3.1. Системы, оборудование и компоненты

3.1. Системы, оборудование и

компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус

оборудования и компонентов,

указанных в пункте 3.1, других,

нежели указанные в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте

3.1.1.1.11, и которые специально

разработаны или имеют те же самые

функциональные характеристики, как

и другое оборудование,

определяется по контрольному

статусу такого оборудования

2. Контрольный статус интегральных

схем, указанных в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте

3.1.1.1.11, которые являются

неизменно запрограммированными или

разработанными для выполнения

функций другого оборудования,

определяется по контрольному

статусу такого оборудования

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель

или заявитель не может определить

контрольный статус другого

оборудования, этот статус

определяется контрольным статусом

интегральных схем, указанных в

пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или

пункте 3.1.1.1.11. Если

интегральная схема является

кремниевой микросхемой микроЭВМ

или микросхемой микроконтроллера,

указанными в пункте 3.1.1.1.3 и

имеющими длину слова операнда

(данных) 8 бит или менее, то ее

статус контроля должен

определяться в соответствии с

пунктом 3.1.1.1.3

3.1.1. Электронные компоненты:

3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные

микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1. Интегральные схемы, 8542

спроектированные или относящиеся к

классу радиационно стойких,

выдерживающие любое из следующих

воздействий:

3

а) суммарную дозу 5 х 10 Гр

5

(Si) [5 х 10 рад] или выше;

6

б) мощность дозы 5 х 10 Гр

8

(Si)/c [5 x 10 рад/с] или выше;

или

в) флюенс (интегральный поток)

нейтронов (соответствующий энергии

13

в 1 МэВ) 5 х 10 н/кв. см или

более по кремнию или его

эквивалент для других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не

применяется к структуре металл -

диэлектрик - полупроводник (МДП-

структуре);

3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542

микросхемы микроЭВМ, микросхемы

микроконтроллеров, изготовленные

из полупроводниковых соединений

интегральные схемы памяти,

аналого-цифровые преобразователи,

цифроаналоговые преобразователи,

электронно-оптические или

оптические интегральные схемы для

обработки сигналов,

программируемые пользователем

логические устройства,

заказные интегральные схемы,

функции которых неизвестны или не

известно, распространяется ли

статус контроля на аппаратуру, в

которой будут использоваться эти

интегральные схемы, процессоры

быстрого преобразования Фурье,

электрически перепрограммируемые

постоянные запоминающие устройства

(ЭППЗУ), память с групповой

перезаписью или статические

запоминающие устройства с

произвольной выборкой (СЗУПВ),

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) работоспособные при температуре

окружающей среды выше 398 К (+125

град. С);

б) работоспособные при температуре

окружающей среды ниже 218 К (-55

град. С); или

в) работоспособные во всем

диапазоне температур окружающей

среды от 218 К (-55 град. С) до

398 К (+125 град. С)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется

к интегральным схемам,

используемым для гражданских

автомобилей и железнодорожных

поездов;

3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, 8542 31 900 1;

микросхемы микроЭВМ, микросхемы 8542 31 900 9;

микроконтроллеров, изготовленные 8542 39 900 9

на полупроводниковых соединениях и

работающие на тактовой частоте,

превышающей 40 МГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает

процессоры цифровых сигналов,

цифровые матричные процессоры и

цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 31 900 1;

изготовленные на полупроводниковых 8542 31 900 9;

соединениях; 8542 39 900 9

3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для 8542 31 900 3;

аналого-цифровых и цифроаналоговых 8542 31 900 9;

преобразователей: 8542 39 900 5;

а) аналого-цифровые 8542 39 900 9

преобразователи, имеющие любую из

следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или

более, но менее 10 бит, со

скоростью на выходе более 500

млн. слов в секунду;

разрешающую способность 10 бит или

более, но менее 12 бит, со

скоростью на выходе более 200 млн.

слов в секунду;

разрешающую способность 12 бит со

скоростью на выходе более

105 млн. слов в секунду;

разрешающую способность более

12 бит, но равную или меньше

14 бит, со скоростью на выходе

более 10 млн. слов в секунду; или

разрешающую способность более

14 бит со скоростью на выходе

более 2,5 млн. слов в секунду;

б) цифроаналоговые преобразователи

с разрешающей способностью 12 бит

или более и временем установления

сигнала менее 10 нс

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов

n

соответствует 2 уровням

квантования

2. Количество бит в выходном слове

соответствует разрешающей

способности аналого-цифрового

преобразователя

3. Скорость на выходе является

максимальной скоростью на выходе

преобразователя независимо от

структуры или выборки с запасом

по частоте дискретизации.

