порошком, которые приклеиваются при нагревании";

"1.3.1.2.

Материалы, непрозрачные для видимого света и специально разработанные для поглощения ближних инфракрасных (NIR) излучений, имеющих длину волны от более 810 нм до менее 2000 нм (частоты более 150 ТГц, но менее 370 ТГц)

3815 19;

3910 00 000 2;

3910 00 000 8";

"4. Вакуумное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее в результате быстрого выделения растворенного в металле газа в вакуум.

5. Газовое распыление - процесс распыления струи расплавленного металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в газовой струе высокого давления.

6. Центробежное распыление - процесс превращения струи или находящегося в ванне расплавленного металла посредством центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее.

7. Скоростная закалка капли - процесс быстрого затвердевания расплавленного металла, ударяющегося об охлажденное препятствие с образованием хлопьевидного продукта.

8. Спиннингование расплава - процесс быстрого затвердевания струи расплавленного металла, падающей на вращающийся охлаждаемый барабан, формирующий продукт в виде проволоки, ленты или чешуек.

9. Измельчение - процесс получения частиц материала (порошка) посредством дробления или размалывания.

10. Экстракция расплава - процесс быстрого затвердевания сплава и экстракции продукта в виде ленты посредством введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в ванну с расплавленным металлическим сплавом.

11. Механическое легирование - процесс приготовления сплава, заключающийся в образовании химических связей, разрушении, разрыве и образовании одних и тех же связей между порошками чистых компонентов и порошками мастер-сплавов путем механического воздействия. В сплав могут быть введены и неметаллические частицы путем добавления соответствующих порошков.

12. Плазменное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее с использованием плазмотронов в среде инертного газа.

13. Быстрое затвердевание - процесс, в котором затвердевание расплава материала происходит при скоростях охлаждения, превышающих 1000 К/с";

"1.3.7.3.

Композиционные материалы с керамической матрицей:";

"1.3.7.3.1.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, усиленными любым из следующего:

а) непрерывными волокнами любой из следующих систем: AL₂O₃ (CAS 1344-28-1); или

Si-C-N; или

2849;

2850 00;

8803 90 200 0;

8803 90 300 0;

8803 90 900 0;

9306 90

Примечание.

Подпункт "а" пункта 1.3.7.3.1 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000 °C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000 °C) за 100 ч

б) волокнами, имеющими все следующие характеристики:

изготовлены из любых следующих материалов:

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; или

Si-O-N; и

имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 10³ м;

1.3.7.3.2.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора

2849 20 000 0;

2849 90 100 0;

2850 00 200 0;

8113 00 200 0;

8113 00 900 0";

Особые примечания:

1. В отношении материалов, ранее определенных в пункте 1.3.7.3, см. подпункт "б" пункта 1.3.7.3.1.

2. В отношении материалов, ранее определенных в пункте 1.3.7.4, см. пункт 1.3.7.3.2.

3. В отношении материалов, определенных в пунктах 1.3.7.3 - 1.3.7.3.2, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;

"1.3.7.5.

Следующие материалы-предшественники, специально разработанные для производства материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:

а) полидиорганосиланы;

б) полисилазаны;

в) поликарбосилазаны

3910 00 000 2;

3910 00 000 8";

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.7 материалы-предшественники - это полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения, используемые для производства карбида кремния, нитрида кремния и керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами;

"Техническое примечание.

Связанные волокна - состоящая из связанных между собой термопластичных и армирующих волокон волоконная заготовка, в которой волокна первого типа являются прекурсором матрицы;";

"Технические примечания:

1. Углеродные волокнистые преформы - упорядоченно расположенные непокрытые или покрытые волокна, образующие каркас изделия, который затем заполняется матрицей, в результате чего формируется композиционный материал.

2. Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA T_g) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом";

"Техническое примечание.

Эффективный грамм для изотопа плутония определяется как вес изотопа в граммах;";

"Технические примечания:

1. Предварительно обогащенный - полученный с применением любого процесса в целях увеличения концентрации контролируемого изотопа.

2. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла";

"Технические примечания:

1. Кольцо - неотъемлемая часть радиального роликового подшипника с одной или несколькими дорожками качения (ISO 5593:1997).

2. Тело качения - шарик или ролик, перемещающийся по дорожкам качения (ISO 5593:1997);";

"2.2.5.

