|
3.1.
|
Системы, оборудование и компоненты
|
|
|
3.1.1.
|
Атомные эталоны частоты, пригодные для применения в космосе
|
8543 20 000 0
|
|
3.1.2.
|
Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:
|
8542 31 300 0;
8542 31 901 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 33 900 0;
8542 39 300 0;
8542 39 901 0;
8543 90 000 0
|
|
|
а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие любое из следующего:
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 120 Вт (50,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно; или
|
|
|
|
б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие любое из следующего:
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно
|
|
|
3.1.3.
|
Дискретные сверхвысокочастотные транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
|
8541 21 000 0;
8541 29 000 0
|
|
|
а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
|
|
|
|
б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
|
|
|
|
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно
|
|