Поставщики могут также ссылаться

на скорость на выходе как на

частоту выборки, скорость

преобразования или пропускную

способность. Ее часто определяют в

мегагерцах (МГц) или миллионах

выборок в секунду (Мвыб./с)

4. Для целей измерения скорости на

выходе одно выходное слово в

секунду равнозначно одному герцу

или одной выборке в секунду;

3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542

интегральные схемы для обработки

сигналов, имеющие одновременно все

перечисленные составляющие:

а) один внутренний лазерный диод

или более;

б) один внутренний

светочувствительный элемент или

более; и

в) световоды;

3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542 39 900 5

логические устройства, имеющие

любую из следующих характеристик:

а) эквивалентное количество

задействованных логических

элементов более 30000 (в пересчете

на элементы с двумя входами);

б) типовое время задержки

основного логического элемента

менее 0,1 нc; или

в) частоту переключения выше 133

МГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.7 включает:

простые программируемые логические

устройства (ППЛУ);

сложные программируемые логические

устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем

вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем

логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем

межсоединения (ППМС)

Особое примечание.

Программируемые пользователем

логические устройства также

известны как программируемые

пользователем вентильные или

программируемые пользователем

логические матрицы;

3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных 8542

сетей;

3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, 8542 31 900 3;

функции которых неизвестны или 8542 31 900 9;

изготовителю не известно, 8542 39 900 5;

распространяется ли статус 8542 39 900 9

контроля на аппаратуру, в которой

будут использоваться эти

интегральные схемы, с любой из

следующих характеристик:

а) более 1000 выводов;

б) типовое время задержки

основного логического элемента

менее 0,1 нс; или

в) рабочую частоту, превышающую 3

ГГц;

3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, 8542

нежели указанные в пунктах

3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте

3.1.1.1.11, созданные на основе

любого полупроводникового

соединения и характеризующиеся

любым из нижеследующего:

а) эквивалентным количеством

логических элементов более 3000 (в

пересчете на элементы с двумя

входами); или

б) частотой переключения выше 1,2

ГГц;

3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования 8542 31 900 1;

Фурье, имеющие расчетное время 8542 31 900 9;

выполнения комплексного N- 8542 39 900 9

точечного сложного быстрого

преобразования Фурье менее (N log

2

N)/20 480 мс, где N - количество

точек

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024

точкам, формула в пункте

3.1.1.1.11 дает результат времени

выполнения 500 мкс

Примечания:

1. Контрольный статус подложек

(готовых или полуфабрикатов), на

которых воспроизведена конкретная

функция, оценивается по

параметрам, указанным в пункте

3.1.1.1

2. Понятие "интегральные схемы"

включает следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные

схемы;

пленочные интегральные схемы,

включая интегральные схемы типа

"кремний на сапфире";

оптические интегральные схемы;

3.1.1.2. Компоненты микроволнового или

миллиметрового диапазона:

3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные

вакуумные лампы и катоды:

3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного 8540 79 000 0

или непрерывного действия:

а) работающие на частотах,

превышающих 31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева

катода со временем выхода лампы на

предельную радиочастотную мощность

менее 3 с;

в) лампы с сопряженными

резонаторами или их модификации с

относительной шириной полосы

частот более 7% или пиком

мощности, превышающим 2,5 кВт;

г) спиральные лампы или их

модификации, имеющие любую из

следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот

более одной октавы и произведение

средней мощности (выраженной в

кВт) на рабочую частоту

(выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в

одну октаву или менее и

произведение средней мощности

(выраженной в кВт) на рабочую

частоту (выраженную в ГГц) более

1; или

пригодные для применения в

космосе;

3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа 8540 71 000 0

с коэффициентом усиления более 17

дБ;

3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000 0

разработанные для электронных

ламп, эмитирующие в непрерывном

режиме и штатных условиях работы

ток плотностью, превышающей 5

А/кв. см

Примечания:

1. По пункту 3.1.1.2.1 не

контролируются лампы,

спроектированные для работы в

любом диапазоне частот, который

удовлетворяет всем следующим

характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц;

и

б) диапазон распределен

Международным союзом электросвязи

для обслуживания радиосвязи, но не

для радиоопределения

2. По пункту 3.1.1.2.1 не

контролируются лампы, которые

непригодны для применения в

космосе и удовлетворяют всем

следующим характеристикам:

а) средняя выходная мощность не

более 50 Вт; и

б) спроектированные для работы в

любом диапазоне частот, который

удовлетворяет всем следующим

характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не

превышает 43,5 ГГц; и диапазон

распределен Международным союзом

электросвязи для обслуживания

радиосвязи, но не для

радиоопределения;