Оборудование, специально разработанное для осаждения неорганических покрытий, слоев, их обработки и активного управления процессом их нанесения и модификации поверхности, например для формирования подложек, определенных в колонке 2 таблицы к пункту 2.5.3.6, с использованием процессов, определенных в колонке 1 названной таблицы, а также специально разработанные для такого оборудования автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:";

"2.2.6.2.

Приборы или системы для измерения линейных перемещений, линейные устройства обратной связи и электронные сборки:

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0";

Примечание.

Интерферометры и оптические кодирующие устройства систем измерения, содержащие лазер, определены только в пункте 2.2.6.2.3

"2.2.6.2.1.

Измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.6.2.1 измерительные системы бесконтактного типа - системы для измерения расстояния между датчиком и измеряемым объектом вдоль единственного вектора, при этом датчик или измеряемый объект находится в движении;

2.2.6.2.2.

Линейные устройства обратной связи, специально разработанные для станков и имеющие точность менее (лучше) (800 + (600 x L/1000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах)

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0";

"2.2.6.2.3.

Измерительные системы, имеющие все следующие характеристики:

а) содержащие лазер;

б) имеющие разрешение на полной шкале 0,2 нм или меньше (лучше); и

в) способные достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона, равной или меньше (лучше) (1,6 + L/2000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах) и измеренной в течение 30 секунд при температуре 20 °C 1 °C; или

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0";

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.6.2 разрешением является наименьшее приращение показаний измерительного устройства, в цифровых приборах - младший бит

2.2.6.2.4.

Электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в пункте 2.2.6.2.3;

"2.2.6.3.

Вращающиеся устройства обратной связи, специально разработанные для станков, или приборы для измерения угловых перемещений с точностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,9 угловой секунды

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0";

Примечание.

Пункт 2.2.6.3 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

"2.2.6.4.

Оборудование, использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)

9031 49 900 0";

"2.2.8.

Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, специально разработанные для станков:";

"2.2.8.3.

Составные поворотные столы, имеющие все следующие характеристики:

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) имеющие две вращающиеся оси, одновременно скоординированные для контурного управления

8466";

Техническое примечание.

Составной поворотный стол - стол, позволяющий вращать и наклонять деталь относительно двух непараллельных осей;

"2.2.8.4.

Качающиеся шпиндели, имеющие все следующие характеристики:

8466";

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) одновременно скоординированные для контурного управления

"Технические примечания:

1. Гидравлическое прессование прямого действия - процесс деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой.

2. Горячее изостатическое уплотнение - процесс прессования отливок при температурах выше 375 К (102 °C) в герметичном объеме через различные среды (газообразную, жидкую, твердые порошки и так далее), создающий гидростатическое давление и имеющий целью уменьшение или исключение их пористости;";

"3.1.1.1.2.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, включающие в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы (при условии, что их функции неизвестны или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы), процессоры быстрого преобразования Фурье, статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ) или энергонезависимые запоминающие устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542";

"Техническое примечание.

Энергонезависимые запоминающие устройства - устройства с функцией сохранения данных после выключения источника питания;";

"а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 600 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 250 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 65 млн. выборок в секунду

Особое примечание.

Для интегральных схем, включающих в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением;";

"Особое примечание.

Для программируемых логических интегральных схем, совместимых с аналого-цифровыми преобразователями, см. пункт 3.1.1.1.12";

"3.1.1.1.12.

Интегральные схемы, выполняющие все следующее или программируемые для выполнения всего следующего:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0";

а) аналого-цифровые преобразования, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и

б) любое из следующего:

хранение цифровых данных; или

обработка цифровых данных

Особые примечания:

1. Для аналого-цифровых преобразователей см. подпункт "а" пункта 3.1.1.1.4.

2. Для программируемых пользователем логических устройств см. пункт 3.1.1.1.6

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

"имеющие электронную пушку с координатной привязкой;";

"д) вакуумные электронные устройства с относительной шириной полосы частот, равной 10% или более, имеющие любое из следующего: кольцевой пучок электронов;

пучок электронов, несимметричный относительно оси; или множественные пучки электронов;";

"3.1.1.2.1.3.

Термоэлектронные катоды, разработанные для вакуумных электронных устройств, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см², или в импульсном (прерывающемся) режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 10 А/см²;

8540 99 000 0";

"3.1.1.2.1.4.

Вакуумные электронные устройства с возможностью работы в двухканальном режиме

8540 99 000 0";

Техническое примечание.

