Категория 13. Электроника

│ │ Категория 13. Электроника │ │

│ │ │ │

│13.1. │Системы, оборудование и│ │

│ │компоненты - нет │ │

│ │ │ │

│13.2. │Испытательное, контрольное и│ │

│ │производственное оборудование -│ │

│ │нет │ │

│ │ │ │

│13.3. │Материалы - нет │ │

│ │ │ │

│13.4. │Программное обеспечение │ │

│ │ │ │

│13.4.1. │Программное обеспечение,│ │

│ │разработанное для анализа│ │

│ │нелинейного взаимодействия│ │

│ │пакета волн │ │

│ │ │ │

│13.4.2. │Программное обеспечение,│ │

│ │предназначенное для разработки│ │

│ │и производства электрических и│ │

│ │механических элементов антенн,│ │

│ │а также для анализа тепловых│ │

│ │деформаций конструкции антенны │ │

│ │ │ │

│13.4.3. │Программное обеспечение,│ │

│ │предназначенное для разработки,│ │

│ │производства или применения│ │

│ │космических элементов│ │

│ │спутниковой системы связи и их│ │

│ │элементов, таких, как: │ │

│ │ │ │

│13.4.3.1. │развертываемых антенн, а также│ │

│ │механизмов их развертывания,│ │

│ │включая контроль поверхности│ │

│ │антенн при их изготовлении и│ │

│ │динамический контроль│ │

│ │развернутых антенн; │ │

│ │ │ │

│13.4.3.2. │антенных решеток с│ │

│ │фиксированной апертурой,│ │

│ │включая контроль их поверхности│ │

│ │при производстве; │ │

│ │ │ │

│13.4.3.3. │антенных решеток, состоящих из│ │

│ │линейки рупорных излучателей,│ │

│ │формирующих диаграмму│ │

│ │направленности путем изменения│ │

│ │фазы сигнала и установки нуля│ │

│ │диаграммы направленности на│ │

│ │источник помех; │ │

│ │ │ │

│13.4.3.4. │микрополосковых фазированных│ │

│ │антенных решеток, включая│ │

│ │компоненты для формирования│ │

│ │нуля диаграммы в направлении на│ │

│ │источник помех; │ │

│ │ │ │

│13.4.3.5. │трактов передачи энергии от│ │

│ │передатчика к антенне,│ │

│ │обеспечивающих хорошее их│ │

│ │согласование; │ │

│ │ │ │

│13.4.3.6. │антенн и компонентов на основе│ │

│ │композиционных материалов для│ │

│ │достижения требуемых│ │

│ │характеристик прочности и│ │

│ │жесткости при минимальном весе,│ │

│ │стабильности длительной их│ │

│ │работы в широком диапазоне│ │

│ │температур │ │

│ │ │ │

│13.4.4. │Программное обеспечение,│ │

│ │предназначенное для разработки,│ │

│ │производства или применения│ │

│ │полосовых фильтров с полосой│ │

│ │пропускания менее 0,1% или│ │

│ │более 10% среднего значения│ │

│ │частоты │ │

│ │ │ │

│13.4.5. │Программное обеспечение,│ │

│ │предназначенное для разработки│ │

│ │или производства аппаратуры,│ │

│ │указанной в пунктах 13.5.5.1 -│ │

│ │13.5.5.5 │ │

│ │ │ │

│13.5. │Технологии │ │

│ │ │ │

│13.5.1. │Технологии, связанные с│ │

│ │разработкой, производством или│ │

│ │применением вакуумной│ │

│ │электроники, акустоэлектроники│ │

│ │и сегнетоэлектрики: │ │

│ │ │ │

│13.5.1.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения оборудования с│ │

│ │цифровым управлением,│ │

│ │позволяющего осуществлять│ │

│ │автоматическую ориентацию│ │

│ │рентгеновского луча и коррекцию│ │

│ │углового положения кварцевых│ │

│ │кристаллов с компенсацией│ │

│ │механических напряжений,│ │

│ │вращающихся по двум осям при│ │

│ │величине погрешности 10 угловых│ │

│ │секунд или менее, которая│ │

│ │поддерживается одновременно для│ │

│ │двух осей вращения; │ │

│ │ │ │

│13.5.1.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения оборудования для│ │

│ │равномерного покрытия│ │

│ │поверхности мембран, электродов│ │

│ │и волоконно-оптических│ │

│ │элементов монослоями│ │

│ │биополимеров или биополимерных│ │

│ │композиций │ │

│ │ │ │

│13.5.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения криогенной техники:│ │