3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые 8542 31 900 3;

интегральные схемы (ММИС) - 8542 33 000;

усилители мощности, имеющие любую 8542 39 900 5;

из следующих характеристик: 8543 90 000 1

а) предназначенные для работы на

частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц

включительно и со средней выходной

мощностью, превышающей 4 Вт (36

дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт), с относительной

шириной полосы частот более 15%;

б) предназначенные для работы на

частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц

включительно и со средней выходной

мощностью, превышающей 1 Вт

(30 дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт), с относительной

шириной полосы частот более 10%;

в) предназначенные для работы на

частотах от более 16 ГГц до 31,8

ГГц включительно и со средней

выходной мощностью, превышающей

0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт), с

относительной шириной полосы

частот более 10%;

г) предназначенные для работы на

частотах от более 31,8 ГГц до 37,5

ГГц включительно;

д) предназначенные для работы на

частотах от более 37,5 ГГц до

43,5 ГГц включительно и со

средней выходной мощностью,

превышающей 0,25 Вт (24 дБ,

отсчитываемых относительно уровня

1 мВт), с относительной шириной

полосы частот более 10%; или

е) предназначенные для работы на

частотах выше 43,5 ГГц

Примечания:

1. Исключен. - Указ Президента РФ от 01.12.2005

N 1384

1. По пункту 3.1.1.2.2 не

контролируется радиопередающее

спутниковое оборудование,

разработанное или предназначенное

для работы в полосе частот от 40,5

ГГц до 42,5 ГГц

2. Контрольный статус ММИС,

номинальные рабочие частоты

которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "е" пункта

3.1.1.2.2, определяется наименьшим

контрольным порогом средней

выходной мощности

3. Примечания, приведенные после

пункта 3.1 категории 3,

подразумевают, что по пункту

3.1.1.2.2 не контролируются ММИС,

если они специально разработаны

для иных целей, например для

телекоммуникаций, радиолокационных

станций, автомобилей;

3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые 8541 21 000 0;

транзисторы, имеющие любую из 8541 29 000 0

следующих характеристик:

а) предназначенные для работы на

частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц

включительно и имеющие среднюю

выходную мощность, превышающую 60

Вт (47,8 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

б) предназначенные для работы на

частотах от более 6 ГГц до 31,8

ГГц включительно и имеющие среднюю

выходную мощность, превышающую 20

Вт (43 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

в) предназначенные для работы на

частотах от более 31,8 ГГц до 37,5

ГГц включительно и имеющие среднюю

выходную мощность, превышающую 0,5

Вт (27 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт);

г) предназначенные для работы на

частотах от более 37,5 ГГц до 43,5

ГГц включительно и имеющие среднюю

выходную мощность, превышающую

1 Вт (30 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт); или

д) предназначенные для работы на

частотах выше 43,5 ГГц

Примечание.

Контрольный статус транзисторов,

номинальные рабочие частоты

которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "д" пункта

3.1.1.2.3, определяется наименьшим

контрольным порогом средней

выходной мощности;

3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 70 900 9

усилители и микроволновые

сборки/модули, содержащие

такие усилители, имеющие любую из

следующих характеристик:

а) предназначенные для работы на

частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц

включительно и со средней выходной

мощностью, превышающей 60 Вт (47,8

дБ, отсчитываемых относительно

уровня 1 мВт), с относительной

шириной полосы частот более 15%;

б) предназначенные для работы на

частотах от более 6 ГГц до 31,8

ГГц включительно и со средней

выходной мощностью, превышающей

15 Вт (42 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт), с

относительной шириной полосы

частот более 10%;

в) предназначенные для работы на

частотах от более 31,8 ГГц до 37,5

ГГц включительно;

г) предназначенные для работы на

частотах от более 37,5 ГГц до 43,5

ГГц включительно и со средней

выходной мощностью, превышающей

1 Вт (30 дБ, отсчитываемых

относительно уровня 1 мВт), с

относительной шириной полосы

частот более 10%;

д) предназначенные для работы на

частотах выше 43,5 ГГц; или

е) предназначенные для работы на

частотах выше 3,2 ГГц и имеющие

все следующее:

среднюю выходную мощность Р (Вт),

большую, чем результат от деления

2

величины 150 (Вт.ГГц ) на

максимальную рабочую частоту

f (ГГц) в квадрате, то есть:

2

Р > 150/f или в единицах

2

размерности [(Вт) > (Вт.ГГц ) /

2

/ (ГГц) ];

относительную ширину полосы частот

5% или более;

любые две взаимно перпендикулярные

стороны с длиной d (см), равной

или меньше, чем результат от

деления величины 15 (см.ГГц) на

наименьшую рабочую частоту

f (ГГц), то есть:

d <= 15/f или в единицах

размерности [(см) <= (см.ГГц) /

/ (ГГц)]

Техническое примечание.

