Приложение. ИЗМЕНЕНИЯ И ДОПОЛНЕНИЯ, ВНОСИМЫЕ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ

"1.2.2. Оборудование для производства

металлических сплавов, порошкообразных

металлических сплавов или сплавленных

материалов, специально предназначенное

для того, чтобы предотвратить

загрязнения, и специально разработанное

для использования в одном из процессов,

указанных в пункте 1.3.2.3.2";

пункт 1.3.2 изложить в следующей редакции:

"1.3.2. Металлические сплавы, порошки

металлических сплавов или сплавленные

материалы следующего типа:

Примечание. По пункту 1.3.2 не

контролируются металлические сплавы,

порошки металлических сплавов или

сплавленные материалы, предназначенные

для грунтующих покрытий

Технические примечания: 1. К

металлическим сплавам, указанным в

пункте 1.3.2, относятся те, которые

содержат больший процент (по весу)

указанного металла, чем других

элементов

2. Срок эксплуатации до разрыва

следует определять в соответствии со

стандартной методикой ASTM Е-139 или

ее национальным эквивалентом

3. Показатель циклической усталости

должен определяться в соответствии со

стандартной методикой ASTM Е-606

"Рекомендаций по тестированию на

усталость при небольшом количестве

циклов и постоянной амплитуде" или ее

национальным эквивалентом. Тестирование

следует производить в осевом

направлении при среднем значении

показателя нагрузки, равном единице, и

коэффициенте концентрации нагрузки

(Кt), равном единице. Средняя нагрузка

определяется как частное от деления

разности максимальной и минимальной

нагрузок на максимальную нагрузку

1.3.2.1. Алюминиды, такие, как:

1.3.2.1.1. Никелевые алюминиды, содержащие 7502200000

минимально 15% (по весу), максимально

38% (по весу) алюминия и не менее

одного дополнительного элемента сплава;

1.3.2.1.2. Титановые алюминиды, содержащие 10% (по 810810100

весу) или более алюминия и не менее

одного дополнительного элемента сплава

1.3.2.2. Металлические сплавы, изготовленные из

материалов, контролируемых по пункту

1.3.2.3, такие, как:

1.3.2.2.1. Никелевые сплавы: 7502200000

а) со сроком эксплуатации 10000 часов

или более до разрыва в условиях

нагружения на уровне 676 МПа при

температуре 923 К (650 град. С); или

б) с низким показателем циклической

усталости, 10000 циклов или более, при

температуре 823 К (550 град. С) и

максимальном нагружении 1095 МПа;

1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы: 8112913100;

а) со сроком эксплуатации 10000 часов 8112993000

или более до разрыва в условиях

нагружения на уровне 400 МПа при

температуре 1073 К (800 град. С); или

б) с низким показателем циклической

усталости, 10000 циклов или более, при

температуре 973 К (700 град. С) и

максимальном нагружении 700 МПа;

1.3.2.2.3. Титановые сплавы: 810810100

а) со сроком эксплуатации 10000 часов

или более до разрыва в условиях

нагружения на уровне 200 МПа при

температуре 723 К (450 град. С); или

б) с низким показателем циклической

усталости, 10000 циклов или более, при

температуре 723 К (450 град. С) и

максимальном нагружении 400 МПа;

1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом прочности 760120;

на растяжение: 7604291000;

а) 240 МПа или более при температуре 7608209100;

473 К (200 град. С); или 7608209900

б) 415 МПа или более при температуре

298 К (25 град. С);

1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104

а) с пределом прочности на растяжение

345 МПа или более; и

б) со скоростью коррозии менее 1 мм в

год в 3-процентном водном растворе

хлорида натрия, измеренной в

соответствии со стандартной методикой

ASTM G-31 или ее национальным

эквивалентом

1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или

частицы материала, имеющие все

следующие характеристики:

1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих

композиционных систем:

Техническое примечание. X в

дальнейшем соответствует одному или

более элементам, входящим в состав

сплава

1.3.2.3.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 7504000000

квалифицированные для использования в

составе частей или компонентов турбин

двигателей, т.е. менее чем с тремя

неметаллическими частицами (введенными

в процессе производства) крупнее 100

мкм в 1E9 частицах сплава;

1.3.2.3.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, 8112913100;

Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или 8112993000

Nb-X-Ti);

1.3.2.3.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 810810100

1.3.2.3.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или 7603

Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X

или Al-X-Fe); или

1.3.2.3.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); 8104300000

и

1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде

при помощи одного из нижеследующих

процессов:

а) вакуумного распыления;

б) газового распыления;

в) центробежного распыления;

г) резкого охлаждения;

д) спиннингования расплава и

кристаллизации;

е) экстракции расплава и

кристаллизации;

или

ж) механического легирования

1.3.2.3.3. Способные образовывать материалы,

контролируемые по пунктам 1.3.2.1 или

1.3.2.2;

1.3.2.4. Сплавленные материалы, имеющие все 7503009000;

