|
Трудовые действия
|
Проверка готовности оборудования к проведению процесса совмещения и экспонирования фоторезистивной маски согласно регламенту изготовления изделий микроэлектроники
|
|
Выбор фотошаблона для проведения процесса экспонирования при изготовлении изделий микроэлектроники в соответствии с конструкторской документацией на изделие
|
|
Выбор режимов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники для обеспечения параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями контрольной карты процесса фотолитографии (доза излучения, фокусное расстояние, величина смещения)
|
|
Проведение визуального контроля качества фотошаблона и отсъема на повторяющиеся дефекты при проведении процессов совмещения и экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Принятие решения о дальнейшей обработке рабочих пластин в соответствии с требованиями технологической документации на изготовление изделий микроэлектроники
|
|
Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении операции совмещения и экспонирования фоторезистивной маски
|
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин
|
|
Необходимые умения
|
Определять тип фотошаблона для процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Проводить контроль точности совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Проводить контроль повторяющихся дефектов фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Определять режимы процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Осуществлять загрузку фотошаблонов в фотолитографическое оборудование при проведении процессов совмещения и экспонирования пластин при изготовлении изделий микроэлектроники, осуществлять выгрузку фотошаблонов по окончании процесса экспонирования
|
|
Определять и классифицировать метки совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
|
Работать на метрологическом оборудовании для проверки точности совмещения фотолитографических слоев на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
|
Необходимые знания
|
Назначение и типы фотошаблонов для проведения процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Методы оценки качества фотошаблона, применяемого в процессе фотолитографии для формирования топологического слоя на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Правила хранения и перемещения фотошаблона, необходимого для изготовления изделий микроэлектроники с применением фотолитографии
|
|
Назначение защитной пленки (пелликла) и требования к ней
|
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
|
Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования
|
|
Параметры процессов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
|
Требования охраны труда при работе на участке фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Нормативно-техническая и технологическая документация проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии с проектными нормами выше 0,6 мкм
|
|
Свойства химических материалов, используемых для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Основы системы менеджмента качества
|
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
|
Другие характеристики
|
-
|