3.1. Системы, оборудование и компоненты

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1 (за исключением пунктов 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8, 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12 и 3.1.1.2.11) и специально разработанных для другого оборудования или обладающих аналогичными функциональными характеристиками, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу этого другого оборудования.

2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12 или 3.1.1.2.11, которые не могут быть перепрограммированы или разработаны для выполнения определенных функций в другом оборудовании, определяется по контрольному статусу этого другого оборудования

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 и 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12

3.1.1.

Электронные изделия:

3.1.1.1.

Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1.

Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:

8542

а) суммарную дозу 5 x 10³ Гр (по кремнию) [5 x 10⁵ рад] или выше;

б) мощность дозы 5 x 10⁶ Гр (по кремнию)/с [5 x 10⁸ рад/с] или выше; или

в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10¹³ н/см² или более по кремнию или его эквивалент для других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);

3.1.1.1.2.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, включающие в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы (при условии, что их функции неизвестны или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы), процессоры быстрого преобразования Фурье, статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ) или энергонезависимые запоминающие устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542

а) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды выше 398 K (125 °C);

б) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды ниже 218 K (-55 °C); или

в) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 K (-55 °C) до 398 К (125 °C)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, разработанным для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;

Техническое примечание.

Энергонезависимые запоминающие устройства - устройства с функцией сохранения данных после выключения источника питания;

3.1.1.1.3.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на основе сложных полупроводников и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц;

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4.

Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 600 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 250 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 65 млн. выборок в секунду

Особое примечание.

Для интегральных схем, включающих в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением;

б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

1) разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с приведенной скоростью обновления более 3,5 млрд. выборок в секунду; или

2) разрешающую способность 12 бит или более и имеющие любое из следующего:

приведенную скорость обновления более 1,25 млрд. выборок в секунду, но менее 3,5 млрд. выборок в секунду, имеющие любую из следующих характеристик:

время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024 процента полной шкалы от шага полной шкалы; или

динамический диапазон без паразитных составляющих (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезе аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоте аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц; или

приведенную скорость обновления более 3,5 млрд. выборок в секунду

Технические примечания:

1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.

2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.

3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).

4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:

а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;

б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:

скорость ввода данных;

скорость ввода слов;

скорость ввода выборок;

максимальная общая скорость пропускания шины;

максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;

3.1.1.1.5.

Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:

8542

а) один внутренний лазерный диод или более;

б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и

в) световоды;

3.1.1.1.6.

Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0

а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - более 700;

или

б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 500 Гбит/с или более

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.6 включает:

сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем межсоединения (ППМС)

Особое примечание.

Для программируемых логических интегральных схем, совместимых с аналого-цифровыми преобразователями, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом.

2. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);

3.1.1.1.7.

Интегральные схемы для нейронных сетей;

8542

3.1.1.1.8.

Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) максимальное число цифровых входов (выходов) 700 или более;

или

б) суммарная максимальная скорость передачи данных последовательного одностороннего радиопередатчика 500 Гб/с или выше;

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

3.1.1.1.9.

Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:

8542

а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или

б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;

3.1.1.1.10.

Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log₂ N)/20 480 мс, где N - количество точек

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс

3.1.1.1.11.

Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или

б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более

Техническое примечание.

Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала

3.1.1.1.12.

Интегральные схемы, выполняющие все следующее или программируемые для выполнения всего следующего:

8542 31 901 0; 8542 31 909 0; 8542 39 901 0; 8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразования, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и

б) любое из следующего:

хранение цифровых данных; или

обработка цифровых данных

Особые примечания:

1. Для аналого-цифровых преобразователей см. подпункт "а" пункта 3.1.1.1.4.

2. Для программируемых пользователем логических устройств см. пункт 3.1.1.1.6

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

Примечания:

1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, должен оцениваться по параметрам, указанным в пунктах 3.1.1.1, 3.1.1.2, 3.1.1.4, 3.1.1.5.4, 3.1.1.7, 3.1.1.8 или 3.1.1.9.

2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные схемы;

пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";

оптические интегральные схемы;

трехмерные интегральные схемы;

монолитные микроволновые интегральные схемы;

3.1.1.2.

Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:

3.1.1.2.1.

Нижеперечисленные вакуумные электронные устройства и катоды:

3.1.1.2.1.1.

Вакуумные электронные устройства бегущей волны импульсного или непрерывного действия:

8540 79 000 9

а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода вакуумного электронного устройства на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;

в) вакуумные электронные устройства с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7 процентов или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;

г) вакуумные электронные устройства, основанные на спирали, сложенном волноводе или извилистом волноводе, или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1;

пригодные для применения в космосе; или

имеющие электронную пушку с координатной привязкой;

д) вакуумные электронные устройства с относительной шириной полосы частот, равной 10 процентов или более, имеющие любое из следующего: кольцевой пучок электронов;

пучок электронов, несимметричный относительно оси; или множественные пучки электронов;

3.1.1.2.1.2.

Вакуумные электронные устройства магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;

8540 71 000 9

3.1.1.2.1.3.

Термоэлектронные катоды, разработанные для вакуумных электронных устройств, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см², или в импульсном (прерывающемся) режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 10 А/см²;

8540 99 000 0

3.1.1.2.1.4.