следующие характеристики: 7504000000;

а) изготовленные из любых 7505120000;

композиционных систем, определенных в 7506;

пункте 1.3.2.3.1; 7603200000;

б) в виде неизмельченных чешуек, лент 7604291000;

или тонких стержней; и 7606129100;

в) изготавливаемые в контролируемой 7606920000;

среде любым из следующих методов: 760719;

1) резкого охлаждения; 8104300000;

2) спиннингования расплава; или 8104900000;

3) экстракции расплава; 810810100;

8108109000;

8108903000;

8112913100;

8112913900;

8112993000";

"2.2.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков,

или контроля размеров, или измерительных систем и

оборудования, такие, как:";

"3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818009000";

"3.4.3.1. Спроектировано для разработки полупроводниковых

приборов или интегральных схем; и

3.4.3.2. Спроектировано для выполнения или использования

любой из следующих составляющих:

а) правил проектирования или правил проверки схем;

б) моделирования схем по их физической топологии;

или

в) имитаторов литографических процессов для

проектирования";

"3.5.2. Технологии, соответствующие общему технологическому

примечанию, другие, чем те, которые контролируются

по пункту 3.5.1, для разработки или производства

микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных

микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих

совокупную теоретическую производительность (СТП)

530 Мтопс или более и арифметико - логическое

устройство с длиной выборки 32 бита или более";

пункт 3.5 дополнить пунктом 3.5.3 следующего содержания:

"3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:

а) вакуумных микроэлектронных приборов;

б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах,

таких, как транзисторы с высокой подвижностью

электронов, биполярных транзисторов на

гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или

приборов на сверхрешетках;

в) сверхпроводящих электронных приборов;

г) подложек пленок алмаза для электронных

компонентов;

д) подложек из структур кремния на диэлектрике

(КНД - структур) для интегральных схем с

диэлектриком из двуокиси кремния;

е) подложек из карбида кремния для электронных

компонентов";

"6.1.3.1.6. Сменные платы, имеющие все следующие 9007190000";

характеристики:

а) специально разработанные для камер

контрольно - измерительных приборов,

имеющих модульную структуру и

контролируемых по пункту 6.1.3.1; и

б) дающие возможность камерам

удовлетворять характеристикам,

установленным в пунктах 6.1.3.1.3,

6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в соответствии

с техническими требованиями

производителей

"6.1.5.2. Полупроводниковые лазеры, такие, как: 8541401100;

а) отдельные с единичной поперечной 9013200000";

модой полупроводниковые лазеры, имеющие

все следующие характеристики:

1) длину волны менее 950 нм или более

2000 нм; и

2) среднюю или выходную мощность в

непрерывном режиме более 100 мВт;

б) отдельные с многократно поперечной

модой полупроводниковые лазеры, имеющие

все следующие характеристики:

1) длину волны менее 950 нм или более

2000 нм; и

2) среднюю или выходную мощность в

непрерывном режиме более 10 Вт;

в) отдельные решетки отдельных

полупроводниковых лазеров, имеющие

любую из следующих характеристик:

1) длину волны менее 950 нм и среднюю

или выходную мощность в непрерывном

режиме более 60 Вт; или

2) длину волны, равную или превышающую

2000 нм, и среднюю или выходную

мощность в непрерывном режиме более 10

Вт

Техническое примечание.

Полупроводниковые лазеры обычно

называются лазерными диодами

Примечания: 1. Пункт 6.1.5.2 включает

полупроводниковые лазеры, имеющие

оптические выходные соединители

(например, волоконно - оптические

гибкие проводники)

2. Статус контроля полупроводниковых

лазеров, специально предназначенных для

другого оборудования, определяется

статусом контроля другого оборудования;

пункт 6.3.2.2 изложить в следующей редакции:

"6.3.2.2. Монокристаллы (включая эпитаксиальные 3818009000;

пластины) любого из следующего: 8107900000";

а) цинкового теллурида кадмия с

содержанием цинка менее 6% по молярным

долям;

б) теллурида кадмия (CdTe) любого

уровня чистоты; или

в) ртутного теллурида кадмия (HgCdTe)

любого уровня чистоты

Техническое примечание. Молярная

доля определяется отношением

молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe,

присутствующих в кристалле

"9.5.3.4. Технологии, требуемые для разработки или

производства вертолетных систем передачи мощности,

или завала конуса лопастей вертолета, или системы

передачи мощности поворотного крыла летательного

аппарата";

"1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849;

керамика - керамика со стеклянной или 285000;

оксидной матрицей, укрепленные 8803909900;

волокнами, имеющие все следующие 930690";

характеристики:

а) изготовленные из любых нижеследующих

материалов:

1)Si-N;

2) Si-C;

3) Si-Al-O-N; или

4) Si-O-N; и

б) имеющие удельную прочность на

растяжение, превышающую 12,7 x 1E3 м;