Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование

II.13.1. Оптика

II.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических

зеркал (отражателей)

II.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или

производства деформируемых зеркал с непрерывными

либо многоэлементными поверхностями и

специальными компонентами, способными

динамически менять расположение элементов

поверхности с частотой свыше 100 Гц

II.13.1.1.2. Конструкция и технология производства

сверхлегких монолитных зеркал со средней

эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв. м и

суммарной массой более 10 кг

II.13.1.1.3. Конструкция и технология производства

сверхлегких составных или пенных зеркальных

структур со средней эквивалентной плотностью

менее 30 кг/кв. м и суммарной массой более 2 кг

II.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал

диаметром или с длиной большей оси более 100 мм

и с управлением лучом в полосе частот более 100

Гц

II.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства зеркал, указанных в пунктах

I.12.1.1.1. - I.12.1.4.

II.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических

компонентов из селенида цинка (ZnSe) или

сульфида цинка (ZnS) с передачей в диапазоне

длин волн свыше 3000 нм, но не более 25000 нм,

имеющих одну из следующих характеристик:

II.13.1.2.1. объем более 100 куб. см;

II.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и

толщина (глубина) 20 мм и более

II.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства оптических компонентов из селенида

цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), указанных

в пунктах I.12.1.2. - I. 12.1.2.2.

II.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических

систем для космических применений

II.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических

элементов с эквивалентной плотностью менее чем

20% по сравнению с твердотельными пластинами той

же апертуры и толщины

II.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным

покрытием (однослойным, многослойным,

металлическим или диэлектрическим, проводящим,

полупроводящим или изолирующим) или подложек с

защитными пленками

II.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов

зеркал для установки в космосе в оптические

системы с общей апертурой, эквивалентной или

большей 1 м

II.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических

систем, изготовленных из композиционных

материалов с коэффициентом линейного теплового

расширения, равным или меньшим 5x10E-6 в

направлении любой координаты

II.13.1.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства компонентов оптических систем для

космического применения, указанных в пунктах

I.12.1.3. - I.12.1.3.4.

II.13.1.5. Технология производства оптических фильтров

II.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для

длин волн более 250 нм, включающих многослойные

оптические покрытия и имеющих полосу пропускания

до половинной интенсивности до 1 нм включительно

и пиковую передачу 90% и более, или полосу

пропускания до 0,1 нм включительно и пиковую

передачу 50% и более

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.13.1.5.1. не распространяется на технологию

производства оптических фильтров с постоянным

воздушным зазором или фильтров типа Лио

II.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для

длин волн более 250 нм, имеющих настраиваемость

в спектральном диапазоне 500 нм и более,

мгновенную полосу пропускания 1,25 нм или менее,

установку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм или

лучше в пределах перестраиваемого спектрального

диапазона, однопиковый коэффициент пропускания

91% или более

II.13.1.5.3. Технология производства оптических

переключателей на конденсаторах (фильтрах) с

полем обзора 30 или шире и временем отклика,

равным или менее 1 нс

II.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с

шириной полосы пропускания, равной или меньшей

10 нм, полем обзора более 10 и разрешением свыше

0,75 пар линий на мм

II.13.1.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства оптических фильтров, указанных в

пунктах I.12.1.4. - I.12.1.4.3. и II.13.1.5.4.

II.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры

оптического контроля

II.13.1.7.1. Конструкция и технология производства

аппаратуры, специально разработанной для

обеспечения качества поверхности или ориентации

оптических компонентов, указанных в пунктах

I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3.

II.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное

для проектирования или производства аппаратуры,

специально разработанной для обеспечения расчета

поверхности или ориентации оптических

компонентов, указанных в пункте I.12.1.5.1.

II.13.1.7.3. Конструкция и технология производства

аппаратуры, имеющей управление, слежение,

стабилизацию или подстройку резонатора с полосой

частот, равной или более 100 Гц, и погрешностью

10 мкрад или менее

II.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства аппаратуры, указанной в пункте

I.12.1.5.2.