Двухканальный режим означает, что вакуумное электронное устройство может переключаться между непрерывным и импульсным режимами работы через сеть и имеет пиковую выходную мощность больше, чем выходная мощность при непрерывном излучении

"Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.2.1 вакуумными электронными устройствами являются электронные устройства, основанные на взаимодействии пучка электронов с электромагнитной волной, распространяющейся в вакуумном контуре, или взаимодействующие с радиочастотными вакуумными резонаторами. К вакуумным электронным устройствам относятся клистроны, лампы бегущей волны и их производные;";

"Особое примечание.

ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии с пунктом 3.1.1.2.11";

"Особые примечания:

1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2.

2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11.

3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6";

"Примечание.

Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения;";

"3.1.1.2.10.

Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0";

а) менее 143 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

д) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц

"3.1.1.2.11.

Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0";

а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), P_sat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате,

то есть: P_sat > 505,62 Вт x ГГц²/f_ГГц² для любого канала;

б) относительную ширину полосы частот 5% или более для любого канала;

в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:

d 15 см x ГГц x N/f_ГГц,

где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и

г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;

Технические примечания:

1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (f_ГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение до 2,7 ГГц и ниже, то есть:

d 15 см x ГГц x N/2,7 ГГц.

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).

7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов

"Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.

2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот";

"3.1.1.5.1.1.

Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре 20 °C:

8506";

а) плотность энергии, превышающую 550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или

б) плотность энергии, превышающую 550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг;

"5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность";

"Примечание.

Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;";

"3.1.1.9.

Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или

б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением () является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор";

"б) имеющие любую из следующих характеристик:

стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; или

функцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее";

"Технические примечания:

1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.

2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.

3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.

4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений";

"а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и";

"Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования без временного разделения каналов выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования с временным разделением каналов частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением";

"3.2.1.10.

Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики:

8486 90 900 3";

а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; и

б) совместимые со стандартом SEMI P37

Техническое примечание.

"Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм

"3.2.2.1.

Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3;

9031 80 380 0

3.2.2.2.

Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2

9030;

9031 20 000 0;

9031 80 380 0";

"3.3.5.

Материалы с высоким сопротивлением:

а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Омсм при температуре 20 °C;

б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10 000 Омсм при температуре 20 °C и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) на поверхности подложки

3818 00 900 0";

"Примечание.

Пункт 3.5.1 не применяется:

а) к технологиям для оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;

б) к технологиям для интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:

использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и

содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее;

в) к инструментарию по технологической подготовке производства до тех пор, пока он не включает в себя библиотеки, выполняющие функции или включающие технологии для изделий, определенных в пункте 3.1.1";

"Техническое примечание.

К инструментарию по технологической подготовке производства относится пакет программного обеспечения, предоставленный производителем полупроводников, предназначенный для гарантирования того, что приняты во внимание требуемые практики и правила для успешного производства интегральных схем определенного дизайна в определенном полупроводниковом процессе в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводников имеет свой собственный инструментарий по технологической подготовке производства)";

"Техническое примечание.

Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа";

"Технические примечания:

1. ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя.

2. Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.

3. Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная в целях использования оптического излучения для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных между собой оптических устройствах";

"Примечание.

Пункт 4.4.3 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному для предоставления обновлений или модернизации программного обеспечения (ограниченного указанными функциями), соответствующему всему следующему:

а) обновление или модернизация запускается только при авторизации владельцем или администратором системы, получающей обновление или модернизацию; и

б) после обновления или модернизации обновленное или модернизированное программное обеспечение не является любым из следующего:

программным обеспечением, определенным в пункте 4.4.3; или

программным обеспечением, предназначенным для несанкционированного доступа в компьютерные сети";

"Примечания:

1. Пункты 4.5.1 и 4.5.3 не применяются к технологиям обнаружения уязвимостей и реагирования на кибератаку.

2. Пункт 1 настоящего примечания не ограничивает право национального уполномоченного органа страны-экспортера убедиться в соответствии технологий условиям пунктов 4.5.1 и 4.5.3

Технические примечания:

1. Обнаружение уязвимостей - осуществление идентификации уязвимостей, формирование отчета об обнаруженных уязвимостях, передача такого отчета индивидуальным пользователям или организациям, ответственным за обеспечение безопасности либо координирующим ее восстановление, для проведения анализа в целях устранения уязвимости.

2. Реагирование на кибератаку - обмен необходимой информацией о зафиксированной кибератаке между индивидуальными пользователями или организациями, ответственными за обеспечение безопасности либо координирующими ее восстановление, в целях рассмотрения такой кибератаки";

"5.1.1.1.3.