Для усилителей, имеющих

номинальный рабочий диапазон

частот, простирающийся в сторону

уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в

формуле последнего абзаца

подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4

значение наименьшей рабочей

частоты f (ГГц) следует принимать

равным 3,2 ГГц, то есть:

d <= 15/3,2 или в единицах

размерности [(см) <= (см · ГГц)

/ГГц]

Особое примечание.

Для оценки ММИС усилителей

мощности должны применяться

критерии, описанные в пункте

3.1.1.2.2

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется

к радиопередающему спутниковому

оборудованию, разработанному или

предназначенному для работы в

полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5

ГГц

2. Контрольный статус изделий,

номинальные рабочие частоты

которых относятся к более чем

одной полосе частот, указанной в

подпунктах "а" - "д" пункта

3.1.1.2.4, определяется наименьшим

контрольным порогом средней

выходной мощности;

3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные 8543 70 900 9

фильтры с электронной или

магнитной перестройкой, содержащие

более пяти настраиваемых

резонаторов, обеспечивающих

настройку в полосе частот с

соотношением максимальной и

минимальной частот 1,5 : 1 (f /

max

f ) менее чем за 10 мкс, и

min

имеющие любую из следующих

характеристик:

а) полосу пропускания частоты

более 0,5% от резонансной частоты;

или

б) полосу подавления частоты менее

0,5% от резонансной частоты;

3.1.1.2.6. Исключен. - Указ Президента РФ от 01.12.2005

N 1384;

3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители 8543 70 900 9

на гармониках, разработанные

для расширения частотного

диапазона аппаратуры, описанной

в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.4,

3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх

пороговых значений, установленных

в этих пунктах;

3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности 8543 70 900 9

СВЧ-диапазона, содержащие лампы,

определенные в пункте 3.1.1.2.1,

и имеющие все следующие

характеристики:

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) плотность средней выходной

мощности, превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 куб. см

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется

к аппаратуре, разработанной или

установленной изготовителем для

работы в любом диапазоне частот,

распределенном Международным

союзом электросвязи для

обслуживания радиосвязи, но не для

радиоопределения;

3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания 8540 79 000 0;

(ММП), содержащие, по крайней 8542 31 900 3;

мере, лампу бегущей волны, 8543 70 900 9;

монолитную микроволновую 8543 90 000 1

интегральную схему и встроенный

электронный стабилизатор

напряжения, имеющие все следующие

характеристики:

а) время включения от выключенного

состояния до полностью

эксплуатационного состояния менее

10 с;

б) физический объем ниже

произведения максимальной

номинальной мощности в ваттах на

10 куб. см/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы частот

более одной октавы (f > 2f )

max min

и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18

ГГц, радиочастотную выходную

мощность более 100 Вт; или

частоту выше 18 ГГц

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта

3.1.1.2.8 время включения

относится к периоду времени от

полностью выключенного состояния

до полностью эксплуатационного

состояния, то есть оно включает

время готовности ММП

2. Для подпункта "б" пункта

3.1.1.2.8 приводится следующий

пример расчета физического объема

ММП.

Для максимальной номинальной

мощности 20 Вт физический объем

определяется как 20 [Вт] x 10

[куб. см/Вт] = 200 [куб. см].

Это значение физического объема

является контрольным показателем и

сравнивается с фактическим

физическим объемом ММП;

3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и

специально разработанные для них

компоненты:

3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000 0

акустических волнах и на

акустических волнах в тонком

поверхностном слое (то есть

приборы для обработки сигналов,

использующие упругие волны в

материале), имеющие любую из

следующих характеристик:

а) несущую частоту выше 6 ГГц;

б) несущую частоту выше 1 ГГц, но

не превышающую 6 ГГц, и

дополнительно имеющие любую из

следующих характеристик:

частотное подавление боковых

лепестков диаграммы направленности

более 55 дБ;

произведение максимального времени

задержки (в мкс) на ширину полосы

частот (в МГц) более 100;

ширину полосы частот выше 250 МГц;

или

дисперсионную задержку более 10

мкс; или

в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и

дополнительно имеющие любую из

следующих характеристик:

произведение максимального времени

задержки (в мкс) на ширину полосы

частот (в МГц) более 100;

дисперсионную задержку более 10

мкс; или

частотное подавление боковых

лепестков диаграммы направленности

более 55 дБ и ширину полосы

частот, превышающую 100 МГц;