Вакуумные электронные устройства с возможностью работы в двухканальном режиме

8540 99 000 0

Техническое примечание.

Двухканальный режим означает, что вакуумное электронное устройство может переключаться между непрерывным и импульсным режимами работы через сеть и имеет пиковую выходную мощность больше, чем выходная мощность при непрерывном излучении

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.

2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:

а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и

б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и

диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

Особое примечание.

ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии с пунктом 3.1.1.2.11

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;

3.1.1.2.3.

Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц; или

е) отличные от указанных в подпунктах "а" - "д" настоящего пункта и определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 31,8 ГГц включительно

Примечания:

1. Контрольный статус транзисторов, определенных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, приведенных в указанных подпунктах, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.3 включает как бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули, так и корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3

Особое примечание.

В отношении монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности и дискретных сверхвысокочастотных транзисторов, определенных в пунктах 3.1.1.2.2 и 3.1.1.2.3, см. также пункты 3.1.2 и 3.1.3 раздела 2;

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 51 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц;

Особые примечания:

1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2.

2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11.

3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6

Примечание.

Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения;

3.1.1.2.5.

Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (f_max/f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:

8541 59 000 0

а) полосу пропускания частоты более 0,5 процента от резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее 0,5 процента от резонансной частоты;

3.1.1.2.6.

Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:

а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;

б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;

выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или

г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8541 59 000 0

3.1.1.2.7.

Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие вакуумные электронные устройства, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:

8541 59 000 0

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 см³

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.8.

Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:

8540 79 000 9;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8541 59 000 0

8543 90 000 0

а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;

б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см³/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f_max > 2f_min) и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или

частоту выше 18 ГГц

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см³/Вт] = 200 [см³]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;

3.1.1.2.9.

Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) - (126 + 20 log₁₀F - 20 log₁₀f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

Техническое примечание.

В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;

3.1.1.2.10.

Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

а) менее 143 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или

д) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 5 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 75 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

е) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц

3.1.1.2.11.

Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), P_sat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате, то есть: P_sat > 505,62 Вт x ГГц²/f_ГГц² для любого канала;

б) относительную ширину полосы частот 5 процентов или более для любого канала;

в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:

d 15 см x ГГц x N/f_ГГц,

где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и

г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;

Технические примечания:

1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (f_ГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение до 2,7 ГГц и ниже, то есть:

d 15 см x ГГц x N/2,7 ГГц.

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).

7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.

2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот

Особое примечание.

Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.

Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1.

Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 60 000 0

а) центральную частоту выше 6 ГГц;

б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц;

или

дисперсионную задержку более 10 мкс;

или

в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц

Техническое примечание.

Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);

3.1.1.3.2.

Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;

8541 60 000 0

3.1.1.3.3.

Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку

8541 60 000 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4.

Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:

8540;

8541;

8542;

8543

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10^-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000;

3.1.1.5.

Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1.

Элементы:

3.1.1.5.1.1.

Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре 20 °C:

8506

а) плотность энергии, превышающую 550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или

б) плотность энергии, превышающую 50 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг;

3.1.1.5.1.2.

Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт·ч/кг при температуре 20 °C

8507

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии

5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность

3.1.1.5.2.

Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1.

Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2.

Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10000 или более;

3.1.1.5.3.

Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:

8504 50;

8505 90 200 9

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм²

Примечание.

Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);

3.1.1.5.4.

Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20 процентов при рабочей температуре 301 K (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м² при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)

8541 42 000 0

8541 43 000 0

8541 49 000 0

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);

Примечание.

Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

3.1.1.6.

Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше), и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

3.1.1.7.

Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

8536 50 040 0;

8541 51 000 0;

8541 59 000 0;

8541 30 000 9

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или

б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:

пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и

пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает:

кремниевые триодные тиристоры;

электрические триггерные тиристоры;

световые триггерные тиристоры;

коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;

вентильные запираемые тиристоры;

управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);

солидтроны.

2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8.

Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:

8504 40 830 0;

8536 50 040 0;

8536 50 060 0;

8541 10 000 9;

8541 21 000 0;

8541 29 000 0;

8541 30 000 9;

8541 51 000 0;

8541 59 000 0

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 K (215 °C);

б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и

в) постоянный ток более 1 А

Примечания:

1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.

2. Пункт 3.1.1.8 включает:

канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);

канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);

канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);

канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);

трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);

транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);

биполярные плоскостные транзисторы (BJT);

тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);

высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);

тиристоры с эмиттерами включения (ETO);

регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);

диоды Шоттки.

3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

3.1.1.9.

Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или

б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение () менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение () менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением () является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор

3.1.2.

Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:

3.1.2.1.

Записывающая аппаратура и осциллографы:

Особое примечание.

Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;

3.1.2.1.1.

Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:

8471 50 000 0;

8471 60;

8471 70 200 0;

8471 70 300 0;

8471 70 500 0;

8519 89 900 9;

8521 90 000 9;

8522 90 400 0;

8522 90 810 0;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0

а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и

б) выполняющие обработку параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью

Технические примечания:

1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.

2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;

3.1.2.1.2.

Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2 процентов полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов

9030 20

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;

3.1.2.2.

Анализаторы сигналов:

3.1.2.2.1.

Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0