II.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых

подвесов с максимальным углом поворота 5,

шириной полосы частот более 100 Гц, обладающих

любой из следующих характеристик:

II.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м,

но не более 1 м, чувствительность к угловым

ускорениям более

2

2 рад/с, погрешность углового наведения 200

мкрад или менее;

II.13.1.7.5.2.

специально разработанных для юстировки

фазированных решеток или фазированных

систем сегментных зеркал, состоящих из

зеркал с диаметром сегмента или его большей

полуоси 1 м или более, обладающих

чувствительностью к угловым

2

ускорениям более 0,5 рад/с и погрешностью

углового наведения 200 мкрад или менее

II.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства кардановых подвесов, указанных в

пунктах I.12.1.5.3. - I.12.1.5.3.2.

II.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры

для измерения абсолютного значения отражательной

способности с погрешностью +-0,1% или менее

II.13.1.9. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства аппаратуры для измерения

абсолютного значения отражательной способности с

погрешностью +-0,1% или менее

II.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических

поверхностей с общими потерями (поглощение и

рассеяние) менее чем 5x10E-3 и диаметром или

длиной большей оси 500 мм и более, требуемая для

достижения однородности оптических покрытий

99,5% или лучше

II.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых

оптических компонентов с суммарной поверхностью

более 10 кв. м в год, или разовой продукции с

площадью более 1 кв. м и среднеквадратической

погрешностью обработки 1/10 длины волны на

заданной длине волны

II.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с

получением конечной среднеквадратической

точности обработки поверхности лучше чем 10 нм

на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв.

м

II.13.2. Конструкция и технология производства оптических

датчиков

II.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических

детекторов

Примечание. Экспортный контроль по пунктам

II.13.2.1. - II.13.2.1.4. не распространяется на

конструкцию и технологию производства

германиевых или кремниевых фотодиодов

II.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических

детекторов для использования в космосе в виде

единичного элемента, линейки в фокальной

плоскости или двух двумерных элементов, имеющих:

II.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300

нм и отклик менее 0,1% относительно

пикового отклика на длине волны свыше 400

нм;

II.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше

900 нм, но не более 1200 нм, и постоянную

времени отклика 95 нс или менее;

II.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн более

1200 нм, но не свыше 30000 нм

II.13.2.1.2. Конструкция и технология производства

электронно-оптических усилителей яркости и

специальных компонентов

II.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства

электронно-оптических усилителей яркости,

имеющих пиковый отклик в диапазоне длин волн

свыше 400 нм, но не более 1050 нм,

микроканальный анод для электронного усилителя

изображения с шагом отверстий (расстояние между

центрами) менее 25 мкм и фотокатоды S-20, S-25,

многощелевой фотокатод или фотокатоды из GaAs

или GaInAs

II.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально

разработанных компонентов для

электронно-оптических усилителей яркости:

II.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов;

II.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или

более ламп с тлеющим разрядом на плате и

шаг отверстий (расстояние между центрами)

менее 25 мкм;

II.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из GaAs или GaInAs

II.13.2.1.3. Конструкция и технология производства

неэквидистантных линейных или двумерных матриц в

фокальной плоскости с одной из следующих

характеристик:

II.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым

откликом в пределах диапазона волн свыше

900 нм, но не более 1050 нм, и постоянной

времени отклика менее 0,5 нс;

II.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым

откликом в пределах диапазона волн свыше

1050 нм, но не более 1200 нм, и постоянной

времени 95 нс или меньше;

II.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым

откликом в пределах диапазона волн свыше

1200 нм, но не более 30000 нм;

II.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных

или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов

или фототранзисторов вне фокальной плоскости с

пиковым откликом на длине волны более 1200 нм и

постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не

предназначенных для космических применений

Примечания: 1. Пункты II.13.2.1.3. -

II.13.2.1.4. включают конструкцию производства

матриц фотопроводимости и солнечных батарей

2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не

распространяется на конструкцию и технологию

производства кремниевых матриц в фокальной

плоскости, многоэлементных (не более 16

элементов) фотопроводящих элементов в оболочке

или пироэлектрических детекторов, использующих

любой из следующих материалов:

сульфид свинца;

сульфат триглицерина и его разновидности;

титанат циркония-лантана-свинца и его

разновидности;

танталат лития;

фторид поливиниллидена и его разновидности;

ниобат бария-стронция и его варианты;

селенид свинца

II.13.2.2. Конструкция и технология производства

многоспектральных формирователей изображений для

применений в дистанционном зондировании, имеющих

любую из следующих характеристик:

II.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад;

II.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в

диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не

более 30000 нм, обеспечивающих данные

изображения на выходе в цифровом формате с

использованием детекторов, отличных от

кремниевых и предназначенных для

космического применения или для воздушного

базирования

II.13.2.3. Программное обеспечение специально разработанное

для использования многоспектральных

формирователей изображений, указанный в пунктах

I.12.2.2. - I.12.2.2.2.

II.13.2.4. Конструкция и технология производства аппаратуры

формирования изображений непосредственного

наблюдения в видимом или инфракрасном диапазоне

включающей одно из следующих устройств:

II.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для

усиления яркости изображения, указанные в

пункте I.12.2.1.2.1.;

II.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в

пунктах I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.13.2.4.2. не распространяется на конструкцию

и технологию производства следующей аппаратуры с

фотокатодами, отличными от фотокатодов на GaAs

или GaInAs:

промышленных или гражданских датчиков

охраны, систем учета или контроля дорожного

или производственного движения;

медицинской аппаратуры;

промышленной аппаратуры для контроля,

анализа или сортировки материалов;

детекторов пламени для промышленных печей;

аппаратуры, специально разработанной для

промышленного использования

II.13.2.5. Конструкция и технология производства

специализированных компонентов для оптических

датчиков;

II.13.2.5.1. космического применения с криогенным

охлаждением;

II.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным

охлаждением;

II.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем

наработки на отказ или средним временем

между отказами свыше 2500 ч;

II.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей

Джоуля-Томсона с диаметром отверстия менее

8 мм;

II.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков:

II.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или

структурно, или модифицированных путем

покрытия, с чувствительностью к

акустическим, термическим, инерционным,

электромагнитным или ядерным эффектам;

II.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения

длины биений менее чем 50 мм (наибольшее

двулучепреломление)

II.13.3. Конструкция и технология производства камер

II.13.3.1. Конструкция и технология производства

инструментальных камер

II.13.3.1.1. Конструкция и технология производства

высокоскоростных записывающих кинокамер с любым

форматом пленки от 8 мм до 16 мм включительно, в

которых пленка движется в процессе записи и в

которых запись может производиться со скоростью

свыше 13150 кадров в секунду

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.13.3.1.1. не распространяется на конструкцию

и технологию производства кинокамер для

гражданских целей

II.13.3.1.2. Конструкция и технология производства

механических высокоскоростных камер, в которых

пленка не движется, способных вести запись со

скоростью свыше 10E6 кадров в секунду для пленки

шириной 35 мм, или для пропорционально более

высоких скоростей более узкой пленки, или для

пропорционально меньших скоростей более широкой

пленки

II.13.3.1.3. Конструкция и технология производства

механических или электронных

камер-фотохронографов со скоростью записи свыше

10 мм/мкс

II.13.3.1.4. Конструкция и технология производства

электронных кадровых камер со скоростью свыше

10E6 кадров в секунду

II.13.3.1.5. Конструкция и технология производства

электронных камер, имеющих скорость электронного

затвора (скорость стробирования) менее 1 мкс на

полный кадр и время считывания, позволяющих

получать более чем 125 полных кадров в секунду

II.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для

получения видеоизображений

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.13.3.2. не распространяется на конструкцию и

технологию производства телевизионных и

видеокамер для телевидения

II.13.3.2.1. Конструкция и технология производства

видеокамер, включающих твердотельные

чувствительные элементы, имеющие одну из

следующих характеристик:

II.13.3.2.1.1. более 4x10E6 активных пикселей на

твердотельную матрицу для монохромной

(черно-белой) камеры;

II.13.3.2.1.2. более 4x10E6 активных пикселей на

твердотельную матрицу для цветных камер с

тремя твердотельными матрицами;

II.13.3.2.1.3. более 12x10E6 активных пикселей на

твердотельную матрицу для цветных камер с

одной твердотельной матрицей;

II.13.3.2.2. Конструкция и технология производства

сканирующих камер и систем сканирующих камер,

включающих линейную решетку детекторов с более

чем 8192 элементами на решетке, и с механическим

сканированием в одном направлении

II.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для

получения видеоизображения, включающих

преобразователь для усиления яркости

изображения, указанных в пункте I.12.2.1.2.1.