│ │ │ │

│13.5.2.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения низкотемпературных│ │

│ │контейнеров, криогенных│ │

│ │трубопроводов или│ │

│ │низкотемпературных │ │

│ │рефрижераторных систем│ │

│ │закрытого типа, предназначенных│ │

│ │для получения и поддержания│ │

│ │регулируемых температур ниже│ │

│ │100 К и пригодных для│ │

│ │использования на подвижных│ │

│ │наземных, морских, воздушных и│ │

│ │космических платформах │ │

│ │ │ │

│13.5.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения источников СВЧ и│ │

│ │микроволнового излучения│ │

│ │большой мощности (более 2,5│ │

│ │кВт): │ │

│ │ │ │

│13.5.3.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения мощных│ │

│ │переключателей, таких, как│ │

│ │водородные тиратроны, и их│ │

│ │компонентов, в том числе: │ │

│ │ │ │

│13.5.3.1.1. │эффективных устройств│ │

│ │охлаждения путем рассеяния│ │

│ │тепла; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.1.2. │малоразмерных элементов для│ │

│ │уменьшения индуктивности│ │

│ │приборов и улучшения│ │

│ │характеристики di/dt; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.1.3. │катодов большой площади; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.1.4. │устройств получения длительных│ │

│ │(до 30 с) импульсов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения волноводов и их│ │

│ │компонентов, в том числе: │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.1. │массового производства одно- и│ │

│ │двухгребневых волноводов и│ │

│ │высокоточных волноводных│ │

│ │компонентов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.2. │механических конструкций и│ │

│ │вращающихся сочленений; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.3. │устройств охлаждения│ │

│ │ферромагнитных компонентов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.4. │прецизионных волноводов│ │

│ │миллиметровых волн и их│ │

│ │компонентов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.5. │ферритовых деталей для│ │

│ │использования в ферромагнитных│ │

│ │компонентах волноводов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.6. │ферромагнитных и механических│ │

│ │деталей для сборки│ │

│ │ферромагнитных узлов│ │

│ │волноводов; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.2.7. │материалов типа│ │

│ │"диэлектрик - феррит" для│ │

│ │управления фазой сигнала и│ │

│ │уменьшения размеров антенны; │ │

│ │ │ │

│13.5.3.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения СВЧ и ВЧ-антенн,│ │

│ │специально предназначенных для│ │

│ │ускорения ионов │ │

│ │ │ │

│13.5.4. │Технологии, связанные с│ │

│ │исследованием проблем│ │

│ │распространения радиоволн в│ │

│ │интересах создания│ │

│ │перспективных систем связи и│ │

│ │управления: │ │

│ │ │ │

│13.5.4.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения средств│ │

│ │КВ-радиосвязи, такие, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.4.1.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения автоматически│ │

│ │управляемых КВ-радиосистем, в│ │

│ │которых обеспечивается│ │

│ │управление качеством работы│ │

│ │каналов связи; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.1.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения устройств настройки│ │

│ │антенн, позволяющих│ │

│ │настраиваться на любую частоту│ │

│ │в диапазоне от 1,5 до 88 МГц,│ │

│ │которые преобразуют начальный│ │

│ │импеданс антенны с│ │

│ │коэффициентом стоячей волны от│ │

│ │3 - 1 и более до 3 - 1 и менее,│ │

│ │и обеспечивающих настройку при│ │

│ │работе в любом из следующих│ │

│ │режимов: │ │

│ │а) в режиме приема за время 200│ │

│ │мс или менее; │ │

│ │б) в режиме передачи за время│ │

│ │200 мс или менее при уровнях│ │

│ │мощности ниже 100 Вт и за 1 с│ │

│ │или менее при уровнях свыше 100│ │

│ │Вт; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения широкополосных│ │

│ │передающих антенн, имеющих│ │

│ │коэффициент перекрытия│ │

│ │частотного диапазона в пределах│ │

│ │10 и более и коэффициент│ │

│ │стоячей волны не более 4; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения станций│ │

│ │радиорелейной связи,│ │

│ │использующих эффект│ │

│ │тропосферного рассеяния, и их│ │

│ │компонентов, таких, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.1. │усилителей мощности для работы│ │