3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0

волнах (то есть приборы для

обработки сигналов, использующие

упругие волны в материале),

обеспечивающие непосредственную

обработку сигналов на частотах,

превышающих 2,5 ГГц;

3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000 0

сигналов, использующие

взаимодействие между акустическими

волнами (объемными или

поверхностными) и световыми

волнами, что позволяет

непосредственно обрабатывать

сигналы или изображения, включая

анализ спектра, корреляцию или

свертку;

3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;

содержащие компоненты, 8541;

изготовленные из сверхпроводящих 8542;

материалов, специально 8543

спроектированные для работы при

температурах ниже критической

температуры хотя бы одной из

сверхпроводящих составляющих,

имеющие хотя бы один из следующих

признаков:

а) токовые переключатели для

цифровых схем, использующие

сверхпроводящие вентили, у которых

произведение времени задержки на

вентиль (в секундах) на

рассеиваемую мощность на вентиль

-14

(в ваттах) менее 10 Дж; или

б) селекцию частоты на всех

частотах с использованием

резонансных контуров с

добротностью, превышающей 10 000;

3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные

энергетические устройства:

3.1.1.5.1. Элементы, такие, как:

3.1.1.5.1.1. Первичные элементы с плотностью 8506

энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг

при температуре 20 °C;

3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью 8507

энергии, превышающей 250 Вт·ч/кг

при температуре 20 °C

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1

плотность энергии (Вт·ч/кг)

определяется произведением

номинального напряжения в вольтах

на номинальную емкость в ампер-

часах, поделенным на массу в

килограммах. Если номинальная

емкость не установлена, плотность

энергии определяется

произведением возведенного в

квадрат номинального напряжения в

вольтах на длительность разряда в

часах, поделенным на произведение

сопротивления нагрузки разряда в

омах на массу в килограммах

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1

"элемент" определяется как

электрохимическое устройство,

имеющее положительные и

отрицательные электроды и

электролит и являющееся источником

электроэнергии. Он является

основным компоновочным блоком

батареи

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1

"первичный элемент" определяется

как "элемент", который не

предназначен для заряда каким-либо

другим источником энергии

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2

"вторичный элемент" определяется

как "элемент", который

предназначен для заряда каким-либо

внешним источником энергии

3.1.1.5.1.3. Исключен. - Указ Президента РФ от 06.03.2008 N 326

Примечание.

По пункту 3.1.1.5.1 не

контролируются батареи, включая

батареи, содержащие один

элемент;

3.1.1.5.2. Высокоэнергетические

накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506;

ниже 10 Гц (одноразрядные 8507;

конденсаторы), имеющие все 8532

следующие характеристики:

а) номинальное напряжение 5 кВ или

более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или

более; и

в) полную энергию 25 кДж или

более;

3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;

10 Гц и выше (многоразрядные 8507;

конденсаторы), имеющие все 8532

следующие характеристики:

а) номинальное напряжение 5 кВ или

более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или

более;

в) полную энергию 100 Дж или

более; и

г) количество циклов заряд-разряда

10 000 или более;

3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты 8504 50;

и соленоиды, специально 8505 90 100 0

разработанные на полный заряд или

разряд менее чем за 1 с, имеющие

все нижеперечисленные

характеристики:

а) энергию, выделяемую при

разряде, превышающую 10 кДж за

первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих

обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию

больше 8 Т или суммарную плотность

тока в обмотке более 300 А/кв. мм

Примечание.

По пункту 3.1.1.5.3 не

контролируются сверхпроводящие

электромагниты или соленоиды,

специально разработанные для

медицинской аппаратуры

магниторезонансной томографии;

3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки 8541 40 900 0

электрически соединенных

элементов под защитным стеклом,

солнечные панели и солнечные

батареи, пригодные для применения

в космосе, имеющие минимальное

значение среднего КПД элементов

более 20% при рабочей температуре

301 К (28 °C) под освещением с

поверхностной плотностью потока

излучения 1367 Вт/кв. м при

имитации условий нулевой

воздушной массы (АМО)

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса)

определяется спектральной

плотностью потока солнечного света

за пределами атмосферы при

расстоянии между Землей и Солнцем,

равным одной астрономической

единице (АЕ);

3.1.1.6. Цифровые преобразователи 9031 80 320 0;

абсолютного углового положения 9031 80 340 0

вращающегося вала, имеющие любую

из следующих характеристик:

а) разрешение лучше 1/265000 от

полного диапазона (18 бит); или

б) точность лучше +/- 2,5 угл. с

3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые 8536 50 030 0;

коммутационные тиристорные 8536 50 800 0;