4.5. Технология

4.5.

Технология

4.5.1.

Технологии, связанные с разработкой, производством или применением вакуумной электроники, акустоэлектроники и сегнетоэлектрики:

4.5.1.1.

Технологии разработки, производства или применения оборудования с цифровым управлением, позволяющего осуществлять автоматическую ориентацию рентгеновского луча и коррекцию углового положения кварцевых кристаллов с компенсацией механических напряжений, вращающихся по двум осям при величине погрешности 10 угловых секунд или менее, которая поддерживается одновременно для двух осей вращения;

4.5.1.2.

Технологии разработки, производства или применения оборудования для равномерного покрытия поверхности мембран, электродов и волоконно-оптических элементов монослоями биополимеров или биополимерных композиций

4.5.2.

Технологии разработки, производства или применения любой из нижеприведенной криогенной техники, разработанной для получения и поддержания регулируемых температур ниже 100 K и пригодной для использования на подвижных наземных, морских, воздушных или космических платформах:

а) низкотемпературных контейнеров;

б) криогенных трубопроводов; или

в) низкотемпературных рефрижераторных систем закрытого типа

4.5.3.

Технологии разработки, производства или применения источников микроволнового излучения (в том числе СВЧ-излучения) средней мощностью более 3 МВт с энергией в импульсе более 10 кДж:

4.5.3.1.

Технологии разработки, производства или применения мощных переключателей, таких как водородные тиратроны, и их компонентов, в том числе устройств получения длительных (до 30 с) импульсов;

4.5.3.2.

Технологии разработки, производства или применения волноводов и их компонентов, в том числе:

4.5.3.2.1.

Массового производства одно- и двухгребневых волноводов и высокоточных волноводных компонентов;

4.5.3.2.2.

Механических конструкций вращающихся сочленений;

4.5.3.2.3.

Устройств охлаждения ферромагнитных компонентов;

4.5.3.2.4.

Прецизионных волноводов миллиметровых волн и их компонентов;

4.5.3.2.5.

Ферритовых деталей для использования в ферромагнитных компонентах волноводов;

4.5.3.2.6.

Ферромагнитных и механических деталей для сборки ферромагнитных узлов волноводов;

4.5.3.2.7.

Материалов типа "диэлектрик-феррит" для управления фазой сигнала и уменьшения размеров антенны;

4.5.3.3.

Технологии разработки, производства или применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально предназначенных для ускорения ионов

4.5.3.4.

Технологии разработки или производства следующих элементов электровакуумных СВЧ-приборов:

4.5.3.4.1.

Безнакальных и вторично-эмиссионных эмиттеров;

4.5.3.4.2.

Высокоэффективных эмиттеров с плотностью тока катода более 10 А/см²;

4.5.3.4.3.

Электронно-оптических и электродинамических систем для многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ), многолучевых приборов и гиротронов

4.5.4.

Технологии, связанные с исследованием проблем распространения радиоволн в интересах создания перспективных систем связи и управления:

4.5.4.1.

Технологии разработки, производства или применения средств КВ-радиосвязи:

4.5.4.1.1.

Технологии разработки, производства или применения автоматически управляемых КВ-радиосистем, в которых обеспечивается управление качеством работы каналов связи;

4.5.4.1.2.

Технологии разработки, производства или применения устройств настройки антенн, позволяющих настраиваться на любую частоту в диапазоне от 1,5 МГц до 88 МГц, которые преобразуют начальный импеданс антенны с коэффициентом стоячей волны от 3 - 1 или более до 3 - 1 или менее, и обеспечивающих настройку при работе в любом из следующих режимов:

а) в режиме приема за время 200 мс или менее;

б) в режиме передачи за время 200 мс или менее при уровнях мощности менее 100 Вт и за 1 с или менее при уровнях более 100 Вт;

4.5.4.2.

Технологии разработки, производства или применения широкополосных передающих антенн, имеющих коэффициент перекрытия частотного диапазона в пределах 10 и более и коэффициент стоячей волны не более 4;

4.5.4.3.

Технологии разработки, производства или применения станций радиорелейной связи, использующих эффект тропосферного рассеяния, и их компонентов, таких как:

4.5.4.3.1.

Усилителей мощности для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, использующих жидкостно- и пароохлаждаемые электронные лампы мощностью более 10 кВт или лампы с воздушным охлаждением мощностью 2 кВт или более и коэффициентом усиления более 20 дБ, включая усилители, объединенные со своими источниками электропитания;

4.5.4.3.2.

Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ;

4.5.4.3.3.

Специальных микроволновых гибридных интегральных схем;

4.5.4.3.4.

Фазированных антенных решеток, включая их распределенные компоненты для формирования луча;

4.5.4.3.5.

Адаптивных антенн, способных к установке нуля диаграммы направленности в направлении на источник помех;

4.5.4.3.6.

Исключен. - Указ Президента РФ от 19.02.2021 N 109

4.5.4.3.7.

Средств радиорелейной многоканальной (более 120 каналов) связи с разделением каналов по частоте;

4.5.4.4.

Технологии разработки, производства или применения космических спутниковых систем связи и их элементов, таких как:

4.5.4.4.1.

Развертываемых антенн с размерами апертуры более 2,8 м, изменяющих при складывании или развертывании форму рабочей поверхности отражателя и (или) излучателя, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;

4.5.4.4.2.

Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;

4.5.4.4.3.

Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем изменения фазы сигнала и установки нуля диаграммы направленности на источник помех;

4.5.4.4.4.

Микрополосковых фазированных антенных решеток, включая компоненты для формирования нуля диаграммы в направлении на источник помех;

4.5.4.4.5.

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

4.5.4.5.

Технологии разработки или производства усилителей мощности, предназначенных для применения в космосе и имеющих одно из следующих устройств и особенностей:

а) приборы с теплообменными устройствами, содержащими схемы теплопередачи от элемента к поглотителю тепла мощностью более 25 Вт с площади 900 см²;

б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц или обеспечивающие следующие мощности:

10 Вт на частоте 0,5 ГГц, или

5 Вт на частоте 2 ГГц, или

1 Вт на частоте 11 ГГц;

в) высоковольтные источники питания, имеющие соотношение мощность/масса и мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 см²

4.5.5.

Технологии, связанные с разработкой методов и способов радиоэлектронной разведки и подавления:

4.5.5.1.

Технологии разработки, производства или применения средств радиоэлектронной разведки и подавления, а также компонентов и оборудования, специально разработанных для них, таких как:

4.5.5.1.1.

Систем разведки и подавления, управляемых оператором или работающих автоматизированно и разработанных для перехвата и анализа сигналов, подавления и нарушения нормальной работы систем связи всех типов или навигации, а также компонентов (блоков) и оборудования, специально разработанных для них;

4.5.5.1.2.

Приемников, работающих с сигналами, имеющими коэффициент сжатия, превышающий 100;

4.5.5.2.

Технологии разработки, производства или применения приемников, использующих дисперсионные фильтры и конвольверы с уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже основного сигнала;

4.5.5.3.

Технологии разработки, производства или применения приемо-передающих устройств, предназначенных для обнаружения, перехвата, анализа, подавления сигналов, в том числе с модуляцией распределенным спектром;

4.5.5.4.

Технологии разработки, производства или применения устройств автоматической настройки антенны, обеспечивающих ее перестройку со скоростью не менее 30 МГц/с;

4.5.5.5.

Технологии разработки, производства или применения средств автоматического определения направления, способных считывать пеленги со скоростью не менее одного пеленга в секунду;

4.5.5.6.

Исключен. - Указ Президента РФ от 19.02.2021 N 109

4.5.6.

Технологии разработки или производства запоминающих устройств на проволоке, таких как:

4.5.6.1 - 4.5.6.2.

Исключены. - Указ Президента РФ от 19.02.2021 N 109

4.5.6.2.1.

Магнитных экранов для запоминающих устройств, в том числе пермаллойного слоя;

4.5.6.2.2.

Туннельных структур для плотного и дешевого размещения элементов ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием;

4.5.6.2.3.

Ферритовых слоев для формирования линий магнитного потока и увеличения плотности упаковки вдоль проволоки с нанесенным покрытием

4.5.7 - 4.5.7.10.

Исключены. - Указ Президента РФ от 19.02.2021 N 109

4.5.8.

Технологии разработки или производства технических средств для выявления электронных устройств, предназначенных для негласного получения информации

4.5.9.

Технологии разработки, производства или применения крупногабаритных оптико-электронных телескопических комплексов, предназначенных для наблюдения земной поверхности из космоса, с диаметром входного зрачка 0,5 м и более

4.5.10.

Технологии разработки или производства систем и оборудования, определенных в пунктах 4.1.1 - 4.1.4