│ │в диапазоне частот от 300 МГц│ │

│ │до 8 ГГц, использующих│ │

│ │жидкостно- и пароохлаждаемые│ │

│ │электронные лампы мощностью│ │

│ │более 10 кВт или лампы с│ │

│ │воздушным охлаждением мощностью│ │

│ │2 кВт или более и коэффициентом│ │

│ │усиления более 20%, включая│ │

│ │усилители, объединенные со│ │

│ │своими источниками│ │

│ │электропитания; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.2. │приемников с уровнем шумов│ │

│ │менее 3 дБ; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.3. │специальных микроволновых│ │

│ │гибридных интегральных схем; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.4. │фазированных антенных решеток,│ │

│ │включая их распределенные│ │

│ │компоненты для формирования│ │

│ │луча; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.5. │адаптивных антенн, способных к│ │

│ │установке нуля диаграммы│ │

│ │направленности в направлении на│ │

│ │источник помех; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.6. │средств радиорелейной связи для│ │

│ │передачи цифровой информации со│ │

│ │скоростью выше 2,1 Мбит/с и│ │

│ │более 1 бит/цикл; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.3.7. │средств радиорелейной│ │

│ │многоканальной (более 120│ │

│ │каналов) связи с разделением│ │

│ │каналов по частоте; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения космических│ │

│ │спутниковых систем связи и их│ │

│ │элементов, таких, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.1. │развертываемых антенн, а также│ │

│ │механизмов их развертывания,│ │

│ │включая контроль поверхности│ │

│ │антенн при их изготовлении и│ │

│ │динамический контроль│ │

│ │развернутых антенн; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.2. │антенных решеток с│ │

│ │фиксированной апертурой,│ │

│ │включая контроль их поверхности│ │

│ │при производстве; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.3. │антенных решеток, состоящих из│ │

│ │линейки рупорных излучателей,│ │

│ │формирующих диаграмму│ │

│ │направленности путем изменения│ │

│ │фазы сигнала и установки нуля│ │

│ │диаграммы направленности на│ │

│ │источник помех; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.4. │микрополосковых фазированных│ │

│ │антенных решеток, включая│ │

│ │компоненты для формирования│ │

│ │нуля диаграммы в направлении на│ │

│ │источник помех; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.5. │трактов передачи энергии от│ │

│ │передатчика к антенне,│ │

│ │обеспечивающих хорошее их│ │

│ │согласование; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.4.6. │антенн и компонентов на основе│ │

│ │композиционных материалов для│ │

│ │достижения требуемых│ │

│ │характеристик прочности и│ │

│ │жесткости при минимальном весе,│ │

│ │стабильности длительной их│ │

│ │работы в широком диапазоне│ │

│ │температур, включая технологии│ │

│ │стабилизации параметров в│ │

│ │процессе изготовления│ │

│ │компонентов из эпоксидных смол│ │

│ │с графитовым наполнением; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.5. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства│ │

│ │усилителей мощности,│ │

│ │предназначенных для применения│ │

│ │в космосе и имеющих одно из│ │

│ │следующих устройств и│ │

│ │особенностей: │ │

│ │ │ │

│13.5.4.5.1. │приборы с теплообменными│ │

│ │устройствами, содержащими схемы│ │

│ │теплопередачи от элемента к│ │

│ │поглотителю тепла мощностью│ │

│ │свыше 25 Вт с площади 900│ │

│ │кв. см; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.5.2. │блоки, работающие на частотах│ │

│ │18 ГГц или обеспечивающие│ │

│ │следующие мощности: 10 Вт на│ │

│ │частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на│ │

│ │частоте 2 ГГц, или 1 Вт на│ │

│ │частоте 11 ГГц; │ │

│ │ │ │

│13.5.4.5.3. │высоковольтные источники│ │

│ │питания, имеющие соотношение│ │

│ │мощность / масса и│ │

│ │мощность / габариты более 1│ │

│ │Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см │ │

│ │ │ │

│13.5.5. │Технологии, связанные с│ │

│ │разработкой методов и способов│ │

│ │радиоэлектронной разведки и│ │

│ │подавления: │ │

│ │ │ │

│13.5.5.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения средств│ │

│ │радиоэлектронной разведки и│ │

│ │подавления, такие, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.5.1.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения систем разведки и│ │

│ │подавления, управляемых│ │

│ │оператором или работающих│ │

│ │автоматизированно и│ │

│ │предназначенных для перехвата,│ │

│ │анализа, подавления и нарушения│ │

│ │нормальной работы систем связи│ │

│ │всех типов; │ │

│ │ │ │

│13.5.5.1.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения приемников,│ │