II.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для

получения видеоизображения, включающих матрицы в

фокальной плоскости, указанные в пунктах

I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.

II.13.4. Конструкция и технология производства лазеров,

компонентов оптического оборудования для них

II.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых

лазеров

II.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных

лазеров, имеющих одну из следующих

характеристик:

II.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не

превышающую 150 нм, выходную энергию более

50 мДж на импульс или среднюю, или

непрерывную мощность более 1 Вт;

II.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150

нм, но не превышающую 190 нм, выходную

энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или

среднюю или непрерывную мощность,

превышающую 120 Вт;

II.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения,

превышающую 190 нм, но не более 360 нм,

выходную энергию на импульс, превышающую 10

Дж, или среднюю, или непрерывную выходную

мощность, превышающую 500 Вт;

II.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения,

превышающую 369 нм, выходную энергию на

импульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю,

или непрерывную выходную мощность более 30

Вт

II.13.4.1.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства эксимерных лазеров, указанных в

пунктах I.12.4.1.1. - I.12.4.1.1.1.4.

II.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на

парах металлов:

II.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства

медных (Cu) лазеров со средней или

непрерывной выходной мощностью более 20 Вт;

II.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства

золотых (Au) лазеров со средней или

непрерывной выходной мощностью более 5 Вт;

II.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства

натриевых (Na) лазеров с выходной мощностью

более 5 Вт;

II.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства

бариевых (Ba) лазеров со средней или

непрерывной выходной мощностью более 2 Вт

II.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на парах металлов,

указанных в пунктах I.12.4.1.2. - I.12.4.1.2.4.

II.13.4.1.5. Конструкция и технология производства лазеров на

моноокиси углерода (CO) с:

II.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и

импульсной пиковой мощностью более 5 кВт;

II.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью

более 5 кВт

II.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на основе моноокиси

углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.3. -

I.12.4.1.3.2.

II.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на

двуокиси углерода (CO2) с:

II.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10

кВт;

II.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью

импульса более 10 мкс, средней выходной

мощностью свыше 10 кВт или импульсной

пиковой мощностью более 100 кВт;

II.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью

импульса, равным или менее 10 мкс, энергией

импульса более 5 Дж, импульсной пиковой

мощностью свыше 2,5 кВт или средней, или

непрерывной выходной мощностью более 2,5

кВт

II.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на двуокиси углерода,

указанных в пунктах I.12.4.1.4. - I.12.4.1.4.3.

II.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических

лазеров:

II.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (HF) лазеров;

II.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых (DF) лазеров;

II.13.4.1.9.3. переходных лазеров:

II.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (O2-I);

II.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных

(DF-CO2) лазеров

II.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства химических лазеров, на которые

наложены ограничения пунктами I.12.4.1.5. -

I.12.4.1.5.3.2.

II.13.4.1.11. Конструкция и технология производства

газоразрядных и ионных лазеров (на ионах

криптона или аргона), имеющих:

II.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и

импульсную пиковую мощность более 50 Вт;

II.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50

Вт

II.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства газоразрядных и ионных лазеров,

указанных в пунктах I.12.4.1.6. - I.12.4.1.6.2.

