Документ утратил силу или отменен. Подробнее см. Справку

3.5. Технология

3.5.1. Технологии в соответствии с общим

технологическим примечанием к

настоящему Списку для разработки

или производства оборудования или

материалов, контролируемых по

пункту 3.1, 3.2 или 3.3

Примечание.

По пункту 3.5.1 не контролируются

технологии для:

а) производства оборудования или

компонентов, контролируемых по

пункту 3.1.3;

б) разработки или производства

интегральных схем, контролируемых

по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11,

имеющих все нижеперечисленные

признаки:

использующие технологии с

разрешением 0,5 мкм или выше

(хуже); и

не содержащие многослойных

структур

(примечание в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

(см. текст в предыдущей редакции)

Техническое примечание.

Для целей пункта "б" примечания

многослойные структуры не включают

приборов, содержащих максимум три

металлических слоя и три слоя

поликристаллического кремния

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 06.03.2008

N 326)

3.5.2. Технологии в соответствии с общим

технологическим примечанием к

настоящему Списку другие, чем те,

которые контролируются по пункту

3.5.1, для разработки или

производства ядра микросхем

микропроцессора, микроЭВМ или

микроконтроллера, имеющих

арифметико-логическое устройство с

длиной выборки 32 бит или более и

любые из нижеприведенных

особенностей или характеристик:

а) блок векторного процессора,

предназначенный для выполнения

более двух вычислений с векторами

для операций с плавающей запятой

(одномерными 32-разрядными или

более массивами) одновременно

Техническое примечание.

Блок векторного процессора

является процессорным элементом со

встроенными операторами, которые

выполняют многочисленные

вычисления с векторами для

операций с плавающей запятой

(одномерными 32-разрядными или

более массивами) одновременно,

имеющим, по крайней мере, одно

векторное арифметико-логическое

устройство;

б) разработанных для выполнения

более двух 64-разрядных или более

операций с плавающей запятой,

проходящих за цикл; или

в) разработанных для выполнения

более четырех 16-разрядных

операций умножения с накоплением с

фиксированной запятой, проходящих

за цикл (например, цифровая

обработка аналоговой информации,

которая была предварительно

преобразована в цифровую форму,

также известная как цифровая

обработка сигналов)

Примечание.

По подпункту "в" пункта 3.5.2 не

контролируется технология

мультимедийных расширений

(п. 3.5.2 в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

(см. текст в предыдущей редакции)

Примечания:

1. По пункту 3.5.2 не

контролируются технологии для

разработки или производства ядер

микропроцессоров, имеющих все

нижеперечисленные признаки:

использующие технологии с

разрешением 0,130 мкм или выше

(хуже); и

содержащие многослойные структуры

с пятью или менее металлическими

слоями

2. Пункт 3.5.2 включает технологии

для процессоров цифровой обработки

сигналов и цифровых матричных

процессоров

(примечания введены Указом Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от

06.03.2008 N 326

(см. текст в предыдущей редакции)

Техническое примечание. Исключено. - Указ

Президента РФ от 06.03.2008 N 326

(см. текст в предыдущей редакции)

3.5.3. Прочие технологии для разработки

или производства:

а) вакуумных микроэлектронных

приборов;

б) полупроводниковых приборов на

гетероструктурах, таких, как

транзисторы с высокой подвижностью

электронов, биполярных

транзисторов на гетероструктуре,

приборов с квантовыми ямами или

приборов на сверхрешетках;

Примечание.

По подпункту "б" пункта 3.5.3 не

контролируются технологии для

транзисторов с высокой

подвижностью электронов (ТВПЭ),

работающих на частотах ниже 31,8

ГГц, и биполярных транзисторов на

гетероструктуре (ГБТ), работающих

на частотах ниже 31,8 ГГц;

(примечание введено Указом Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

в) сверхпроводящих электронных

приборов;

г) подложек из алмазных пленок для

электронных компонентов;

д) подложек из структур кремния на

диэлектрике (КНД-структур) для

интегральных схем, в которых

диэлектриком является диоксид

кремния;

е) подложек из карбида кремния для

электронных компонентов;

ж) электронных вакуумных ламп,

работающих на частотах 31,8 ГГц

или выше

(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

(см. текст в предыдущей редакции)