│ │работающих с сигналами,│ │

│ │имеющими коэффициент сжатия,│ │

│ │превышающий 100; │ │

│ │ │ │

│13.5.5.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения приемников,│ │

│ │использующих дисперсионные│ │

│ │фильтры и конвольверы с уровнем│ │

│ │побочных сигналов на 20 дБ ниже│ │

│ │основного сигнала; │ │

│ │ │ │

│13.5.5.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения приемников,│ │

│ │предназначенных для│ │

│ │обнаружения, перехвата,│ │

│ │анализа, подавления сигналов, в│ │

│ │том числе с модуляцией│ │

│ │распределенным спектром; │ │

│ │ │ │

│13.5.5.4. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения устройств│ │

│ │автоматической настройки│ │

│ │антенны, обеспечивающих ее│ │

│ │перестройку со скоростью не│ │

│ │менее 30 МГц/с; │ │

│ │ │ │

│13.5.5.5. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения средств│ │

│ │автоматического определения│ │

│ │направления, способных│ │

│ │считывать пеленги со скоростями│ │

│ │не менее одного пеленга в│ │

│ │секунду │ │

│ │ │ │

│13.5.6. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, изготовления или│ │

│ │применения запоминающих│ │

│ │устройств (ЗУ) на тонких│ │

│ │пленках, такие, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.6.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения ЗУ на ЦМД; │ │

│ │ │ │

│13.5.6.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения материалов и│ │

│ │оборудования для изготовления│ │

│ │ЗУ на ЦМД; │ │

│ │ │ │

│13.5.6.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │выращивания и обработки│ │

│ │материалов для изготовления│ │

│ │подложек ЗУ на магнитных│ │

│ │доменах, например, из материала│ │

│ │на основе галлий-│ │

│ │гадолиниевого граната; │ │

│ │ │ │

│13.5.6.4. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │эпитаксиального выращивания│ │

│ │пленок для ЗУ на ЦМД; │ │

│ │ │ │

│13.5.6.5. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │осаждения пермаллоя и│ │

│ │диэлектрика и создания рисунка,│ │

│ │включая металлизацию напылением│ │

│ │или испарением и ионное│ │

│ │фрезерование; │ │

│ │ │ │

│13.5.6.6. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;│ │

│ │ │ │

│13.5.6.7. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки ионных имплантантов│ │

│ │и ЗУ с соприкасающимися│ │

│ │дисками, и методы создания│ │

│ │рисунка │ │

│ │ │ │

│13.5.7. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки, производства или│ │

│ │применения ЗУ на проволоке с│ │

│ │гальваническим покрытием,│ │

│ │такие, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.7.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства ЗУ│ │

│ │на проволоке с гальваническим│ │

│ │покрытием, включая: │ │

│ │ │ │

│13.5.7.1.1. │подготовку бериллиево-медной│ │

│ │подложки для обеспечения чистой│ │

│ │и однородной поверхности; │ │

│ │ │ │

│13.5.7.1.2. │покрытие медью для обеспечения│ │

│ │требуемых плотности и│ │

│ │шероховатости проволоки; │ │

│ │ │ │

│13.5.7.1.3. │конструирование устройств для│ │

│ │нанесения покрытий требуемых│ │

│ │составов, однородности и│ │

│ │толщины пермаллойного (никелево│ │

│ │- железного) магнитного│ │

│ │материала на проволочные│ │

│ │подложки; │ │

│ │ │ │

│13.5.7.1.4. │автоматизированные испытания в│ │

│ │ходе нанесения покрытия на│ │

│ │проволоку и проверка после│ │

│ │окончания процесса с тем, чтобы│ │

│ │гарантировать нужные параметры;│ │

│ │ │ │

│13.5.7.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства│ │

│ │запоминающих устройств на│ │

│ │проволоке, такие, как: │ │

│ │ │ │

│13.5.7.2.1. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства│ │

│ │магнитных экранов для│ │

│ │запоминающих устройств, в том│ │

│ │числе пермаллойного слоя; │ │

│ │ │ │

│13.5.7.2.2. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства│ │

│ │туннельных структур для│ │

│ │плотного и дешевого размещения│ │

│ │элементов ЗУ на проволоке с│ │

│ │гальваническим покрытием; │ │

│ │ │ │

│13.5.7.2.3. │Технологии, предназначенные для│ │

│ │разработки или производства│ │

│ │ферритовых слоев для│ │

│ │формирования линий магнитного│ │

│ │потока и увеличения плотности│ │

│ │упаковки вдоль проволоки с│ │

│ │нанесенным покрытием │ │

│ │ │ │