II.13.4.1.13. Конструкция и технология производства других

газовых лазеров, за исключением азотных лазеров

с:

II.13.4.1.13.1. длиной волны выходного излучения не более

150 нм, выходной энергией на импульс свыше

50 мДж, импульсной пиковой мощностью более

1 Вт или средней, или непрерывной выходной

мощностью более 1 Вт;

II.13.4.1.13.2. длиной волны выходного излучения не более

150 нм, но не более 800 нм, выходной

энергией более 1,5 Дж на импульс,

импульсной пиковой мощностью более 30 Вт

или средней, или непрерывной выходной

мощностью более 30 Вт;

II.13.4.1.13.3. длиной волны выходного излучения более 800

нм, но не более 1400 нм, выходной энергией

на импульс более 0,25 Дж, импульсной

пиковой мощностью более 10 Вт или средней,

или непрерывной выходной мощностью более 10

Вт;

II.13.4.1.13.4. длиной волны выходного излучения свыше 1400

нм и средней или непрерывной мощностью

более 1 Вт

II.13.4.1.14. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства газовых лазеров, указанных в

пунктах I.12.4.1. - I.12.4.1.7.4.

II.13.4.2. Конструкция и технология производства

полупроводниковых лазеров

II.13.4.2.1. Конструкция и технология производства отдельных

полупроводниковых одномодовых лазеров с

поперечной модой, имеющих среднюю выходную

мощность свыше 100 мВт или длину волны более

1050 нм

II.13.4.2.2. Конструкция и технология производства отдельных

полупроводниковых многомодовых лазеров с

поперечными модами или массивов лазеров с:

II.13.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на импульс

и импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт;

II.13.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощностью

свыше 10 Вт;

II.13.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм

II.13.4.2.3. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства полупроводниковых лазеров,

указанных в пунктах I.12.4.2.1. - I.12.4.2.2.3.

II.13.4.3. Конструкция и технология производства

твердотельных лазеров

II.13.4.3.1. Конструкция и технология производства

перестраиваемых твердотельных лазеров, имеющих

следующие характеристики:

II.13.4.3.1.1. длину волны излучения менее 600 нм,

выходную энергию более 50 мДж на импульс,

импульсную пиковую мощность более 1 Вт или

среднюю, или непрерывную выходную мощность

более 1 Вт;

II.13.4.3.1.2. длину волны 600 нм или более, но не более

1400 нм, выходную энергию более 1 Дж в

импульсе, импульсную пиковую мощность свыше

20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную

мощность свыше 20 Вт;

II.13.4.3.1.3. длину волны выходного излучения более 1400

нм, выходную энергию свыше 50 мДж на

импульс, импульсную пиковую мощность более

1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную

мощность более 1 Вт

Примечание. Пункт II.13.4.3.1. включает

конструкцию и технологию производства

титаново-сапфировых (Ti:Al2Оз), тулий-YAG,

тулий-YSGG - александрит (Сr:BeAl2O4) лазеров и

лазеров с окрашенным центром

II.13.4.3.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства перестраиваемых твердотельных

лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.1. -

I.12.4.3.1.3.

II.13.4.3.3. Конструкция и технология производства

неперестраиваемых лазеров

Примечание. Пункты II.13.4.3.3. -

II.13.4.3.3.7.4. включают конструкцию и

технологию производства твердотельных лазеров на

атомных переходах

II.13.4.3.3.1. Конструкция и технология производства рубиновых

лазеров с выходной энергией более 20 Дж в

импульсе

II.13.4.3.3.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства рубиновых лазеров с выходной

энергией более 20 Дж в импульсе

II.13.4.3.3.3. Конструкция и технология производства лазеров на

неодимовом стекле:

II.13.4.3.3.3.1. лазеров с модуляцией добротности, имеющих

выходную энергию свыше 20 Дж, но не более

50 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность

более 10 Вт или выходную энергию свыше 50

Дж в импульсе;

II.13.4.3.3.3.2. лазеров без модуляции добротности, имеющих

выходную энергию свыше 50 Дж, но не более

100 Дж в импульсе, среднюю выходную

мощность более 20 Вт или выходную энергию

более 100 Дж в импульсе

II.13.4.3.3.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на неодимовом стекле,

указанных в пунктах I.12.4.3.2.2. -

I.12.4.3.2.2.2.

