Срок действия документа ограничен 1 сентября 2027 года.
Приказ Минтруда России от 22.04.2021 N 271н "Об утверждении профессионального стандарта "Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров" (Зарегистрировано в Минюсте России 24.05.2021 N 63606)

3.1.2. Трудовая функция

Наименование

Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера

Код

A/02.7

Уровень (подуровень) квалификации

7

Происхождение трудовой функции

Оригинал

X

Заимствовано из оригинала

Код оригинала

Регистрационный номер профессионального стандарта

Трудовые действия

Постановка задачи и определение набора параметров, с учетом которых должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера

Разработка математической программы и компьютерное моделирование параметров разрабатываемого полупроводникового лазера

Определение по результатам расчетов требований к полупроводниковой гетероструктуре и конструкции излучающего элемента лазера

Необходимые умения

Формулировать исходные данные для проведения необходимых расчетов

Формировать отчеты по результатам проведенных расчетов

Анализировать и применять результаты теоретических расчетов с учетом технологических особенностей формирования разрабатываемого полупроводникового лазера

Использовать разработанные пакеты программного обеспечения для проведения математических расчетов и компьютерного моделирования

Выявлять зависимости между параметрами излучения разрабатываемого полупроводникового лазера и особенностями конструкции лазерной гетероструктуры и оптического резонатора

Необходимые знания

Влияние конструктивных и технологических факторов на излучательные характеристики полупроводниковых лазеров

Конструкции лазерных гетероструктур и активных (излучающих) элементов полупроводниковых лазеров

Оптические характеристики полупроводниковых материалов, распространение света в диэлектрических волноводах и методы расчета волноводных лазерных структур

Возможности процессов выращивания гетероструктур, методы формирования активного элемента лазера, особенности режимов нанесения диэлектрических отражающих и просветляющих покрытий

Физика полупроводниковых лазеров

Другие характеристики

-

3.1.1. Трудовая функция 3.1.3. Трудовая функция