Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"

22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии изготовления

радиационно стойких сверхбольших ----- -- ---- ---- микросхем с размерами элементов

интегральных схем уровня 0,5 мкм 134,8 34 47,4 53,4 0,5 мкм на структурах "кремний на

на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм,

сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования

базовых библиотек элементов и

блоков цифровых и аналоговых

сверхбольших интегральных схем

расширенной номенклатуры для

организации производства

радиационно стойкой элементной

базы, обеспечивающей выпуск

специальной аппаратуры и систем,

работающих в экстремальных

условиях (атомная энергетика,

космос, военная техника)

23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления

радиационно стойких сверхбольших ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов

интегральных схем уровня 0,35 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний

мкм на структурах "кремний на на сапфире" диаметром 150 мм,

сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования

базовых библиотек элементов и

блоков цифровых и аналоговых

сверхбольших интегральных схем,

обеспечивающих создание

расширенной номенклатуры

быстродействующей и высоко

интегрированной радиационно

стойкой элементной базы

24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического

проектирования и конструктивно- ----- ---- ---- -- базиса (технология

технологических решений 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые

библиотеки логических и технологии), позволяющего

аналоговых элементов, разрабатывать радиационно

оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие

устройств, постоянных интегральные схемы на

запоминающих устройств, структурах "кремний на

сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой

радиационно стойких блоков до 0,25 мкм

контроллеров по технологии

"кремний на изоляторе" с

проектными нормами до 0,25 мкм

25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического

проектирования и конструктивно- ----- ---- ----- базиса (технология

технологических решений 240 54,3 185,7 проектирования, базовые

библиотеки логических и технологии), позволяющего

аналоговых элементов, разрабатывать радиационно

оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие

устройств, постоянных интегральные схемы на

запоминающих устройств, структурах "кремний на

сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой

радиационно стойких блоков до 0,18 мкм

контроллеров по технологии

"кремний на изоляторе" с

проектными нормами до 0,18 мкм

26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического

технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления

изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем

стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно

сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической

энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и

пьезоэлектрической и базовой технологии создания,

магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации

проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной

пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы

элементной базы

27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического

технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления

изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем

стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно

сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической

энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и

пьезоэлектрической и создания, изготовления и

магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой

проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной

пассивной радиационно стойкой компонентной базы

элементной базы

28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда

на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров,

лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных

радиационно стойких запоминающих программируемых и

комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств,

полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых

интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно

процессоров обработки сигналов, стойком исполнении для создания

микроконтроллеров и схем специальной аппаратуры нового

интерфейса поколения

29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии

с ультратонким слоем кремния на ----- ---- ----- проектирования и изготовления

сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и

сложнофункциональных блоков на

основе ультратонких слоев на

структуре "кремний на сапфире",

позволяющей разрабатывать

радиационно стойкие

сверхбольшие интегральные схемы

с высоким уровнем радиационной

стойкости

30. Разработка базовой технологии и 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели

приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и

базиса производства радиационно 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута

стойких сверхбольших изготовления радиационно

интегральных схем "система на стойких сверхбольших

кристалле", радиационно стойкой интегральных схем типа "система

силовой электроники для на кристалле" с расширенным

аппаратуры питания и управления температурным диапазоном,

силовых транзисторов и модулей

для бортовых и промышленных

систем управления с пробивными

напряжениями до 75 В и рабочими

токами коммутации до 10 А

31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов

радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей

интегральных схем на основе 79,5 22 25,5 32 радиационной стойкостью для

полевых эмиссионных долговечной аппаратуры

микронанотриодов космического базирования

32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей

радиационно стойкой электронной ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости

компонентной базы, содержащей 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы в

модели интегральных обеспечение установления

компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм

условиях радиационных испытаний

воздействий, создание

математических моделей

стойкости электронной

компонентной базы, создание

методик испытаний и аттестации

электронной компонентной базы

Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229

------ --- ----- ----- ----- -----

1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6