II.13.4.3.3.5. Конструкция и технология производства лазеров с

растворенным неодимом с длиной волны более 1000

нм, но не свыше 1100 нм:

II.13.4.3.3.5.1. лазеров с модуляцией добротности,

импульсным возбуждением и синхронизацией

мод с длительностью импульса менее 1 нс,

имеющих пиковую мощность более 5 ГВт,

среднюю выходную мощность более 10 Вт или

импульсную энергию более 0,1 Дж;

II.13.4.3.3.5.2. лазеров с модуляцией добротности и

синхронизацией мод с длительностью импульса

равной или большей 1 нс:

II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением, имеющим пиковую

мощность более 100 МВт, среднюю выходную

мощность более 20 Вт или импульсную энергию

свыше 2 Дж;

II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением, имеющим пиковую

мощность более 200 МВт, среднюю выходную

мощность более 50 Вт или импульсную энергию

более 2 Дж

II.13.4.3.3.5.3. лазеров с импульсным возбуждением без

модуляции добротности, имеющих:

II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью

более 500 кВт или средней выходной

мощностью более 150 Вт;

II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью

более 1 МВт или средней мощностью свыше 500

Вт

II.13.4.3.3.5.4. лазеров непрерывного возбуждения, имеющих:

II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью

более 500 кВт или средней, или непрерывной

мощностью свыше 150 Вт;

II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью

более 1 МВт или средней, или непрерывной

мощностью свыше 500 Вт

II.13.4.3.3.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров с растворенным неодимом,

указанных в пунктах I.12.4.3.2.3. -

I.12.4.3.2.3.4.2.

II.13.4.3.3.7. Конструкция и технология производства других

неперестраиваемых лазеров, имеющих:

II.13.4.3.3.7.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию

более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую

мощность более 1 Вт или среднюю, или

непрерывную выходную мощность более 1 Вт;

II.13.4.3.3.7.2. длину волны не менее 150 нм, но не более

800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж на

импульс, импульсную пиковую мощность более

30 Вт или среднюю, или непрерывную мощность

более 30 Вт;

II.13.4.3.3.7.3. длину волны более 800 нм, но не более 1400

нм:

II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной

энергией более 0,5 Дж в импульсе,

импульсной пиковой мощностью более 50 Вт

или средней выходной мощностью, превышающей

10 Вт для одномодовых лазеров и 30 Вт для

многомодовых лазеров;

II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с

выходной энергией более 2 Дж в импульсе,

импульсной пиковой мощностью свыше 50 Вт

или средней, или непрерывной выходной

мощностью более 50 Вт;

II.13.4.3.3.7.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию

более 100 мДж в импульсе, импульсную

пиковую мощность более 1 Вт или среднюю,

или непрерывную мощность более 1 Вт

II.13.4.3.3.8. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства неперестраиваемых лазеров,

указанных в пунктах I.12.4.3.2.4. -

I.12.4.3.2.4.4.

II.13.4.4. Конструкция и технология производства лазеров на

красителях и других жидкостях, имеющих:

II.13.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию

более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую

мощность свыше 1 Вт или среднюю, или

непрерывную выходную мощность более 1 Вт;

II.13.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свыше

800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж в

импульсе, импульсную пиковую мощность свыше

20 Вт, или среднюю, или непрерывную

выходную мощность более 20 Вт, или имеющие

генератор одиночной продольной моды со

средней выходной мощностью более 1 Вт и

частотой повторения более 1 кГц при

длительности импульса менее 100 нс;

II.13.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 1400

нм, выходную энергию более 500 мДж в

импульсе, импульсную пиковую мощность более

10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную

мощность более 10 Вт;

II.13.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию

более 100 мДж в импульсе, импульсную

пиковую мощность более 1 Вт или среднюю,

или непрерывную выходную мощность более 1

Вт

II.13.4.5. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на красителях и других

жидкостях, указанных в пунктах I.12.4.4. -

I.12.4.4.4.

