Приоритетное развитие микроэлектроники

Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:

разработку базовых технологий СБИС:

- КМОП технологии уровня 0,18 - 0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;

- опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и организация пилотной линии по выпуску специализированных СБИС на пластинах диаметром 200 мм;

- разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства СБИС и организацию межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мк;

- ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая СБИС типа "система на кристалле", ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля с использованием:

- унифицированных библиотек стандартных элементов (отечественных и зарубежных производств);

- библиотек макроблоков и СФ-блоков, ориентированных по классам ЭКБ;

- платформ и стандартных интерфейсов;

- программно-аппаратных средств архитектурного проектирования и программирования, включая генерацию тестов;

разработку новых поколений электронной компонентной базы:

- функционально полной номенклатуры аналоговых и логических БИС для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;

- СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации, в том числе:

сигнальные и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и микроконтроллеры;

цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;

шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);

специализированные блоки для телекоммуникации, связи и АТМ технологии;

- комплектов специализированных СБИС типа "система на кристалле" сложностью до 10 - 50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля и т.д.);

- разработку приборов силовой электроники, включая:

- базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов со структурой IGBT, силовых ключей прижимной конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;

- базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей.

Системы на кристалле - новый класс перспективной электронной элементной базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений микроэлектронной техники, востребованной на рынке.

Развитие технологий СБИС "система на кристалле" неразрывно связано с развитием рынка СФ-блоков.