3.3. Материалы

3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры

(материалы), состоящие из подложки

с несколькими последовательно

наращенными эпитаксиальными слоями

любого из следующих материалов:

3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0

3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0

3.3.1.4. Соединения III - V на основе 3818 00 900 0

галлия или индия

Техническое примечание. Исключено. - Указ

Президента РФ от 04.12.2008 N 1726

3.3.2. Материалы резистов, а также

подложки, покрытые контролируемыми

резистами:

3.3.2.1. Позитивные резисты, 3824 90 980 9

предназначенные для

полупроводниковой литографии,

специально приспособленные

(оптимизированные) для

использования на длине волны менее

245 нм;

3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9

использования при экспонировании

электронными или ионными пучками,

с чувствительностью 0,01

мкКл/кв. мм или лучше;

3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9

использования при экспонировании

рентгеновскими лучами, с

чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм

или лучше;

3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 980 9

технологии формирования рисунка,

включая силилированные резисты

Техническое примечание.

Технология силилирования - это

процесс, включающий окисление

поверхности резиста, для повышения

качества мокрого и сухого

проявления

3.3.2.5. Все резисты, разработанные или 3824 90 980 9

приспособленные для применения с

оборудованием для литографической

печати, указанным в пункте

3.2.1.6.2, использующие

термический или светоотверждающий

способ

3.3.3. Следующие органо-неорганические

соединения:

3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0

алюминия, галлия или индия с

чистотой металлической основы

более 99,999%;

3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0

сурьмы и фосфорорганические

соединения с чистотой основы

неорганического элемента более

99,999%

Примечание.

По пункту 3.3.3 контролируются

только соединения, металлический,

частично металлический или

неметаллический элемент в которых

непосредственно связан с углеродом

органической части молекулы

3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0;

сурьмы, имеющие чистоту более 2850 00 200 0

99,999%, даже будучи растворенными

в инертных газах или водороде

Примечание.

По пункту 3.3.4 не

контролируются гидриды, содержащие

20% и более молей инертных газов

или водорода

3.3.5. Подложки из карбида кремния (SiC), 3818 00 900 0

нитрида галлия (GaN), нитрида

алюминия (AlN) или нитрида галлия-

алюминия (AlGaN) или слитки, були,

а также другие преформы из

указанных материалов, имеющие

удельное сопротивление более

10 000 Ом.см при 20 град. C

3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3818 00 900 0

3.3.5, содержащие по крайней мере

один эпитаксиальный слой из

карбида кремния (SiC), нитрида

галлия (GaN), нитрида алюминия

(AlN) или нитрида галлия-алюминия

(AlGaN)