II.13.4.6. Конструкция и технология производства лазеров на

свободных электронах

II.13.4.7. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства лазеров на свободных электронах

II.13.4.8. Конструкция и технология производства

компонентов для лазеров

II.13.4.8.1. Конструкция и технология производства зеркал,

охлаждаемых либо активным охлаждением, либо

трубчатой охладительной системой

II.13.4.8.2. Конструкция и технология производства оптических

зеркал или прозрачных, или частично прозрачных

оптических, или электрооптических компонентов

для использования в лазерах, подлежащих

экспортному контролю

II.13.4.9. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства компонентов лазеров, указанных в

пунктах I.12.4.6. - I.12.4.6.2.

II.13.4.10. Конструкция и технология производства

оптического оборудования

II.13.4.10.1. Конструкция и технология производства

оборудования динамического измерения фазы

волнового фронта с более 50 позициями на

волновом фронте луча с:

II.13.4.10.1.1. частотой кадра равной или более 100 Гц и

фазовой дискриминацией 5% и более длины

волны луча;

II.13.4.10.1.2. частотой кадра равной или более 1000 Гц и

фазовой дискриминацией 20% и более длины

волны луча

II.13.4.10.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства оборудования для динамического

измерения фазы волнового фронта, указанного в

пунктах I.12.4.7.1. - I.12.4.7.1.2.

II.13.4.10.3. Конструкция и технология производства

оборудования лазерной диагностики со

способностью измерения ошибок управления луча

лазера сверхвысокой мощности с точностью, равной

или менее 10 мкрад

II.13.4.10.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства оборудования лазерной диагностики,

указанного в пункте I.12.4.7.2.

II.13.4.10.5. Конструкция и технология производства оптической

аппаратуры, узлов и компонентов для системы

лазера сверхвысокой мощности с фазированным

сложением лучей с точностью 1/10 длины волны или

0,1 мкм (в зависимости от того, что меньше)

II.13.4.10.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства аппаратуры, узлов и компонентов,

указанных в пункте I.12.4.7.3.

II.13.4.10.7. Конструкция и технология производства защищенных

объективов для использования с системами лазеров

сверхвысокой мощности

II.13.4.10.8. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства защищенных объективов для

использования с системами лазеров сверхвысокой

мощности

II.13.4.11. Конструкция и технология производства специально

разработанного или модифицированного

оборудования, включая инструменты, красители,

контрольно-измерительные приборы и другие

специальные компоненты и вспомогательные

элементы:

II.13.4.11.1. для производства или осмотра:

II.13.4.11.1.1. магнитных систем лазеров на свободных

электронах;

II.13.4.11.1.2. фотоинжекторов лазеров на свободных

электронах;

II.13.4.11.2. для юстировки в пределах требуемой

погрешности продольного магнитного поля

лазеров на свободных электронах

II.13.4.12. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства специально разработанного или

модифицированного оборудования, указанного в

пунктах I.12.4.8. - I.12.4.8.2.

II.13.4.13. Технология производства или методы использования

специализированных диагностических инструментов

или мишеней в испытательных установках для

испытаний лазеров сверхвысокой мощности либо

испытаний или оценки стойкости материалов,

облучаемых излучением таких лазеров

II.13.5. Конструкция и технология производства

оптоволоконных кабелей связи, оптических волокон

и специально разработанных компонентов и

вспомогательного оборудования:

II.13.5.1. Технология производства оптических волокон или

кабелей длиной свыше 50 м:

II.13.5.1.1. разработанных для функционирования в

одномодовом режиме;

II.13.5.1.2. способных выдерживать напряжение

(механическое) 2x10E9 Н/кв. м или более в

контрольном тесте

II.13.5.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства оптических волокон или кабелей,

указанных в пунктах I.12.5.1. - I.12.5.1.2.

II.13.5.3. Конструкция и технология производства

компонентов и вспомогательного оборудования,

специально разработанных для оптических волокон

или кабелей, указанных в пункте I.12.5.1., за

исключением соединителей для использования с

оптическими волокнами или кабелями, имеющими

потери соединения 0,5 дБ или более

II.13.5.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства компонентов и вспомогательного

оборудования, указанного в пункте I.12.5.2.

II.13.5.5. Конструкция и технология производства