|
Трудовые действия
|
Проведение измерений параметров фоторезистивной маски с использованием микроскопа и контрольно-измерительных средств, предусмотренных технологической документацией по изготовлению изделий микроэлектроники
|
|
Внесение корректировок в программу обработки изделий микроэлектроники по результатам измерений параметров фоторезистивной маски
|
|
Определение продукции, не соответствующей требованиям контрольной карты на процесс фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Подбор и регулировка режимов процессов фотолитографии для получения необходимых параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники
|
|
Оформление записей по результатам проведения процессов формирования фоторезистивной маски изделий микроэлектроники (заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов)
|
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин
|
|
Необходимые умения
|
Проводить замеры толщины слоя фоторезиста на поверхности пластин, подготовленных для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Проводить замеры линейных размеров контролируемых элементов и величины рассовмещения слоев структуры на тестовых элементах топологического слоя
|
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Анализировать результаты измерений фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Оценивать качество процесса нанесения, проявления и экспонирования слоя фоторезиста при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Определять оптимальные значения параметров процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Корректировать параметры экспонирования и совмещения на основании полученных данных при измерении контрольных пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Идентифицировать обрабатываемую продукцию для изготовления изделий микроэлектроники (подпись продукции, перемещение продукции на место хранения в соответствии с идентификацией)
|
|
Оформлять результаты измерений параметров технологических процессов фотолитографии в соответствии с требованиями нормативно-технической и технологической документации изготовления изделий микроэлектроники
|
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
|
Необходимые знания
|
Нормы контроля параметров технологических процессов фотолитографии изделий микроэлектроники (величина
контролируемого линейного размера, точность совмещения слоев структуры, доза облучения, время проявления, толщина слоя фоторезиста, уровень дефектности)
|
|
Нормативно-техническая и технологическая документация по работе на автоматизированном оборудовании и проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Параметры технологических процессов формирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Параметры контроля фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Правила работы на автоматизированном технологическом оборудовании процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Правила работы с оптическим и контрольно-измерительным оборудованием при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Межоперационное время хранения обрабатываемой продукции для изготовления изделий микроэлектроники
|
|
Свойства химических материалов, используемых для проведения процесса фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Последовательность технологических операций при изготовлении изделий микроэлектроники с применением автоматизированных процессов прецизионной фотолитографии
|
|
Режимы выполнения технологических процессов прецизионной фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники на автоматизированном оборудовании
|
|
Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Режимы работы контрольно-измерительного оборудования при проведении процессов контроля параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
|
Требования нормативно-технической и технологической документации процессов фотолитографии изделий микроэлектроники, в том числе требования технологических и контрольных карт, требования технического задания на изделие
|
|
Порядок действий при обнаружении отклонений параметров фоторезистивной маски от требований контрольной карты процесса фотолитографии
|
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
|
Свойства поверхности пластины, используемой при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Виды дефектов, возникающих при формировании фоторезистивной маски на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Основы работы на персональном компьютере
|
|
Английский язык (базовый курс)
|
|
Основы системы менеджмента качества
|
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
|
Другие характеристики
|
-
|