Специально разработанное для функционирования при температуре ниже 218 К (-55 °C); или

8517 12 000 0;

8517 61 000 2;

8517 61 000 8;

8517 69 390 0;

8525 60 000 9;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 70 900 0";

"5.1.1.1.4.

Специально разработанное для функционирования при температуре выше 397 К (124 °C)

8517 12 000 0;

8517 61 000 2;

8517 61 000 8;

8517 69 390 0;

8525 60 000 9;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 70 900 0";

"Примечания:

1. Пункты 5.1.1.1.3 и 5.1.1.1.4 применяются только к электронному оборудованию.

2. Пункты 5.1.1.1.2 - 5.1.1.1.4 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников";

"Примечания:

1. Пункт 5.1.1.4 не применяется к фазированным антенным решеткам с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS).

2. Пункт 5.1.1.4 не применяется к антеннам, специально разработанным для любого из следующего:

а) гражданских сотовых или беспроводных локальных сетей систем радиосвязи;

б) беспроводной ближней коротковолновой радиосвязи (на расстояниях до 30 м), позволяющей объединять устройства разных типов для передачи речи и данных, или беспроводного HDMI-стандарта; или

в) стационарных или мобильных спутниковых наземных станций, используемых для коммерческих гражданских телекоммуникаций";

"Техническое примечание.

Для целей пункта 5.1.1.4 фазированной антенной решеткой с электронным управлением диаграммой направленности является антенна, формирующая луч посредством фазовых соотношений (то есть направление луча управляется сложными относительными комплексными амплитудами возбуждения излучающих элементов), при этом направление луча может изменяться посредством приложения электрического сигнала (как при приеме, так и при передаче) по азимуту или высоте либо по обеим координатам одновременно";

"Особое примечание.

В отношении приемного оборудования глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС), содержащего или использующего функции дешифрования, см. пункт 7.1.5, а в отношении дешифрующего программного обеспечения и технологий см. пункты 7.4.5 и 7.5.1";

"5.1.2.1.

Разработанные или модифицированные для использования криптографии в целях обеспечения конфиденциальности данных, использующие симметричный алгоритм с длиной ключа, превышающей 56 бит, или эквивалент (при этом криптографические возможности могут использоваться, были активированы или могут быть активированы посредством криптографической активации без использования безопасного механизма), такие как:

а) оборудование, для которого защита информации является основной функцией;

б) системы, оборудование или компоненты, предназначенные для цифровой передачи данных, не определенные в подпункте "а" настоящего пункта;

в) ЭВМ и другое оборудование, основной функцией которых является хранение и обработка информации, и компоненты для них, не определенные в подпункте "а" или "б" настоящего пункта

8471;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 70 900 0";

Особое примечание.

Для операционных систем см. также подпункт "а" пункта 5.4.2.1 и подпункт "а" пункта 5.4.2.3;

г) оборудование, не определенное в подпунктах "а" - "в" настоящего пункта, в котором функция криптографии для обеспечения конфиденциальности данных, использующая симметричный алгоритм с длиной ключа, превышающей 56 бит, или эквивалент, соответствует всему следующему:

обеспечивает вспомогательные функции оборудования; и

выполняется встроенным оборудованием или программным обеспечением, которое в качестве отдельного элемента определено в части 2 категории 5

Технические примечания:

1. Для целей пункта 5.1.2.1 криптографию, предназначенную для обеспечения конфиденциальности данных, следует рассматривать как криптографию, которая использует цифровые методы и выполняет криптографическую функцию, отличную от любой из указанных ниже:

а) аутентификации;

б) электронно-цифровой подписи;

в) контроля целостности данных;

г) безотказности;

д) управления цифровыми правами, включая выполнение программного обеспечения, защищенного от копирования;

е) шифрования или дешифрования в целях поддержки управления в сфере развлечений, массовых коммерческих трансляций или ведения медицинской документации; или

ж) управления ключами (распределения ключевой информации) для поддержки любой из функций, описанных в подпунктах "а" - "е" настоящего технического примечания.

2. Для целей пункта 5.1.2.1 симметричный алгоритм с длиной ключа, превышающей 56 бит, или эквивалент соответствует любому из следующего:

а) симметричному алгоритму, использующему ключ с длиной, превышающей 56 бит, не считая битов четности; или

б) асимметричному алгоритму, защита которого базируется на любом из следующих методов:

разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA);

вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи - Хеллмана над Z/pZ); или

дискретных логарифмах в группе, отличной от названной в абзаце третьем настоящего подпункта, размером, превышающим 112 бит (например, алгоритм Диффи - Хеллмана над эллиптической кривой)